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CSD13383F4 CSD13383F4 12V N 通道 FemtoFET™ MOSFET

数据:

描述

此37mΩ12VN沟道FemtoFET™MOSFET技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时将封装尺寸减小60%以上。

特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 低高度
    • 高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 2kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准

All trademarks are the property of their respective owners.

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
CSD13383F4 CSD13380F3 CSD13381F4 CSD13385F5 CSD17382F4 CSD17484F4 CSD17585F5
12     12     12     12     30     30     30    
Single     Single     Single     Single     Single     Single     Single    
44     76     180     19     67     128     33    
            27    
27     13.5     7     41     14.8     18     34    
2     0.91     1.06     3.9     2.1     0.92     1.9    
0.6     0.15     0.14     0.39     0.63     0.075     0.39    
LGA 1.0 x 0.6mm     LGA0.6x0.7     LGA 1.0 x 0.6mm     LGA 0.8x1.5     LGA 1.0 x 0.6mm     LGA 1.0x0.6mm     LGA 0.8x1.5    
53     73     170     18     67     125      
10     8     8     8     10     12     20    
1     0.85     0.85     0.8     0.9     0.85     1.3    
Yes     Yes     Yes     Yes     Yes     Yes     Yes    

方框图 (1)

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD13383F4 相关库存