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2025-04-09 11:16:06911

HMC500LP3/500LP3E HBT矢量调制器,采用SMT封装技术手册

HMC500LP3(E)是一款高动态范围的矢量调制器RFIC,用于RF预失真和前馈消除电路,以及RF消除和波束成形幅度/相位校正电路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口,持续改变RF信号
2025-04-09 10:55:15826

HMC1133LP5E GaAs MMIC 6位数字移相器,4.8-6.2GHz技术手册

HMC1133LP5E是一款6位数字移相器,额定频率范围为4.0至7 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC1133LP5E在所有相态具有2.8度的极低RMS相位误差及±0.4
2025-04-09 09:52:51741

5V0.2A烟雾传感器电源芯LP2178A

35102 ,LP35118, LP35116P, LP10R100SLP15R100SLP3588BS ,LP3588CS ,LP3578CS ,LP15R060SLP05R045T
2025-04-02 15:12:47

HMC786LP4E集成LO放大器的BiCMOS混频器技术手册

HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器,采用4x4 SMT QFN封装,工作频率范围为0.7至1.1 GHz。 LO驱动为0 dBm时,3G4G GSM/CDMA
2025-04-02 14:27:23784

HMC683高IP3双通道下变频器SMT,集成LO开关技术手册

HMC683LP6C(E)是一款高线性度、双通道下变频器,集成LO放大器,采用6x6 SMT QFN封装,工作频率为0.7 - 1.0 GHz。 LO驱动为0 dBm时,3G4G GSM/CDMA
2025-04-02 11:07:56951

HMC682高IP3双通道下变频器,采用SMT封装,集成LO开关技术手册

HMC682LP6C(E)是一款高线性度、双通道下变频器,集成LO放大器,采用6x6 SMT QFN封装,工作频率为1.7 - 2.2 GHz。 该器件针对3G4G GSM/CDMA应用提供+25
2025-04-02 11:03:53804

UA10-220S05V3P2D UA10-220S05V3P2D

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2025-03-24 18:51:01

BK350-800S32G1N6 BK350-800S32G1N6

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2025-03-21 18:41:31

DD60-300S12G2N6 DD60-300S12G2N6

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2025-03-21 18:32:28

HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器技术手册

、LFCSP封装。HMC903LP3E放大器的工作频率范围为6 GHz至17 GHz,提供18.5 dB的小信号增益,1.7 dB的噪声系数(在6 GHz至16 GHz频段范围内),25 dBm的输出IP3(全频段6 GHz至17 GHz),采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。
2025-03-21 15:14:511104

HMC863ALC4 GaAs pHEMT MMIC 1/2W功率放大器技术手册

HMC863ALC4是一款三级GaAs pHEMT MMIC 1/2 W功率放大器,工作频率范围为24至29.5 GHz。HMC863ALC4提供24 dB增益、+28.5 dBm饱和输出功率
2025-03-21 14:54:20783

DD6-05S24E3C2 DD6-05S24E3C2

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2025-03-20 18:46:03

FD6-36S24A3C3 FD6-36S24A3C3

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2025-03-20 18:45:32

FD6-110S05A3(C) FD6-110S05A3(C)

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2025-03-20 18:43:31

FD6-18S2V7A3(C) FD6-18S2V7A3(C)

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2025-03-20 18:42:07

PFD6-18S40A3(C)2 PFD6-18S40A3(C)2

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2025-03-20 18:41:45

FK6-36S24E2C3 FK6-36S24E2C3

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2025-03-20 18:41:28

HMC566LP4E低噪声放大器,采用SMT封装,28-36GHz技术手册

及+24 dBm输出IP3。 由于尺寸较小、采用+3V单电源供电和隔直RF I/O,该自偏置LNA非常适合混合和MCM组件应用。 HMC566LP4E采用符合RoHS标准的封装,无需线焊,可以使用高容量表贴制造技术。 HMC566LP4E还提供HMC566芯片形式。
2025-03-20 15:55:24834

HMC3587HBT增益模块MMIC放大器,4-10GHz技术手册

HMC3587LP3BE是一款HBT增益模块MMIC放大器,工作频率范围为4 GHz至10 GHz,采用3x3 mm QFN SMT塑料封装。 该多功能放大器可在50 Ohm应用中用作IF或RF增益
2025-03-20 09:33:57731

HMC311LP3 InGaP HBT增益模块MMIC放大器技术手册

HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器,工作频率范围为DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封装放大器可用作级联50 Ohm
2025-03-19 15:51:05771

HMC263LP4E低噪声放大器,采用SMT封装,24-36GHz技术手册

HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至36 GHz,采用无引脚SMT塑料封装。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工艺制造而成,采用3 V
2025-03-19 15:41:44776

HMC1040LP3CE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器SMT技术手册

的噪声系数,+22 dBm的输出IP3,同时所需电源范围仅为70 mA至+2.5 V。 +12 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多Hittite平衡、I/Q和镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC1040LP 3CE包括隔直且内部匹配至50 Ohms的I/O,非常适合高容量微波无线电和VSAT应用。
2025-03-19 14:18:45784

DA40-1000S37G2D4 DA40-1000S37G2D4

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2025-03-18 18:55:26

FA10-220S24G2N4 FA10-220S24G2N4

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2025-03-18 18:48:49

FA10-220S24C2N3 FA10-220S24C2N3

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2025-03-18 18:47:13

DA10-220S3V3P2D4 DA10-220S3V3P2D4

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2025-03-18 18:46:14

FA5-220S12V3G2D4 FA5-220S12V3G2D4

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2025-03-18 18:37:06

FA3-220S24G2D4 FA3-220S24G2D4

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2025-03-18 18:34:54

DA3-220S24G9D4 DA3-220S24G9D4

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2025-03-18 18:33:57

DA3-220S15G2N4 DA3-220S15G2N4

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2025-03-18 18:33:06

LP2801A/B/C/D/E 非隔离AC-DC电源芯片方案

2801A/B/C/D/E 产品特点: 1.集成>800V功率管 2.恒压控制 3.QR工作模式 4.优异的EMI特性 5.待机功耗<50mW 6.输出电压3.3V
2025-03-13 09:46:34

HMC536MS8G 3 Watt SPDT T/R交换芯片SMT,DC-6GHz技术手册

HMC536MS8G & HMC536MS8GE 是 DC - 6 GHz、GaAs、MMIC、T/R 交换芯片,采用 8 引脚 MSOP8G 表面贴装封装,带有裸露的接地焊盘。该交换芯片
2025-03-07 14:59:491321

HMC536LP2 3W SPDT T/R开关,采用SMT封装,DC-6GHz技术手册

HMC536LP2(E)是一款DC至6 GHz GaAs MMIC T/R开关,采用无引脚2x2 mm DFN LP2表贴封装,带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝、WiMAX和WiBro接入点
2025-03-07 14:47:371177

MHMF092L1C3-MINAS A6N系列 介绍 松下

电子发烧友网为你提供Panasonic(Panasonic)MHMF092L1C3-MINAS A6N系列 介绍相关产品参数、数据手册,更有MHMF092L1C3-MINAS A6N系列 介绍的引脚
2025-01-09 18:46:44

什么是热重分析(TGA

什么是热重分析(TGA)热重分析(TGA)在专业领域扮演着至关重要的角色。该技术通过精确测量样品在受控温度变化下的质量变化,来分析材料的热稳定性、分解行为和成分分析。本文将对TGA的运作机制、样品
2025-01-09 11:02:462078

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