完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>
数据: CSD19534Q5A 100V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表
这款100V,12.6mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被设计成功转换应用中最大限度地降低损耗。
顶视图
要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录.R θJA = 40°C /W,这是在一个厚度0.06英寸环氧树脂(FR4)印刷电路板(PCB)上的1英寸 2 ,2盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。最大R θJC = 2.0°C /W,脉冲持续时间≤100μs,占空比≤1%
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD19534Q5A | CSD19531Q5A | CSD19532Q5B | CSD19533Q5A | CSD19537Q3 |
|---|---|---|---|---|
| 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| Single | Single | Single | Single | |
| 15.1 | 6.4 | 4.9 | 9.5 | 14.5 |
| 137 | 337 | 400 | 231 | 219 |
| 17 | 37 | 48 | 27 | 16 |
| 3.2 | 6.6 | 8.7 | 4.9 | 2.9 |
| SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 | SON3x3 |
| 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 2.8 | 2.7 | 2.6 | 2.8 | 3 |
| 44 | 110 | 140 | 75 | 53 |
| 40 | 100 | 100 | 100 | 50 |
| No | No | No | No | No |
型号:CSD19534Q5A 封装:VSONP8_4.9X5.75MM
品牌:TI 描述:MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=15.1mΩ@10V VSONP8
金额:¥3.66520
去购买