Numonyx与Intel 开发堆叠式交叉点相变化内存技术

Numonyx与Intel 开发堆叠式交叉点相变化内存技术

Numonyx B.V. 与 Intel Corporation 宣布相变化内存 (PCM) 研究的关键性突破，此项非挥发性内存技术结合了现今多种类型内存的优点。研究人员也首度展示可于单一芯片堆叠多层PCM 阵列的 64Mb 测试芯片。对于随机存取非挥发性内存及储存应用而言，此一成果也为发展容量更高、功耗更低且体积更小的内存装置奠定重要基础。

此为Numonyx 与 Intel 长期合作研究的成果，该计划着重于研究多层式或堆叠式 PCM 单元阵列。Numonyx 与 Intel 双方的研究人员目前已展示PCMS (相变化内存及开关)的垂直式整合内存单元。PCMS 包含一个 PCM 元件，此元件与全新的堆叠双向阈值开关 (Ovonic Threshold Switch, OTS)堆叠于交叉点阵列 (cross point arrays) 中。其堆叠 PCMS 阵列的能力有助扩充内存容量，同时维持 PCM 的效能特性，这对于传统的内存技术而言是相当不易克服的挑战。

Numonyx 资深技术研究员 Greg Atwood 表示相当看好目前成果的前景，此项成果同时也显示了未来的 PCM 产品发展更高容量、可扩充式阵列及类 NAND 使用模式的可能。由于从手机到资料中心，每一项应用对内存的需求都持续增加，而传统的快闪存储器技术正面临某些实体限制和可靠性等问题，这项成果在此刻更显重要。

Intel 研究员兼内存技术开发总监 Al Fazio 表示，Intel 持续开发内存技术，以期推动运算平台发展。Intel 对于目前研究的里程碑感到相当振奋，并且预期未来 PCMS 等内存技术对于延伸内存在运算解决方案中所扮演的角色，以及对于效能及内存扩充方面的重要性。

内存单元是由储存元件及选择器堆叠而成，而多个单元又组成内存阵列。Numonyx 与 Intel 的研究人员现已利用薄膜双终端 OTS 做为选择器，以符合 PCM 扩充时的实体及用电需求。透过薄膜 PCMS 的相容性，多层的交叉点内存阵列目前已成为可能。当整合并嵌入交叉点阵列后，多层式阵列便可结合 CMOS 电路的解码、侦测及逻辑功能。

更多关于内存单元、交叉点阵列、实验及成果的资讯登载于 “A Stackable Cross Point Phase Change Memory” 这份共同文件中，并且将于 2009 年 12 月 9 日在美国马里兰州巴尔的摩举行的 2009 年国际电子装置会议 (International Electron Devices Meeting) 中发表。此文件由 Numonyx 与 Intel 双方的技术人员共同完成，并将由 Intel 资深首席工程师 DerChang Kau 代表发表。