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此NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。小外形尺寸无引线（SON）2mm x 2mm封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。
顶视图R θJA = 50，这是在1平方英寸纯铜（2盎司），厚度为.060“的环氧板（ FR4）印刷电路板（PCB）上测得的值。脉冲持续时间10μs，占空比≤2％
<小>
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD15571Q2 |
|---|
| 20 |
| Single |
| 19.2 |
| 15 |
| 52 |
| 2.5 |
| 0.66 |
| SON2x2 |
| 20 |
| 1.45 |
| 22 |
| Yes |
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