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这款25V，1.9mΩ，5mm×6mm SON NexFET™功率MOSFET的设计旨在最大限度地降低功率转换损耗，并针对5 V栅极驱动应用。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD16321Q5 | CSD16322Q5 | CSD16325Q5 |
|---|---|---|
| 25 | 25 | 25 |
| Single | Single | Single |
| 2.6 | 5.8 | 2.2 |
| 200 | 136 | 200 |
| 14 | 6.8 | 18 |
| 2.5 | 1.3 | 3.5 |
| SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 |
| 10 | 10 | 10 |
| 1.1 | 1.1 | 1.1 |
| 97 | ||
| 100 | 100 | 100 |
| Yes | Yes | Yes |
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