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CSD16323Q3 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据:

描述

这款25V,3.8mΩ,3.3×3.3mm SON NexFET™功率MOSFET设计用于最大限度地降低功率转换损耗并优化5 -V栅极驱动应用。

特性

  • 针对5 V栅极驱动器进行了优化
  • 超低Q g 和Q < sub> gd
  • 低热阻
  • 雪崩额定
  • 无铅端子电镀
  • 符合RoHS标准
  • 无卤素
  • SON 3.3 mm×3.3 mm塑料封装
  • 应用
    • 适用于网络应用的负载点同步降压转换器,电信和计算系统
    • 针对控制或同步FET应用进行了优化

所有其他商标均为其各自所有者的财产

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD16323Q3 CSD16327Q3 CSD16340Q3
25     25     25    
Single     Single     Single    
5.5     4.8     5.5    
112     112     115    
6.2     6.2     6.5    
1.1     1.1     1.2    
SON3x3     SON3x3     SON3x3    
    6.1    
10     10     10    
1.1     1.2     0.85    
21        
60     60     60    
Yes     Yes     Yes    

方框图 (1)

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD16323Q3 相关库存