SN74CBT16811C 具有预充电输出和 -2V 下冲保护的 24 位 FET 总线开关

SN74CBT16811C是一款高速TTL兼容FET总线开关，具有低导通电阻（r _on ），允许用于最小传播延迟。 SN74CBT16811C的A和B端口上的有源下冲保护电路通过检测下冲事件并确保开关保持在正确的OFF状态，为低达2 V的下冲提供保护。该器件还可将B端口预充电至用户可选的偏置电压（BIASV），以最大限度地降低带电插入噪声。

SN74CBT16811C组织为两个12位总线开关，具有独立的输出使能（10E \ ，2OE \）输入。它可以用作两个12位总线开关或一个24位总线开关。当OE \为低电平时，相关的12位总线开关接通，A端口连接到B端口，允许端口之间的双向数据流。当OE \为高电平时，相关的12位总线开关关闭，A和B端口之间存在高阻态。当OE \高时，B端口通过等效的10-k 电阻预充电到BIASV，或者如果设备断电（V _CC = 0 V）。

在插入（或移除）卡进入（或从）有源总线的过程中，卡？ ？的输出电压可能接近GND。当连接器引脚接触时，卡的寄生电容会试图迫使总线信号进入GND，从而在有源总线上产生可能的毛刺。通过使用总线开关的预充电偏置电压（BIASV）等于有源总线上接收器的输入阈值电压电平的总线开关，可以减少这种毛刺效应。这种方法将确保卡的插入（或移除）产生的任何毛刺都不会越过有源总线上接收器的输入阈值区域，从而最大限度地减少了插入噪声的影响。

此设备完全为使用I _off 的部分断电应用指定。 I _off 功能可确保损坏的电流在断电时不会回流通过器件。

为确保上电或断电期间的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到V _CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。