完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>
这款200mΩ，30V N通道FemtoFET MOSFET技术被设计且被优化，以最大限度地减少很多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这个技术能够在将封装尺寸至少减少60％的同时，替代标准的小信号MOSFET。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| Logic Level |
| CSD17483F4 |
|---|
| 30 |
| Single |
| 260 |
| 230 |
| 5 |
| 1.01 |
| 0.13 |
| LGA 1.0 x 0.6mm |
| 240 |
| 12 |
| 0.85 |
| Yes |
关注我们的微信
下载发烧友APP
机器人发烧友
