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MC33153 单IGBT驱动器

数据:

MC33153专门设计用作高功率应用的IGBT驱动器,包括交流感应电机控制,无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和模块IGBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括选择去饱和或过流检测和欠压检测。这些器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下特性:
特性
  • 高电流输出级:1.0 A源/ 2.0 A接收器
  • 常规和感测IGBT的保护电路
  • 可编程故障消隐时间
  • 防止过电流和短路
  • 针对IGBT优化的欠压锁定
  • 负栅极驱动能力
  • 成本有效地驱动功率MOSFET和双极晶体管
  • 无铅封装可用

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(4)
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