损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52:00
3550 
在导通数据中，原本2，742µJ的开关损耗变为1，690µJ，损耗减少了约38%。在关断数据中也从2，039µJ降至1，462µJ，损耗减少了约30%。
2020-07-17 17:47:44949 
对于半导体器件，损耗包括两部分，一部分是开关损耗，一部分是传导损耗，开关损耗随频率的升高而升高，传导损耗不受工作频率的影响。当开关损耗与传导损耗相等时，总损耗最低。
2020-09-12 11:28:132213 
为了匹配CREE SiC MOSFET的低开关损耗，栅极驱动器必须能够以快速压摆率提供高输出电流和电压，以克服SiC MOSFET的栅极电容。
2021-05-24 06:17:002391 
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢?
2022-10-19 10:39:231504 点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
VCE的 dv/dt造成的电流注到栅极驱动回路中的风险，避免使器件重新偏置为传导状态，从而导致多个产生Eoff的开关动作。ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFET 和 IGBT的关断损耗方面很有优势。不过
2018-08-27 20:50:45
和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑
2021-06-16 09:21:55
一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定
2020-06-28 15:16:35
可大大降低开关损耗。顺便提一下，PrestoMOS的“Presto”是源于表示“急板”的音乐速度用语。开发旨在trr高速化的FN系列，是为了使逆变器电路和电机驱动器电路的损耗更低，并通过免除外置二极管
2018-11-28 14:27:08
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
，提高开关的速度，从而降低开关损耗，但是过高的开关速度会引起EMI的问题。（2）提高栅极驱动电压也可以提高开关的速度，降低开关损耗。同时，高的栅极驱动电压会增加驱动损耗，特别是轻载的时候，对效率
2017-03-06 15:19:01
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的数据表中，列出了开通延时、开通上升时间，关断延时和关断下降时间，作者经常和许多研发的工程师保持技术的交流，在交流的过程中，发现有些工程师用这些参数来评估功率MOSFET的开关损耗
2016-12-16 16:53:16
矛盾的参数，为了减小导通电阻，就必须增加硅片面积；硅片面积增加，寄生的电容也要增加，因此对于一定的面积硅片，只有采用新的工艺技术，才能减小的寄生的电容。通常功率MOSFET的开关损耗主要与米勒电容、即
2016-10-10 10:58:30
要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损耗通常会在有损元器件中同时出现，下面将分别讨论。 01与功率
2020-08-27 08:07:20
功率损耗。图5 所示MOSFET 的漏源电压( VDS)和漏源电流(IDS)的关系图可以很好地解释MOSFET 在过渡过程中的开关损耗，从上半部分波形可以看出VDS和tSW(ON)期间电压和电流发生瞬变，MOSFET 的电容进行充电、放电。 图5 所示，( VDS )降到最终导通状态(=ID ×
2021-12-29 07:52:21
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成的类型，也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比，开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中，Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
讨论。与功率开关有关的损耗功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。导通损耗是当功率器件已被开通，且驱动和开关波形已经稳定以后，功率开关处于导
2019-09-23 08:00:00
使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）。但随着半导体技术的进步，碳化硅 （SiC） 金属氧化物半导体场效应晶体管 （MOSFET） 能够以比 IGBT 更高的频率进行开关，通过降低电阻和开关损耗来提高效率
2022-11-02 12:02:05
COOLMOS的开关时间约为常 规MOSFET的1/2；开关损耗降低约50%。关断时间的下降也与COOLMOS内部低栅极电阻（＜1Ω＝有关。 4、抗雪崩击穿能力与SCSOA 目前，新型
2023-02-27 11:52:38
产生的。传导损耗与占空比有直接关系。当电流较高一侧的MOSFET打开后，负载电流就会从其中通过。漏源通道电阻(RDSON)产生的功率耗散可以用公式1表示：其中D == 占空比对于LM2673这样的非同
2018-08-30 14:59:56
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑
MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关损耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
，可以降低Eon损耗，并提供分离的开关引脚，可以将Eon损耗降低60%以上。它采用非常高效的Trench Field Stop II技术构建，并针对具有低导通电压和最小化开关损耗优势的高速开关进行了优化
2020-07-07 08:40:25
限度降低传导和开关损耗）、如何最大限度降低栅极损耗、如何降低系统寄生效应的影响、如何减小导通电阻等问题。首先，考虑到关断能量、导通能量、米勒效应等都会影响开关行为。通过降低栅极电阻（RG）或者在关闭
2019-07-09 04:20:19
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定
2017-04-15 15:48:51
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑
本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20:31
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗
2019-09-25 07:00:00
极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通
2019-09-04 07:00:00
注到栅极驱动回路中的风险，避免使器件重新偏置为传导状态，从而导致多个产生Eoff的开关动作。ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFET 和 IGBT的关断损耗方面很有优势。不过ZVS的工作优点在IGBT中
2019-03-06 06:30:00
讨论。与功率开关有关的损耗功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。导通损耗是当功率器件已被开通，且驱动和开关波形已经稳定以后，功率开关处于导
2019-09-02 08:00:00
。设计挑战然而，SiC MOSFET 技术可能是一把双刃剑，在带来改进的同时，也带来了设计挑战。在诸多挑战中，工程师必须确保：以最优方式驱动 SiC MOSFET，最大限度降低传导和开关损耗。最大
2017-12-18 13:58:36
双极晶体管 (IGBT)。然而，随着半导体技术的进步，碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比IGBT更高的开关频率，不仅可以通过降低电阻和开关损耗提高效率，还可以增加功率和电流密度。在EV牵引
2022-11-03 07:38:51
SiC-MOSFET的量产。SiC功率模块已经采用了这种沟槽结构的MOSFET，使开关损耗在以往SiC功率模块的基础上进一步得以降低。右图是基于技术规格书的规格值，对1200V/180A的IGBT模块、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
充电器时的损耗降低情况① 与使用Si快速恢复二极管（Si FRD）的IGBT相比，开关损耗降低67%② 与损耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）相比
2022-07-27 10:27:04
4开关损耗测试结果图六、总结开关损耗测试对于器件评估非常关键，通过专业的电源分析插件，可以快速有效的对器件的功率损耗进行评估，相对于手动分析来说，更加简单方便。对于MOSFET来说，I2R的导通损耗计算公式是最好的选择。
2021-11-18 07:00:00
坏该开关器件。 由于硬开关存在以上缺点，限制了开关器件工作频率的提高，在软开关技术出来之前，功率开关器件的开关损耗是很大的。为了弥补硬开关工作的不足，提出了软开关技术。 软开关技术的原理 所谓
2019-08-27 07:00:00
，为了保证控制环路的稳定性，无论有多少相位，都会自动稳定内部数字控制环路，而这正是以前的模拟技术所无法实现的。 图5 ,栅极驱动的数值（VGD）改变时，RDSon就会变化，但是开关损耗降低。 可变栅极
2018-11-29 17:00:15
电容的充电。驱动电流能力越高，电容的充放电速度就越快。拉灌大量电荷的能力可以降低功率损耗和畸变。（传导损耗是另一种FET开关损耗，传导损耗取决于内部电阻或FET的RDS(on)值，其中，随着电流
2022-11-14 06:52:10
开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51:06
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01:07
使功率耗散最小的器件。这个器件应该具有均衡的阻性和开关损耗。使用更小（更快）的MOSFET所增加的阻性损耗将超过它在开关损耗方面的降低，而更大（RDS（ON）更低）的器件所增加的开关损耗将超过它对于阻
2021-01-11 16:14:25
算法，可根据负载功率因子在不同扇区内灵活放置零电压矢量，与传统的连续调制SVPWM相比，在增加开关频率的同时减小了开关电流。仿真结果也表明这种方法有着最小的开关损耗。
2019-10-12 07:36:22
和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，通过过程中的MOSFET开关损耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
与齐纳二极管并联，与漏源端子并联。在雪崩期间，现代MOSFET可以耗散很多，但不建议让零件连续雪崩，而只能在接通等过载情况下。雪崩是产生EMI的随机过程。 3、Rdson，开关损耗 标准硅MOSFET
2023-02-20 16:40:52
MOSFET通过降低开关损耗和具有顶部散热能力的DaulCool功率封装技术可以实现更高的工作频率,从而能够获得更高的功率密度。 理想开关 在典型的同步降压开关电源转换器中,MOSFET作为开关使用时
2012-12-06 14:32:55
动态恒流区、一段稳定时间的米勒平台恒流区，此时MOSFET均工作于放大状态，这也可以理解：MOSFET在开关过程中，跨越恒流区（放大区），是MOSFET产生开关损耗的直接原因。
2016-11-29 14:36:06
功率MOSFET的Coss会产生开关损耗，在正常的硬开关过程中，关断时VDS的电压上升，电流ID对Coss充电，储存能量。在MOSFET开通的过程中，由于VDS具有一定的电压，那么Coss中储能
2017-03-28 11:17:44
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
的图像。图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段
2018-08-30 15:47:38
。在此期间，电感电流通过输出电容、负载和正向偏置二极管。负载电流流过二极管产生的功率耗散可以用公式2表示：其中VF是选定二极管的正向电压降。除了集成MOSFET与环流二极管中的传导损耗，电感器中也有传导
2018-06-07 10:17:46
，在这两种情况下估算时间t3作为MOSFET的上升和下降时间，您可使用等式4估算开关损耗：开关损耗取决于频率和输入电压。因此，输入电压和开关频率较高时，总效率相对降低。在轻负载时，LM2673非同步降压
2018-06-05 09:39:43
功率器件损耗主要分为哪几类？什么叫栅极电荷？开关损耗和栅极电荷有什么关系？
2021-06-18 08:54:19
新技术就可通过降低RDS（ON）和栅极电荷（Qg），最大限度地减少传导损耗和提高开关性能。这样，MOSFET就能应对开关过程中的高速电压瞬变（dv/dt）和电流瞬变（di/dt），甚至可在更高的开关频率下
2011-08-17 14:18:59
请您介绍一下驱动器源极引脚是如何降低开关损耗的。首先，能否请您对使用了驱动器源极引脚的电路及其工作进行说明？Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。它与以往驱动电路
2020-07-01 13:52:06
产生效果相反的两种反馈电压，分别控制 MOSFET 栅源电压的上升和下降时间，因此降低功率回路中的 di/dt。然而，这样通常会增加开关损耗，因此并非理想方法 [8]，[9]。功率级寄生电容公式 1
2020-11-03 07:54:52
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图
2022-11-16 08:00:15
电流能力越高，电容的充放电速度就越快。拉灌大量电荷的能力可以降低功率损耗和畸变。（传导损耗是另一种FET开关损耗，传导损耗取决于内部电阻或FET的RDS(on)值，其中，随着电流通过，FET也会耗散
2019-08-07 04:45:12
在升压变换器中利用新型MOSFET减少开关损耗
摘要：升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率，设计
2009-07-20 16:03:00564 
理解功率MOSFET的开关损耗
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30:593320 MOSFET才导通，因此同步MOSFET是0电压导通ZVS，而其关断是自然的0电压关断ZVS，因此同步MOSFET在整个开关周期是0电压的开关ZVS，开关损耗非常小，几乎可以忽略不计，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所产生的导通损耗，选取时只需要考虑RDS（ON）而不需要考虑Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
2016-01-04 14:59:05
38 使用示波器测量电源开关损耗。
2016-05-05 09:49:380 MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式开关损耗
CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。
2018-01-13 09:28:578163 
工艺技术，可以在给
定 RDS(ON) 值的情况下实现低 QG，从而获得较低的品
质因数 （Figure of Merit， FOM）。 MCP87130 的低
FOM 与低 RG 相结合，可以支持高效率的功率转换，并
降低开关损耗和传导损耗。
2018-06-29 11:23:002 逆变器的功率密度，探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积， 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至数百
2018-10-08 08:00:0029 一个高质量的开关电源效率高达95％，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 电子发烧友网为你提供如何正确评估功率MOSFET的开关损耗？资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-01 08:49:1511 功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关
2021-10-22 10:51:0611 和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，通过过程中的MOSFET开关损耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 的图像。
图1：开关损耗
让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容
2022-01-21 17:01:12831 
如今的开关电源技术很大程度上依托于电源半导体开关器件，如MOSFET和IGBT。这些器件提供了快速开关速度，能够耐受没有规律的电压峰值。同时在On或Off状态下小号的功率非常小，实现了很高的转化效率
2021-11-23 15:07:571095 近日，东芝研发出新款4.5-kV双栅极反向传导注入增强型栅极晶体管（RC-IEGT）。经测试证实，相比于传统单栅极结构，该产品在导通关断时的总功耗（开关损耗）可降低24%。
2022-06-30 17:09:381097 功耗是传导损耗和开关损耗的总和，传导损耗也称为静态损耗。另一方面，开关损耗也称为动态损耗。
2022-07-26 17:30:032675 
MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。例如N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，当VGS电压达到MOSFET的开启电压时，MOSFET导通等同开关导通，有IDS通过，实现功率转换。
2022-11-28 15:53:05666 开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。
2023-01-17 10:21:00978 特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC必须将开关和传导损耗（包括导通和关断能量）降至最低。
2023-02-06 14:27:17387 功率半导体的栅极电阻选型，一般有两个优化目标。一方面，选择电阻值较小的栅极电阻，可以使得功率半导体的开关速度更快。这将降低开关损耗，从而降低总体损耗
2023-02-07 17:03:341312 
全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。近年来，发现有一种方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
－接下来，请您介绍一下驱动器源极引脚是如何降低开关损耗的。首先，能否请您对使用了驱动器源极引脚的电路及其工作进行说明？Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
从某个外企的功率放大器的测试数据上获得一个具体的感受：导通损耗60W开关损耗251。大概是1:4.5 下面是英飞凌的一个例子：可知，六个管子的总功耗是714W这跟我在项目用用的那个150A的模块试验测试得到的总功耗差不多。 导通损耗和开关损耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关--输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗：见文识意，开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH这个符号来表示。
2023-02-23 10:40:49623 
本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引起的损耗。
2023-02-23 10:40:50428 
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:28496 
MOSFET的栅极电荷（米勒电容）以及控制IC的驱动能力。本应用笔记将详细分析导通开关损耗以及选择开关P沟道MOSFET的标准。
2023-03-10 09:26:35556 
的充电。驱动电流能力越高，电容充电或放电的速度就越快。能够源出和吸收大量电荷可最大限度地减少功率损耗和失真。（传导损耗是FET中其他类型的开关损耗。传导损耗由内阻或RDS（开启），其中 FET 的 .FET随着电流的传导而耗散功率。
2023-04-07 10:23:291234 
的传导和开关损耗，本文以给出了使用ST碳化硅MOSFET的主要设计原则，以得到最佳性能。一，如何减少传导损耗：碳化硅MOSFET比超结MOSFET要求更高的G级电压
2022-11-30 15:28:282647 
使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 
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