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数据： CSD85301Q2 20V 双路 N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表
CSD85301Q2是一款20V，23mΩN通道器件，它具有两个独立的MOSFET，并且采用SON 2mm x 2mm塑料封装。这两个场效应管（FET）采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。此外，该部件还可用于适配器，USB输入保护和电池充电应用。两个FET的漏源导通电阻均较低，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。
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| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD85301Q2 | CSD87502Q2 |
|---|---|
| 20 | 30 |
| Dual | Dual |
| 27 | 42 |
| 32.4 | |
| 26 | 23 |
| 4.2 | 2.2 |
| 1 | 0.5 |
| SON2x2 | SON2x2 |
| 33 | |
| 10 | 20 |
| 0.9 | 1.6 |
| 5 | 5 |
| Yes | Yes |
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