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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD17585F5 30V N 沟道 FemtoFET MOSFET

数据： CSD17585F5 30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 数据表 (Rev. A)

描述

这种30V，22mΩ，N沟道FemtoFETMOSFET技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。

特性

导通电阻低
超低 Q_g 和 Q_gd
超小尺寸
- 1.53mm x 0.77mm
薄型
- 高度为 0.35mm
集成静电放电 (ESD) 保护二极管
- 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
无铅且无卤素
符合 RoHS 环保标准

应用范围

针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化

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参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level

CSD17585F5	CSD13380F3	CSD13381F4	CSD13383F4	CSD13385F5
30	12	12	12	12
Single	Single	Single	Single	Single
33	76	180	44	19
27
34	13.5	7	27	41
1.9	0.91	1.06	2	3.9
0.39	0.15	0.14	0.6	0.39
LGA 0.8x1.5	LGA0.6x0.7	LGA 1.0 x 0.6mm	LGA 1.0 x 0.6mm	LGA 0.8x1.5
	73	170	53	18
20	8	8	10	8
1.3	0.85	0.85	1	0.8
Yes	Yes	Yes	Yes	Yes

技术文档

数据手册（1）

CSD17585F5 30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 数据表 (Rev. A)

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