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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD18510KTT 40V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

数据： CSD18510KTT 40V N 沟道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)

描述

这款40V，1.4mΩ，D ² PAK（TO-263）NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。最大R _θJC = 0.6°C /W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1％。

特性

超低Q _g和Q _gd
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合RoHS环保标准
无卤素
D ² PAK塑料封装

应用

次级侧同步整流器
电机控制

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD18510KTT	CSD18510KCS	CSD18510Q5B	CSD18511KTT	CSD18511Q5A	CSD18512Q5B	CSD18513Q5A	CSD18514Q5A
40	40	40	40	40	40	40	40
Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single
2.6	2.6	1.6	4.2	3.5	2.3	5.3	7.9
1.7	1.7	0.96	2.6	2.3	1.6	3.4	4.9
400	400	400	400	400	400	400	237
119	119	118	64	63	75	45	29
21	21	21	9.7	11.2	13.3	8.8	5
D2PAK	TO-220	SON5x6	D2PAK	SON5x6	SON5x6	SON5x6	SON5x6
20	20	20	20	20	20	20	20
1.7	1.7	1.7	1.8	1.8	1.6	1.8	1.8
274	274	300	194	159	211	124	89
200	200	100	110	100	100	100	50
Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes

技术文档

数据手册（1）

CSD18510KTT 40V N 沟道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)

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