的铜会导致损耗，最终会增加电力输送基础设施的资本成本 [3]。中压交流电代替低压交流电 LV AC，已被用作数据中心的配电电压，因为它适用于 UPS 应用 [1][3][4]。图 1 清楚地显示了 MV UPS 的结构。图 2 描述了在五电平拓扑中使用的整流器。请访问此页面以
2021-06-14 03:53:00
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：硅PIN二极管、碳化硅 PIN二极管、硅肖特基二极管、碳化硅肖特基二极管。在本篇文章中我们将重点阐述碳化硅肖特基二极管作为续流二极管的混合碳化硅分立器件(后文简称为混管)的特性与优点。
2023-09-22 10:26:25207 
本推文主要介碳化硅器件，想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48:06642 
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
Mos管代替上图中两个串联的MOS，三电平变换器简化成传统两电平全桥变换器，如下图。 同时，我们将开关频率设定到160KHz，减小了磁性器件和整个变换器的体积。 8KW 碳化硅全桥LLC解决方案
2018-10-17 16:55:50
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
讨论一下SiC器件。 碳化硅，不那么新的材料 第一次记录在案的SiC材料实验是在1849年左右，这种材料已经广泛用于防弹背心或磨料。IGBT的发明者之一早在1993年就讨论了与硅（Si）器件相比
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时，碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵，尽管认识到了与硅基产品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潜在优势，大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持续稳定的线路板；在引擎室中，由于高温环境和LED 灯源的散热要求，现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求，需要散热性能更好碳化硅电路板，例如斯利通碳化硅基板；在高频传输与无线雷达侦测
2020-12-16 11:31:13
在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件能在更高的频率下工作。综合以上优点，在相同的功率等级下，设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小，同时效率也有大幅度的提升。我国
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
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2018-06-12 10:22:42
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2018-11-15 11:59:01
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件，可以降低驱动器损耗，提高开关频率，降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET，验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
应用范围也越来越广。据报道，美国特斯拉公司的马达驱动逆变器使用的是碳化硅半导体。另外，很多读者都已经在电器市场上看到了使用了氮化镓半导体的微型 AC转换器。采用宽禁带材料制作的电力半导体，其内部电路在高压
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，在这些环境中，传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能，包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天，SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来，预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，获得华大半导体有限公司投资，创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块，并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中，可实现相比硅元器件更高的工作温度，实现双倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合，可提供最佳的性价比。混合碳化硅结合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基续流二极管，也是一个不错的选择，与纯硅解决方案相比，可将功率损耗降低多达50
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的效率也会更高。当客户选择碳化硅MOSFET为主开关管后，通常也会愿意多花额外的成本将工频整流二极管D3和D4换成普通的低导通电阻（Rdson）的硅-MOSFET ［B1］ ，降低整流器件的导通损耗
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于与它们具有比硅器件更出众的可靠性，在持续使用内部体二极管的连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）设计，例如图腾功率因数校正器的硬开关拓扑中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
特点, 高压输入隔离DC/DC变换器的拓扑可以得到简化（从原来的三电平简化为传统全桥拓扑）。碳化硅MOSFET在软开关桥式上具有以下明显的优势:高阻断电压可以简化拓扑设计,电路从复杂三电平变为两电平全
2016-08-05 14:32:43
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
如何设计单向桥式全控整流器？求大佬解答
2023-02-28 11:04:30
，工作结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在一定程度上替代相同封装的IGBT模块，从而帮助客户有效缩短产品开发周期，提高工作效率。 产品特点 沟槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
的发展趋势，对 SiC 器件封装技术进行归纳和展望。近20多年来，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作为一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
求一个五电平整流器
2021-10-04 09:42:29
直流快充，三相交流输入需要经过三相PFC整流输出电压为800V，因此后级隔离采用如图6左所示复杂三电平硅方案，碳化硅MOSFET可以使电路从复杂三电平变为两电平全桥电路[2]，减小开关器件数量；(2
2016-08-25 14:39:53
管子开关影响。 2）低传输延迟 通常情况下，硅IGBT的应用开关频率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推荐应用开关频率大于100kHz，应用频率的提高使得碳化硅MOSFET要求驱动器提供更低的信号
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
电镀整流器可分为可控硅电源（俗称硅整流）和高频开关整流器（亦称开关电源）两种。
2019-09-18 09:10:26
，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
黑碳化硅基础知识
黑碳化硅是以石英砂,石油焦为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦为主要原料，通过电阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅(SiC)基地知识
碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料
2009-11-17 09:41:491240 金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当
2018-01-03 09:48:4819904 中，基本半导体总经理和巍巍博士发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半导体产品布局进一步完善，产品竞争力再度提升，将助力国内第三代半导体产业进一步发展。基本半导体的碳化硅
2021-11-29 14:54:087839 
来源：中国电子报 日前，国际碳化硅大厂安森美宣布，其在捷克Roznov扩建的碳化硅工厂落成，未来两年内产能将逐步提升。另一家碳化硅大厂Wolfspeed也表示将在美国北卡罗来纳州建造一座价值数十
2022-10-08 17:02:25872 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物
2023-02-02 14:50:021979 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值，继续升高温度，导电率又会下降。
2023-02-03 09:31:234409 碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 对于大功率、高效率、超紧凑式的高功率因数整流器，直接三相整流器，诸如三电平维也纳整流器，是比较适合的整流解决方案。特别是航空电源系统，这是因为新一代的飞机将在380Hz和800Hz之间变换
2023-02-09 10:01:25978 
碳化硅是目前应用最为广泛的第三代半导体材料，由于第三代半导体材料的禁带宽度大于2eV，因此一般也会被称为宽禁带半导体材料，除了宽禁带的特点外，碳化硅半导体材料还具有高击穿电场、高热导率、高饱和电子
2023-02-12 15:12:32933 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱，本期为番外篇，前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游，本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场，以及未来的发展趋势，感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应，即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒，使得半导体中的载流子向金属一侧偏移，形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34801 11.2.1工频相控整流器和逆变器11.2基本的功率变换电路第11章碳化硅器件在电力系统中的应用《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代
2022-04-16 10:19:29199 
碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451093 Nexperia与京瓷AVX合作为高频电源应用生产新型碳化硅(SiC)整流器模块
2023-11-02 09:27:26292 碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14292 
电子发烧友App
图 1：中压 UPS 结构
图 3：(a) 显示了传统的 5-L ANPC，(b) 显示了单向整流器。
表 1：整流器模式
表 2：模拟和原型规格
图 4：FFT 分析
图 5：配电功率损耗
图 6：原型。
图 7：来自建议整流器的波形
图 8：不同负载下的响应
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