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TS3DDR3812是一款专门针对DDR3应用而设计的12通道，1：2多路复用器/多路解复用器开关。产品采用3至3.6V电源供电，提供低而平坦的导通状态电阻以及低I /O电容，从而可实现1.675GHz的典型带宽。
通道A 0 至A 11 分为两个6位组，可通过两组名为SEL1与SEL2的数字输入进行独立控制。这些选择输入可控制每个6位DDR3信号源的开关位置，使它们能够准确发送至两个端点中的一个。此外，本开关还可用于将单个端点与两个6位DDR3信号源中的一个连接起来。对于12位DDR3信号源的开关，只需外部连接SEL1与SEL2，便可通过一个单个GPIO输入控制所有12个通道。一个EN输入可在不使用时使整个芯片处于高阻抗（Hi-Z）状态。
这些特性使TS3DDR3812成为存储器，模拟/数字视频，局域网（LAN）以及其它
| Protocols |
| Configuration |
| Number of Channels (#) |
| VCC (Min) (V) |
| VCC (Max) (V) |
| Ron (Typ) (Ohms) |
| Input/Ouput Voltage (Min) (V) |
| Input/Ouput Voltage (Max) (V) |
| ICC (Max) (uA) |
| Bandwidth (MHz) |
| ESD HBM (Typ) (kV) |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Package Group |
| Crosstalk (dB) |
| ESD Charged Device Model (kV) |
| ICC (Typ) (uA) |
| Input/Output Continuous Current (Max) (mA) |
| Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF) |
| Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF) |
| OFF-state leakage current (Max) (µA) |
| Propagation Delay (ns) |
| Ron (Max) (Ohms) |
| Ron Channel Match (Max) (Ω) |
| RON Flatness (Typ) (Ohms) |
| Turn off Time (Disable) (Max) (ns) |
| Turn on Time (Enable) (Max) (ns) |
| VIH (Min) (V) |
| VIL (Max) (V) |
| TS3DDR3812 | TS2DDR2811 |
|---|---|
| DDR3 | DDR2 |
| 2:1 SPDT | 1:1 SPST |
| 12 | 8 |
| 3 | 3 |
| 3.6 | 3.6 |
| 8 | 4 |
| 0 | 0 |
| 3.6 | 3.6 |
| 400 | 500 |
| 1675 | 1100 |
| 2 | 2 |
| -40 to 85 | -40 to 85 |
| 42WQFN: 32 mm2: 3.5 x 9(WQFN) | 20BGA MICROSTAR JUNIOR: 8 mm2: 3 x 2.5(BGA MICROSTAR JUNIOR) |
| WQFN | BGA MICROSTAR JUNIOR |
| -71 | |
| 1 | 1 |
| 250 | |
| 128 | 128 |
| 5.6 | 2.5 |
| 2 | 4 |
| 1 | |
| 0.04 | 0.04 |
| 12 | 6 |
| 1 | 1 |
| 1.5 | 0.5 |
| 5 | 9 |
| 7 | 15 |
| 2 | 2 |
| 0.8 | 0.8 |
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