完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>
数据： CSD16556Q5B 25V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. C)
这款25V，0.9mΩ，5mm×6mm SON NexFET功率MOSFET设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD16556Q5B |
|---|
| 25 |
| Single |
| 1.5 |
| 1.07 |
| 400 |
| 37 |
| 13 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 1.4 |
| 263 |
| 100 |
| Yes |
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
长沙市望城经济技术开发区航空路6号手机智能终端产业园2号厂房3层（0731-88081133）
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备43011202000918
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
