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CSD19534Q5A 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19534Q5A

数据:

描述

这款100V,12.6mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被设计成功转换应用中最大限度地降低损耗。

顶视图

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录.R θJA = 40°C /W,这是在一个厚度0.06英寸环氧树脂(FR4)印刷电路板(PCB)上的1英寸 2 ,2盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。最大R θJC = 2.0°C /W,脉冲持续时间≤100μs,占空比≤1%

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合RoHS环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线(SON)5mm x 6mm塑料封装

应用范围

  • 初级侧电信应用
  • 电机控制
  • li>

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD19534Q5A CSD19531Q5A CSD19532Q5B CSD19533Q5A CSD19537Q3
100     100     100     100     100    
Single     Single     Single     Single      
15.1     6.4     4.9     9.5     14.5    
137     337     400     231     219    
17     37     48     27     16    
3.2     6.6     8.7     4.9     2.9    
SON5x6     SON5x6     SON5x6     SON5x6     SON3x3    
20     20     20     20     20    
2.8     2.7     2.6     2.8     3    
44     110     140     75     53    
40     100     100     100     50    
No     No     No     No     No    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD19534Q5A 相关库存