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这款60V，3.3mΩ，TO-220 NexFET功率金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18542KCS |
|---|
| 60 |
| Single |
| 5.1 |
| 4 |
| 400 |
| 44 |
| 6.9 |
| TO-220 |
| 20 |
| 1.8 |
| 170 |
| 200 |
| Yes |
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