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这款采用5mm×6mm SON封装的5.7mΩ，60V NexFET™功率MOSFET用于与CSD18537NQ5A控制FET配对并充当完整工业降压转换器芯片组解决方案的同步FET。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18563Q5A |
|---|
| 60 |
| Single |
| 10.8 |
| 6.8 |
| 251 |
| 15 |
| 2.9 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 2 |
| 93 |
| 100 |
| Yes |
型号：CSD18563Q5AT 封装：VSONP8
品牌：TI 描述：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：3.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.8mΩ@10V,18A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.4V@250μA
金额：￥8.02135
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