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CSD87503Q3E 30V 双路共源 N 沟道 MOSFET

数据:

描述

CSD87503Q3E是一款30V,13.5mΩ,共源极,双路N沟道器件,专为USB Type-C /PD和电池保护而设计。此3.3×3.3mm SON器件具有低漏极至漏极导通电阻,可最大限度地较少损耗,且具有较少的组件数量,适用于空间受限的应用。

特性

  • 双N沟道共源极MOSFET
  • 针对5V栅极驱动器进行了优化
  • 低热阻
  • 低Q g 和Q gd
  • 无铅引脚镀层
  • 符合RoHS标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线(SON)3.3mm×3.3mm塑料封装

所有商标均为各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD87503Q3E
30    
Dual Common Source    
21.9    
16.9    
89    
13.4    
5.8    
SON3x3    
20    
1.7    
10    
Yes    

方框图 (1)

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD87503Q3E 相关库存