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数据： CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表
这款30V，8.4mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被设计成功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD17579Q5A |
|---|
| 30 |
| Single |
| 13.3 |
| 9.7 |
| 105 |
| 5.4 |
| 1.2 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 1.5 |
| 46 |
| 25 |
| Yes |
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