VCSEL激光器、SBD肖特基二极管最新研究成果

成果一

基于Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，技术团队深入探索了实现GaN VCSEL横向电流限制的根本原因。研究发现，横向电流限制不是由埋入式绝缘体的电阻特性引起的，而潜在的原因在于埋层绝缘体可承担电压，因此会引起孔内和孔外之间的电势差，进而会产生横向能带势垒。为了减小横向势垒高度，技术团队建议使用具有介电常数较大、绝缘体厚度较薄的限制孔，以增加横向电流的限制作用。他们发现增加电流的横向限制效应有助于减小载流子微分寿命，从而可提高3dB带宽。这项研究成果丰富了研究人员对III族氮化物VCSEL器件物理的理解，为高性能 GaN VCSEL的设计和开发提供了重要的指导建议。

成果二

基于Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，技术团队开发出了Mesa型肖特基二极管（TMBS）模型，并对TMBS肖特基二极管的器件物理和设计方案进行了深入探索。TMBS肖特基二极管可在一定程度上增强器件的二维电场耦合，从而降低表面电场，减小漏电流，但由于器件为mesa结构，电势线存在着较大曲率，因此mesa边缘处局部电场过强，将会导致器件提前击穿，因此技术人员进一步对TMBS器件做了深入系统的研究，探索了各个关键结构参数对器件性能的影响，总结出了器件关键指标与关键结构参数之间的物理关系，凝练了器件的优化设计规则；该研究成果对于改善TMBS器件结构和提高器件性能具有重要的指导意义。