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巨量转移设备实现50μm内芯片应用 海目星蓄力MLED攻势

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2023-07-03 10:30:381799

普莱信智能亮相2023深圳国际LED展,展现Mini/MicroLED巨量转移设备XBonder

7月17-19日,第20届深圳国际LED展暨UDE国际显博会在深圳举行。普莱信智能作为Mini/MicroLED巨量转移设备领先企业获邀参加,为客户展示了由超高速刺晶机XBonder、过桥
2023-07-20 14:41:491006

巨量转移技术最新动态:滚轮转印、流体自组装、磁动力

转移成本方面,根据估算表明,对于5.8英寸2K分辨率的智能手机(LED器件尺寸约为10μm)和55英寸4K分辨率的电视(LED器件尺寸约为20μm)这样的Micro-LED显示设备巨量转移成本将占总成本的20%。由此可见,实现低成本巨量转移对于Micro-LED显示设备的价格降低至合理范围至关重要。
2023-08-02 16:31:111403

兆驰半导体公布最新Micro LED巨量转移专利

通过将不同颜色的晶圆分别键合至透明过渡基板之上,去除晶圆衬底,激光光斑透过与不同颜色晶圆对应的掩模版,并透过过渡基板,对涂覆于晶圆中显示单元上的过渡键合层进行照射,实现对过渡键合层的烧灼,则能够将单色晶圆上的若干显示单元同时转移至目标基板上
2023-11-14 16:21:00287

国星光电成功成功点亮1.84英寸Micro LED全彩显示屏

采用国星光电自主研发的巨量转移技术路线,实现50多万颗Micro LED芯片高密度集成,R/G/B三色芯片落位精度<2um,转移良率>99.9%。此外,国星Micro LED研发平台未来还可支持12寸以内基板上芯片多次拼接键合。
2023-12-08 10:07:36137

国星光电Micro LED新品nStar Ⅲ有何优势?

采用国星光电自主研发的巨量转移技术路线,实现50多万颗Micro LED芯片高密度集成,R/G/B三色芯片落位精度<2um,转移良率>99.9%。此外,国星Micro LED研发平台未来还可支持12寸以内基板上芯片多次拼接键合。
2023-12-12 14:36:17234

韩国科学技术院开发Micro LED选择性转移印刷技术

12月19日消息,近日韩国科学技术院(KAIST)Keon Jae Lee教授领导的研究团队在《自然》(Nature)杂志上发表了一篇题为“应用微真空力技术进行通用选择性转移印刷”的文章,研究团队展示了通过选择性调节微真空力方法,实现巨量转移微型无机半导体芯片
2023-12-26 13:31:23235

深康佳A:已建成MLED芯片小规模量产线

深康佳A近日在投资者互动平台宣布了一系列令人振奋的消息,显示了公司在MLED(Micro LED和Mini LED的简称)领域的重大进展。
2024-02-03 11:19:19432

深康佳:混合式巨量转移技术良率已达到99.999%

近日,深康佳在投资者关系活动中公布了其在Micro LED领域的最新进展。Micro LED技术以其低功耗、高亮度、快速响应、无缝拼接和长寿命等显著优势,正逐渐成为显示技术的主流。深康佳在此领域取得了一系列重大突破,尤其在混合式巨量转移技术方面,其良率已达到惊人的99.999%。
2024-02-05 17:01:54630

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