存储技术

内存疯狂涨价背后的原因,扩产后涨势继续

　我们看过很多关于存储器价格暴涨的新闻，三家DRAM供应商也都曾明确表示自己的态度。三星表示2018年DRAM产能增长不会超过20%，需求量却要增长25%。关于NAND，三星表示：“供应方面，虽说64层产量在扩大，因为技术难度增加，与需求增长相比，供应增长预计将受到限制，”

2017-11-20 标签：dramnand三星电子sk海力士 2564

东芝计划明年3月底完成芯片业务出售,并称不接受贝恩财团单一成...

东芝的闪存产品品质和稳定性高于海力士、美光等同类产品，但由于日本企业经营保守，市场反应的速度和弹性都不如海力士，美光等韩美企业，企业经营的策略调整较慢。由于东芝公司陷入财报问题及收购核能厂所衍生出财务泥沼，让其未来财务运作及筹资能力上出现疑虑，也让其半导体业务面临考验。

2017-11-17 标签：东芝sk海力士贝恩资本 1047

SSD出货量大幅度下滑,PCI-E SSD却增长15.6％

总体而言，企业级SSD市场出货量环比下跌7％，其中只有PCI-E SSD大幅增长了15.6％，显示行业正在迅速告别SATA时代，但目前SATA SSD仍然是企业市场主力，出货量略高于400万块。

2017-11-17 标签：东芝nand三星电子ssd西数 1386

UFS发力,二代UFS 2.1闪存重磅来袭,安卓苹果差距不再

据媒体Benchlife报道，知名主控厂商群联电子已经研制出了第二代UFS2.1主控，并且已经通过了华为和高通的认证测试，这意味着这款闪存距离上市不远了，而搭载麒麟处理器和高通处理器的产品，都能够用上这块闪存，会为手机带来更好的系统流畅性，特别是在应用安装、游戏读写等方面。

2017-11-17 标签：闪存苹果安卓骁龙ufs麒麟 3691

三星2017年半导体行业巨额开支,欲打击中国存储器竞技资格

2017-11-17 标签：dram三星电子存储器半导体行业 1599

受内存需求,第三季度三星季增28.4%,SK海力士增30.1...

根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查显示，在北美数据中心的需求持续强劲，以及DRAM供给端产能与制程受限制下，并不能满足整体服务器内存市场需求，Server DRAM供不应求的情形在第三季度更为显著。受到平均零售价（Average Selling Price）垫高带动，三大DRAM原厂第三季营收成长约25.2%。

2017-11-17 标签：dram三星电子美光sk海力士 988

新型存储器材料“钪锑碲”,低功耗,循环寿命大于1000万次

存储器是集成电路最重要的技术之一，能否开发自主知识产权的存储器芯片事关国家信息安全。目前，国际上通用的存储器材料是“锗锑碲”。近年来，消费电子产品的普及对存储器芯片的功耗、寿命、尺寸、持久力等各项性能指标均提出了更高要求，世界各国科学家都在加紧攻关存储器芯片的制造材料。

2017-11-16 标签：集成电路存储器 3373

存储器竞技场,DRAM、NAND量产大PK

中国半导体发展风起云涌，购并、建厂消息不断，在市场、国安等考量下，存储器更是中国重点发展项目，成为多方人马竞逐的主战场。中国存储器后进厂商 2018 年开始产能逐步开出，目前状况到底如何？有相关研究机构做了图表简单解析。

2017-11-16 标签：dramnand存储器 1093

美光科技32GB NVDIMM离久性存储更进一步

通过以超快的 DRAM 速度处理关键数据，持久存储器在延迟、带宽、容量和成本之间实现了独有的平衡。而让其在普通服务器 DRAM 中独树一帜的原因在于，它能够在断电的情况下保存信息。美光科技的先进技术为近端存储数据分析提供了独到的解决方案，解决了金融、医药、零售以及石油和天燃气勘探等市场中承载海量数据的应用不断攀升的带宽需求。

2017-11-15 标签：nand美光科技 1283

三星巨额投资3D NAND闪存,占据整个半导体行业的33%

三星的开支计划到底有多么凶猛？IC Insights预计，三星2017年第四季度的半导体资本支出为86亿美元，将占到整个半导体行业的33%（整个行业第四季度支出预计达到262亿美元）。同时，三星在第四季度的半导体销售额占整个行业的16%左右。

2017-11-15 标签：英特尔三星电子台积电nand闪存 1355

DRAM开启杀戮战,存储厂商调涨DRAM合约价

调研机构研究报告显示，三星、SK海力士及福建晋华、合肥睿力等公司的增产计划，都为未来DRAM市场投下新变数，明年DRAM产值虽仍可成长11.8%，但成长已低于今年的67.8%，到2019年，在新产能增加，重陷价格战下，年产值将衰选25.9%，且预估有2年的杀戮战。

2017-11-15 标签：dram三星电子sk海力士 777

英特尔联合美光宣布晶圆厂扩建完成,3D XPoint被推上产...

英特尔（INTC. US）、美光科技（MU. US）13日宣布，IM Flash B60晶圆厂已完成扩建工程。 新闻稿指出，规模扩大后的晶圆厂将生产3D XPoint内存媒体。 成立于2006年的IM Flash合资企业替英特尔与美光生产非挥发性内存，初期生产用于SSD、手机、平板的NAND。

2017-11-15 标签：英特尔晶圆美光nand闪存 1515

DRAM产业屡创新高,扩产计划指日可待

观察各厂技术与产能布局，三星今年的目标除了专注于18nm制程的持续转进外，近几季DRAM同业的高获利，亦刺激三星开始思索可能的DRAM扩产计划，一方面应对供给吃紧状况，另一方面则期望提高DRAM产出量，压抑DRAM价格上涨幅度。三星此举将可巩固领先地位，维持与其他DRAM大厂1-2年以上的技术差距。

2017-11-14 标签：dram三星电子sk海力士 811

数据中心存储结构的未来也许会是RDMA

英特尔公司将RDMA技术直接应用在至强服务器的主板上。DataON公司正在使用新型Lightning Trac System Windows Server2016超融合系统，这些系统包括Optane固态硬盘，用于快速缓存层的NVMe，以及SMB3RDMA结构。现在，HPE公司在其新的Store FabricM系列存储优化交换机中使用了Mellanox基于RDMA的以太网存储结构，为客户提供了用于光纤通道的存储管理工具。

2017-11-10 标签：英特尔以太网数据中心 2695

DNA存储延续千年的承载介质，可将数据压缩至方糖大小

微软与华盛顿大学的研究员们指出，他们开发出了“一种新型方案”，能够将长字符串转换为DNA序列的四种基本组成部分——腺嘌呤、鸟嘌呤、胞嘧啶与胸腺嘧啶，分别简写为A、G、C与T。要访问这些数据，研究员们在DNA序列内编制出类似于邮编及街道地址的符号。聚合酶链反应（简称PCR）技术——常用于分子生物学当中——帮助他们能够更为轻松地识别自己正在搜索的邮编。

2017-11-09 标签：dna存储 1409

虚拟化环境是否会对闪存造成耗损

关于VMware和微软闪存工作的方式有一些问题需要讨论。闪存被认为是大有前途的技术，很多人认为他们可以在服务器中部署闪存充当缓存的角色。但殊不知闪存适合读，而并不适合写。你需要十分注意闪存的耗损，并充分利用其有限的寿命。虚拟存储厂商经常做的就是写聚集（write coalescence）。

2017-11-09 标签：闪存dram虚拟化 1308

台电发布极光DDR4 A30内存,自带散热装甲

A30的主要亮点一是高频，二是自主研发的散热装甲（御风者）。据悉，极光A30 DDR4内存分为4GB/8GB/16GB可选，频率达到2400MHz，比常规普条（2133Mhz）更高。

2017-11-09 标签：arm台电ddr4内存 1737

昂达瞄准内存市场,DDR3面向低端,面向AMD

这段时间，DDR4内存条价格持续处于高位，于是不少厂商和需求不高的用户开始将目光转向老一代的DDR3，毕竟无论是DDR3内存本身还是相应主板，都已经十分廉价，组个入门机还挺合适。

2017-11-07 标签：amdddr3内存昂达 5109

QNAP首发Ryzen NAS,多核心,可同时运行16个虚拟...

AMD Ryzen今年绝对是PC领域的一股清流，直接带动了整个行业的前进步伐，也获得了广泛认可，产品相当丰富。几年6月初，QNAP（威联通）就发布了首款基于AMD Ryzen平台的NAS网络存储设备。

2017-11-02 标签：处理器amd虚拟机 3759

西数首款14TB硬盘全球发货,八碟装,内部读写传输率233M...

西部数据旗下HGST发布了全球第一款14TB容量的机械硬盘，该硬盘型号UltraStar Hs14，采用第四代HelioSeal充氦封装技术，内部基于第二代企业级热管理SMR叠瓦式磁记录存储，存储密度1034Gb每平方英寸。

2017-11-02 标签：机械硬盘西数 2096