在导通数据中，原本2，742µJ的开关损耗变为1，690µJ，损耗减少了约38%。在关断数据中也从2，039µJ降至1，462µJ，损耗减少了约30%。
2020-07-17 17:47:44
949 
通过调节频率使PFC电感电流在每个高频周期过零，以实现PFC二极管的零电流关断，消除反向恢复损耗。PFC二极管电流过零后，PFC电感与MOSFET寄生电容谐振，使Vds过零以实现零电压开通，不过零则谷底开通，降低开关损耗。两相TM交错180deg后可大幅减小输入高频纹波。
2023-03-20 11:23:281698 
MOS 管的开关损耗对ＭOS 管的选型和热评估有着重要的作用，尤其是在高频电路中，比如开关电源，逆变电路等。
2023-07-23 14:17:001217 
MOSFET 的选择关乎效率，设计人员需要在其传导损耗和开关损耗之间进行权衡。传导损耗发生在在 MOSFET 关闭期间，由于电流流过导通电阻而造成；开关损耗则发生在MOSFET 开关期间，因为 MOSFET 没有即时开关而产生。这些都是由 MOSFET 内半导体结构的电容行为引起的。
2023-11-15 16:12:33168 
的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，开关损耗测试对于器件评估非常关键，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上。电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的，开关
2024-01-20 17:08:06916 
、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。1导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外
2018-08-27 20:50:45
针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路
2021-06-16 09:21:55
会测量测试电流在二极管上恢复的Eon损耗。 在硬开关导通的情况下，栅极驱动电压和阻抗以及整流二极管的恢复特性决定了Eon开关损耗。对于像传统CCM升压PFC电路来说，升压二极管恢复特性在Eon
2020-06-28 15:16:35
的特点。对于这种有桥boost PFC电路可以采用TI的低边驱动芯片，如UCC27524,UCC27517等。这种驱动芯片相对于分立器件方案，具有驱动电流大，驱动速度快，尺寸更小，可靠性更高的特点
2019-03-19 06:45:01
3、开关动态损耗 由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的，很难估算MOSFET 和二极管的开关损耗，器件从完全导通到完全关闭或从完全关闭到完全导通需要一定时间，也称作死区时间，在这个过程中会产生
2021-12-29 07:52:21
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成的类型，也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比，开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中，Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。降低器件损耗，提升系统 EMI 表现。在新能源汽车电机控制器
2021-11-10 09:10:42
MOSFET”）标记为“Original”。考虑到噪声问题，Original的RG采用100Ω。对此，将PFC及DC/DC转换器的开关替换为三种SJ MOSFET，RG也尝试了100Ω和50Ω两种方案
2022-04-09 13:36:25
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21:49
-请问各位专家，我是个电源新手，刚开始接触MOS管。现在又些问题，开关损耗主要是导通和关断这两个过程，其它损耗可忽略吗？
2019-06-27 09:10:01
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑
MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关损耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑
本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20:31
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗
2019-09-25 07:00:00
MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗：除了IGBT的电压下降时间较长外，IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路
2017-04-15 15:48:51
分布电容引起。改善方法:在绕组层与层之间加绝缘胶带，来减少层间分布电容。08、开关管MOSFET上的损耗mos损耗包括：导通损耗，开关损耗，驱动损耗。其中在待机状态下最大的损耗就是开关损耗。改善办法
2021-04-09 14:18:40
和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外，IGBT
2019-03-06 06:30:00
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30
充电器时的损耗降低情况① 与使用Si快速恢复二极管（Si FRD）的IGBT相比，开关损耗降低67%② 与损耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）相比
2022-07-27 10:27:04
4开关损耗测试结果图六、总结开关损耗测试对于器件评估非常关键，通过专业的电源分析插件，可以快速有效的对器件的功率损耗进行评估，相对于手动分析来说，更加简单方便。对于MOSFET来说，I2R的导通损耗计算公式是最好的选择。
2021-11-18 07:00:00
坏该开关器件。 由于硬开关存在以上缺点，限制了开关器件工作频率的提高，在软开关技术出来之前，功率开关器件的开关损耗是很大的。为了弥补硬开关工作的不足，提出了软开关技术。 软开关技术的原理 所谓
2019-08-27 07:00:00
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多时，A管的开关损耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的数据表中，列出了开通延时、开通上升时间，关断延时和关断下降时间，作者经常和许多研发的工程师保持技术的交流，在交流的过程中，发现有些工程师用这些参数来评估功率MOSFET的开关损耗
2016-12-16 16:53:16
产生反向恢复电流Irr，会明显增大对管开关管的开通损耗，降低整个系统的效率。 可见，在图腾柱无桥PFC中，现有硅基IGBT配合硅基FRD或超结MOSFET作为主开关管的传统IGBT解决方案已很难再进
2023-02-28 16:48:24
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01:07
算法，可根据负载功率因子在不同扇区内灵活放置零电压矢量，与传统的连续调制SVPWM相比，在增加开关频率的同时减小了开关电流。仿真结果也表明这种方法有着最小的开关损耗。
2019-10-12 07:36:22
开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51:06
和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，通过过程中的MOSFET开关损耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
MOSFET可实现相对较快的开关动作，从而降低开关损耗。 IV.实验验证 A.实验测试波形 将升压PFC转换器用作测量平台，进行评估。传统的TO247封装MOSFET和最新推出的TO247 4引脚封装
2018-10-08 15:19:33
走（CCFF）技术的原理。这种新方案在控制开关频率方面极为有用，提供最优的平均能效及轻载能效等级。 临界导电模式或不连续导电模式 开关损耗难于精确预测。当PFC升压转换器从临界导电模式（CrM
2018-09-26 15:57:39
功率MOSFET的Coss会产生开关损耗，在正常的硬开关过程中，关断时VDS的电压上升，电流ID对Coss充电，储存能量。在MOSFET开通的过程中，由于VDS具有一定的电压，那么Coss中储能
2017-03-28 11:17:44
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34:53
我们将介绍测试电源开关损耗和传导损耗的各个步骤。 记住，经过电源开关和磁性器件的开关损耗和传导损耗对系统整体损耗有着巨大影响，正因如此，应尽可能精确地使这些损耗达到最小，这一点至关重要。 首先，记住
2016-09-02 14:39:38
的图像。图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段
2018-08-30 15:47:38
在本文中，我将讨论直流/直流稳压器部件的开关损耗，从第1部分中的图3（此处为图1）开始：VDS和ID曲线随时间变化的图像。图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关
2018-06-05 09:39:43
今天开始看电源界神作《开关电源设计》（第3版），发现第9页有个名词，叫“交流开关损耗”，不明白是什么意思，有没有哪位大虾知道它的意思啊？谢谢了！！
2013-05-28 16:29:18
请您介绍一下驱动器源极引脚是如何降低开关损耗的。首先，能否请您对使用了驱动器源极引脚的电路及其工作进行说明？Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。它与以往驱动电路
2020-07-01 13:52:06
产生效果相反的两种反馈电压，分别控制 MOSFET 栅源电压的上升和下降时间，因此降低功率回路中的 di/dt。然而，这样通常会增加开关损耗，因此并非理想方法 [8]，[9]。功率级寄生电容公式 1
2020-11-03 07:54:52
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图
2022-11-16 08:00:15
MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 根据开关器件的物理模型,分析了开关器件在Boost 电路中的损耗,并计算了Boost PWM 和PFC 两种不同电路的开关损耗,给出了开关器件的功耗分布。最后对一台3kW的Boost 型PFC 整流电源进
2009-10-17 11:06:0671
在升压变换器中利用新型MOSFET减少开关损耗
摘要：升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率，设计
2009-07-20 16:03:00564 
理解功率MOSFET的开关损耗
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30:593320 根据MOSFET的简化模型，分析了导通损耗和开关损耗，通过典型的修正系数，修正了简化模型的极间电容。通过开关磁铁电源的实例计算了工况下MOSFET的功率损耗，计算结果表明该电源中
2011-11-14 16:46:22112 MOSFET才导通，因此同步MOSFET是0电压导通ZVS，而其关断是自然的0电压关断ZVS，因此同步MOSFET在整个开关周期是0电压的开关ZVS，开关损耗非常小，几乎可以忽略不计，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所产生的导通损耗，选取时只需要考虑RDS（ON）而不需要考虑Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平台实现最小开关损耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小开关损耗SVPWM算法实现。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器测量电源开关损耗。
2016-05-05 09:49:380 MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，比如常见的管脚引线电感。本文在理论分析和实验数据基础上阐述了各寄生电感对IGBT开关损耗测量结果的影响。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式开关损耗
CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。
2018-01-13 09:28:578162 
开关器件的功率损耗是开关器件评估的重要环节，也是许多示波器选配的高级分析功能。事实上，虽然很多实验室配备了功率损耗程度测量环境，对设备和探头也投入不菲，但是如果忽略了时间偏移，则所有的测试结果都将
2018-02-07 01:27:01899 
相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0029 一个高质量的开关电源效率高达95％，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。
2019-07-31 16:54:535929 
根据开关器件的物理模型 ，分析了开关器件在 Boost 电路中的损耗 ，并计算了 Boost PWM 和 PFC 两种不同电路的开关损耗 ，给出了开关器件的功耗分布。最后对一台 3kW 的 Boost 型 PFC 整流电源进行了优化设计。
2019-08-08 08:00:0015 Mosfet的损耗主要有导通损耗，关断损耗，开关损耗，容性损耗，驱动损耗
2020-01-08 08:00:0011 同步整流降压转换器的同步开关（高边＋低边）是对VIN和GND电压进行切换（ON/OFF），该过渡时间的功率乘以开关频率后的值即开关损耗。
2020-04-06 10:51:00889 
电子发烧友网为你提供如何正确评估功率MOSFET的开关损耗？资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-01 08:49:1511 传统的升压PFC仅使用一个有源开关，通常是650V超结Si MOSFET。当今，大多数常规开关电源都采用升压PFC，从而充分利用其简单性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以减少开关损耗，但是效率的提高并不明显——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:412636 
功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 根据开关器件的物理模型 ，分析了开关器件在 Boost 电路中的损耗 ，并计算了 Boost PWM 和PFC 两种不同电路的开关损耗 ，给出了开关器件的功耗分布。最后对一台 3kW 的 Boost 型 PFC 整流电源进行了优化设计。
2021-05-11 11:01:2512 一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关
2021-10-22 10:51:0611 和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，通过过程中的MOSFET开关损耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 的图像。
图1：开关损耗
让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容
2022-01-21 17:01:12831 
，热损耗极低。 开关设备极大程度上决定了SMPS的整体性能。开关器件的损耗可以说是开关电源中最为重要的一个损耗点，课件开关损耗测试是至关重要的。接下来普科科技PRBTEK就开关损耗测试方案中的探头应用进行介绍。 上图使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 功率损耗是开关器件性能评估的重要环节，也是工程师在选配时重点关注的一项高级功能。虽然很多实验室配备了功率损耗测量环境，对设备和探头也投入不菲，但如果工程师忽略了探头之间的时间偏移，测试结果很可能
2021-12-15 15:22:40416 
3、开关动态损耗 由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的，很难估算MOSFET 和二极管的开关损耗，器件从完全导通到完全关闭或从完全关闭到完全导通需要一定时间，也称作死区时间，在这个过程中会产生
2022-01-07 11:10:270 如今的开关电源技术很大程度上依托于电源半导体开关器件，如MOSFET和IGBT。这些器件提供了快速开关速度，能够耐受没有规律的电压峰值。同时在On或Off状态下小号的功率非常小，实现了很高的转化效率，热损耗极低。
2022-06-20 10:05:361704 
。此外，今天的开关元件没有非常高的运行速度，不幸的是，在转换过程中不可避免地会损失一些能量（幸运的是，随着新电子元件的出现，这种能量越来越少）。让我们看看如何使用“LTspice”仿真程序来确定 SiC MOSFET 的开关损耗率。
2022-08-05 08:05:075936 
MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。例如N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，当VGS电压达到MOSFET的开启电压时，MOSFET导通等同开关导通，有IDS通过，实现功率转换。
2022-11-28 15:53:05666 开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。近年来，发现有一种方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
－接下来，请您介绍一下驱动器源极引脚是如何降低开关损耗的。首先，能否请您对使用了驱动器源极引脚的电路及其工作进行说明？Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
从某个外企的功率放大器的测试数据上获得一个具体的感受：导通损耗60W开关损耗251。大概是1:4.5 下面是英飞凌的一个例子：可知，六个管子的总功耗是714W这跟我在项目用用的那个150A的模块试验测试得到的总功耗差不多。 导通损耗和开关损耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关--输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗：见文识意，开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH这个符号来表示。
2023-02-23 10:40:49622 
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:28493 
MOSFET的栅极电荷（米勒电容）以及控制IC的驱动能力。本应用笔记将详细分析导通开关损耗以及选择开关P沟道MOSFET的标准。
2023-03-10 09:26:35556 
通过调节频率使PFC电感电流在每个高频周期过零，以实现PFC二极管的零电流关断，消除反向恢复损耗。PFC二极管电流过零后，PFC电感与MOSFET寄生电容谐振，使Vds过零以实现零电压开通，不过零则谷底开通，降低开关损耗。
2023-03-21 09:35:151783 
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类。
2023-03-26 16:18:555704 
CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。
2023-07-17 16:51:224671 
了电路的工作原理和效率。 开关器的两种主要类型是MOSFET和BJT。然而，在Buck电路中，MOSFET通常更受欢迎，而BJT则较少使用。这主要归因于以下几个原因： 1. 低开关损耗 MOSFET具有非常低的开关损耗，因为它们是开关式的器件。当MOSFET处于导通状态时，它的内阻非常小，故具有非
2023-09-12 15:26:31686 使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 
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