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数据： CSD18537NQ5A在标题中添加了部件号 60V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B)
这款10mΩ，60V，SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被设计成最大限度地减少功率转换应用中的损耗。
顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录.R θJA = 40°C /W，这是在一个厚度0.06英寸环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的铜过渡垫片上测得的典型值
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18537NQ5A | CSD18531Q5A | CSD18533Q5A | CSD18534Q5A | CSD18540Q5B |
|---|---|---|---|---|
| 60 | 60 | 60 | 60 | 60 |
| Single | Single | Single | Single | Single |
| 5.8 | 8.5 | 12.4 | 3.3 | |
| 13 | 4.6 | 5.9 | 9.8 | 2.2 |
| 151 | 300 | 267 | 229 | 400 |
| 14 | 36 | 29 | 17 | 41 |
| 2.3 | 5.9 | 5.4 | 3.5 | 6.7 |
| SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 |
| 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 3 | 1.8 | 1.9 | 1.9 | 1.9 |
| 54 | 134 | 103 | 69 | 221 |
| 50 | 100 | 100 | 50 | 100 |
| No | Yes | Yes | Yes | Yes |
型号：CSD18537NQ5A 封装：VSONP8_4.9X5.75MM
品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=13mΩ@10V VSONP8
金额：￥3.20460
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