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产品详情
NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥
数据：
数据表：单输入高压半桥驱动器
NCP5111是一款高压功率栅极驱动器，提供两个输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。
它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。
特性
高压范围：高达600V
dV / dt抗扰度±50 V / ns
栅极驱动电源范围从10 V到20 V
高低驱动输出
输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA
兼容3.3 V和5 V输入逻辑
输入引脚上的Vcc摆幅
两个频道之间的匹配传播延迟
内部固定Dea的一个输入d时间（650 ns）
在两个频道的Vcc LockOut（UVLO）下
引脚与引脚兼容行业标准
应用
半桥电源转换器
电路图、引脚图和封装图
技术文档
数据手册（1）
相关资料（5）
数据表：单输入高压半桥驱动器
产品概览
8 LEAD PDIP
SOIC-8窄体
NCP5106A，NCP5106B，NCP5304，NCP5111和NCP5104 Behaveriol PSPICE模型
采用NCP5106B的36W镇流器应用
元器件购买
NCP5111
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