本内容主要介绍了硅衬底LED芯片主要制造工艺，介绍了什么是led衬底，led衬底材料等方面的制作工艺知识
2011-11-03 17:45:13
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LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅（Si）、碳化硅（SiC）衬底材料以外，氧化锌（ZnO）和氮化镓（GaN）等也是当前LED芯片研究的焦点。
2014-05-13 17:40:073742 正是由于“中国芯”硅衬底LED的诸多优势，目前三星等国际大公司以及LED行业几大巨头如飞利浦、欧司朗、CREE等都加大了对硅衬底LED技术的研发力度。面对国际企业的竞争压力，朱立秋建议，要保持先发优势，避免“起个大早赶个晚集”，提升中国原创技术自主品牌的国际竞争力，已经成为迫在眉睫的重要课题。
2016-03-08 10:52:292766 100 V GaN FET 在 48 V 汽车和服务器应用以及 USB-C、激光雷达和 LED 照明中很受欢迎。然而，小尺寸和最小的封装寄生效应为动态表征这些功率器件带来了多重挑战。本文回顾了GaN半导体制造商在表征这些器件方面面临的挑战，以及一些有助于应对这些挑战的新技术。
2022-10-19 17:50:34794 
硅MOSFET功率晶体管多年来一直是电源设计的支柱。虽然它们仍然被广泛使用，但是在一些新设计中，氮化镓（GaN）晶体管正在逐渐替代MOSFET。GaN技术的最新发展，以及改进的GaN器件和驱动器电路
2017-05-03 10:41:53
，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
（MOSFET）是在20世纪70年代末开发的，但直到20世纪90年代初，JEDEC才制定了标准。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格认证对GaN晶体管而言意味着什么。 标准滞后于技术的采用，但标准无需使技术可靠
2018-09-10 14:48:19
半导体材料可实现比硅基表亲更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，这些功能使得在各种电源应用中减少重量，体积和生命周期成本成为可能。 Si，SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
随着电子技术的不断发展，静电防护技术不断提高，无论是在LED器件设计上，还是在生产工艺上，抗ESD能力都有明显的进步，但是，GaN基LED毕竟是ESD敏感器件，静电防护必须渗透到生产全过程
2013-02-19 10:06:44
要求，但无法达到必需的生产规模和成本，与传统技术相比，其成本要高出5 到 10倍，碳化硅衬底的加工成本即使在其进入大规模生产阶段仍然会十分高昂。然而，在新的一年中，当GaN器件从传统的 4 英寸化合物
2017-04-05 10:50:35
方向、提升了效率，以及具有更小的外形尺寸等优点。除开在烹饪的应用，让我们一起看看GaN技术的其他应用以及MACOM硅上GaN 技术的独特优势吧！其他应用除了烹饪行业之外，固态射频能量器件也将在工业干燥
2017-05-01 15:47:21
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
硅-硅直接键合技术主要应用于SOI、MEMS和大功率器件，按照结构又可以分为两大类：一类是键合衬底材料，包括用于高频、抗辐射和VSIL的SOI衬底和用于大功率高压器件的类外延的疏水键合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
都能方便地沟通、交易、旅行、获取信息和参与娱乐活动。其技术提高了移动互联网的速度和覆盖率，让光纤网络得以向企业、家庭和数据中心传输以前无法想象的巨大通信量。与很多公司的氮化镓采用碳化硅（SiC）做衬底
2017-08-29 11:21:41
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
C++在嵌入式应用中的机遇与挑战是什么？什么是MISRA C++？
2021-04-28 06:25:22
本文将从系统角度讨论DVB-H接收器设计所面临的机遇和挑战，并重点介绍射频前端。
2021-06-02 06:35:29
，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
的成本，这将对MACOM的Si基GaN技术更有利，因为以SiC为衬底的产品Wafer尺寸本身就小，产能上更难有大规模量产的保证。在展会现场，集微网记者看到了MACOM针对5G MIMO的一款8x8的射频
2017-05-23 18:40:45
，尤其是2010年以后，MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场，如今的MACOM拥有包括氮化镓（GaN）、硅锗（SiGe）、磷化铟（InP）、CMOS、砷化镓等技术，共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化镓技术。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上，MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫表示，硅衬底有一些优势，材料便宜，散热系数好。且MACOM在高性能射频领域
2017-07-18 16:38:20
在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中，一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。 相较于以往使用的硅晶体管，氮化镓 (GaN) 可以让全新的电源应用在同等的电压
2018-09-11 14:04:25
作者： Steve Tom在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中，一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。相较于以往使用的硅晶体管，氮化镓 (GaN) 可以让
2018-09-10 15:02:53
解决的问题，以开发适用于 III 族氮化物外延的 GaN 衬底的表面处理。 1. 介绍 单晶体 GaN 衬底是最有希望替代蓝宝石衬底的候选者之一，蓝宝石衬底常用于 III 族氮化物器件，如发光二极管 (LED
2021-07-07 10:26:01
，GaN-on-Si 将实现成本结构和使用现有大直径晶圆厂的能力，这将是一个很大的优势。由于硅是一种导电基板，因此在处理基板电位以及它与功率器件相互作用的方式方面带来了额外的挑战。第一个具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
识别、自动驾驶、金融等领域获得了成功应用。如何将人工智能技术应用在芯片设计自动化（EDA）领域是近年来的热门话题。本次直播将从数据、算法、应用场景等方面讨论人工智能技术为EDA带来的新机遇，包括AI
2023-01-17 16:56:03
认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色！帅呆了！至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN之间有什么区别？
2019-07-31 07:54:41
什么是GaN？如何面对GaN在测试方面的挑战？
2021-05-06 07:52:03
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
掺杂N型和P型杂质来改变其功函数，从而调节器件的阈值电压。因为MOS器件的阈值电压由衬底材料和栅材料功函数的差异决定的，多晶硅很好地解决了CMOS技术中的NMOS和PMOS阈值电压的调节问题。如图
2018-11-06 13:41:30
基础设施和移动电话则需要更小巧、更低成本的超模压塑料封装，才可与采用塑料封装的现有硅基LDMOS 或GaAs 器件竞争。同样，移动电话注重低成本模块，包括与其他技术组合的GaN，其与目前的产品并无二致，但也
2017-07-28 19:38:38
)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm
2010-04-22 11:32:16
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
频率和更高功率密度的开发人员更是如此。RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术，由于其相对于硅材料所具有的优势，这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在这篇文章中，我们将比
2019-07-12 12:56:17
。”Higham说，“这意味着覆盖系统的全部波段和频道只需要更少的放大器。”氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的三五价半导体材料，LDMOS（横向扩散MOS技术）是基于硅
2016-08-30 16:39:28
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路
2012-01-12 10:47:00
来看，基站功率放大器主要采用基于硅的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术。然而，越来越苛刻的要求逐渐暴露出LDMOS的局限性，并导致众多供应商在高功率基站功率放大器技术方面转向了氮化镓(GaN
2018-12-05 15:18:26
的机遇和挑战等方面，为从事宽禁带半导体材料、电力电子器件、封装和电力电子应用的专业人士和研究生提供了难得的学习和交流机会。诚挚欢迎大家的参与。1、活动主题宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用2
2017-07-11 14:06:55
本文主要探讨汽车电子系统市场中一个重要的增长领域，即在目前和未来几代汽车中大量涌现的 LED 照明。这一新的照明领域给汽车电子产品的设计师和制造商都带来了新挑战。理解这些挑战的本质并找到可行的解决方案非常重要，因为与这些照明系统有关的增长看来是无穷无尽的。
2021-05-18 06:58:48
智能LED灯泡设计的好点子智能LED设计的挑战有哪些如何选择正确的模块解决方案
2021-03-16 12:59:10
`在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中，一些TI全球顶尖人才正在探讨当前最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。海上风车农场、建筑物上的太阳能面板以及电动汽车充电站都是为世界提供电能的众多
2014-08-25 15:59:05
能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80%的能源，而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
的市场行情比2008年经济危机时的行情有过之而无不及。面对分销商间竞争的白热化，利润空间越来越小，市场行情的冲击，分销商应该做些什么呢?应该采取怎样的分销策略来应对当前的危机呢?是机遇还是挑战？ 2
2011-08-19 19:40:47
，这对于很多高压应用都是一项显著的优势。当然，一项已经持续发展60年的技术不会一夜之间被取代，但经过多年的研究、实际验证和 可靠性测试，GaN定会成为解决功率密度问题的最佳技术。德州仪器已经在高于硅材料
2020-10-27 10:11:29
LED衬底目前主要是蓝宝石、碳化硅、硅衬底三种。大多数都采用蓝宝石衬底技术。碳化硅是科锐的专利，只有科锐一家使用，成本等核心数据不得而知。硅衬底成本低，但目前技术还不完善。 从LED成本上来看，用
2012-03-15 10:20:43
工艺，确立了硅表面MEMS加工工艺体系。表面硅MEMS加工技术的关键工艺有哪些？1、低应力薄膜技术表面硅MEMS加工工艺主要是以不同方法在衬底表面加工不同的薄膜，并根据需要事先在薄膜下面已确定的区域
2018-11-05 15:42:42
快速提高。 当前面临的主要挑战在于LED光源价格在不断下降，但驱动电子技术并没有很大的革新，价格一直居高不下，成本上有压力。其次，由于LED照明多采用电流驱动模式，而现有的调光器多是电压调光，所以在
2016-12-16 18:42:52
面对3G的到来，本文从现代移动通信及技术体制、发展机遇、面临挑战等方面对3G进行了简要分析，以期对3G的发展形成全面客观的认识和了解。关键词：信息化；移动通信；第
2009-12-14 16:37:39
17 LED控制卡为汽车LED照明带来了新的机遇和挑战
在过去的十年里，汽车电子产品有了突飞猛进的发展，车载电子控制、车载信息服务以及娱乐系统不管是在数量上还是在
2009-12-16 10:39:02526 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学
2010-06-07 11:27:281388 
LED衬底材料有哪些种类
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要
2011-01-05 09:10:254039 利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移
2011-04-14 13:29:3429 目前市场上LED用到的衬底材料有蓝宝石、碳化硅SiC、硅Si、氧化锌 ZnO、 以及氮化镓GaN，中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石，而就全球範围来看，蓝宝石衬底的LED市场份额也占到95%以上
2012-11-28 09:22:542067 南昌大学江风益团队成功研发硅衬底LED技术，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。这项高新技术和成功产业化，获得了2015年度国家技术发明奖一等奖，硅衬底时代随即到来。
2016-05-11 16:38:431971 Felix Ejeckam于2003年发明了金刚石上的GaN，以有效地从GaN晶体管中最热的位置提取热量。其基本理念是利用较冷的GaN放大器使系统更节能，减少浪费。金刚石上的GaN晶片是通过GaN
2018-07-26 17:50:4814551 显示技术。作为全球硅衬底GaN基LED技术的领跑者，晶能光电最近也将目光投向了Micro LED。
2018-08-27 17:37:127087 过去的一年，包括AR、VR这些智能穿戴的应用，对高分辨率的微型显示带来了一些需求，催生了新型显示技术的发展。随着LED芯片微缩化的发展，MiniLED、MicroLED成为行业热点，并给LED产业发展带来了新的机遇和挑战。
2019-01-23 10:06:166883 对led芯片产业有所了解的朋友应该知道，GaN和SiC这些化合物半导体曾经被推广到led芯片当作衬底，而Cree作为当中的领头羊，在这些领域都有很深入的研究和积累。虽然led市场吸引力不再，但这些技术在功率电子和射频领域看到了很大的成长空间。
2019-05-07 16:04:316990 
LED衬底材料是半导体照明产业的基础材料，其决定了半导体照明技术的发展路线。目前，能作为LED衬底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最广泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033717 目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线，一是在自支撑Ga N衬底上制作垂直导通型器件的技术路线，另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。
2019-08-01 15:00:037276 
目前，LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅（Si）、碳化硅（SiC）衬底材料以外，氧化锌（ZnO）和氮化镓（GaN）等也是当前LED芯片研究的焦点。
2019-10-04 17:35:001111 
11月22日，2019年新当选科学院院士名单正式公布。硅衬底LED技术发明人、晶能光电创始人、南昌大学副校长江风益教授赫列其中，这是国家对其科学成就的最高荣誉，也是继硅衬底LED技术获得2015年国家技术发明奖一等奖以来，我国LED照明领域的又一件大喜事。
2019-11-23 10:57:432741 科技半导体公司提出的GaN基复合衬底技术，结合企业自身的LED芯片技术，在大大提高LED出光效率的同时，还能大幅降低高端LED芯片的生产成本，改进现有LED的产业链结构，同时该技术还可扩展应用到GaN功率器件和MicroLED领域。
2020-04-17 16:37:573363 
据报道，武汉大学的研究团队近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）衬底来降低氮化镓接合边界失配问题的方法，提出PSSA衬底可提高铟氮化镓、氮化镓（InGaN/GaN）倒装芯片可见光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793 我国GaN产品逐步从小批量研发、向规模化、商业化生产发展。GaN单晶衬底实现2-3英寸小批量产业化，4英寸已经实现样品生产。GaN异质外延衬底已经实现6英寸产业化，8英寸正在进行产品研发。 GaN材料应用范围仍LED向射频、功率器件不断扩展。
2020-12-23 15:15:092321 本文将着眼于AI技术从研究到部署的落地问题，分享超分辨技术在RTC领域落地应用所面临的机遇与挑战。
2021-01-07 09:45:002791 介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术，分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术，提供了
2021-04-21 09:55:203871 
而此次他们通过实验证明，该技术同样适用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工艺进行减薄，该技术可显著降低 GaN 衬底的消耗。
2022-05-12 10:45:553527 Micro LED被誉为新时代显示技术，但目前仍面临关键技术、良率、和成本的挑战。 微米级的Micro LED已经脱离了常规LED工艺，迈入类IC制程。相对其它竞争方案，大尺寸硅衬底氮化镓（GaN
2022-08-17 12:25:421138 制造大直径GaN衬底的要点（钠熔剂法） 丰田合成表示，6英寸功率半导体氮化镓衬底的研发得益于早期LED氮化镓衬底技术的积累。
2022-11-18 12:33:261758 近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中。
2022-12-02 11:43:46473 相比于横向功率电子器件，GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度/晶圆利用率、更好的动态特性、更佳的热管理，而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率电子器件吸引了国内外众多科研团队的目光，近些年已取得了重要进展。
2022-12-15 16:25:35754 作为国家虚拟现实创新中心入局者，晶能光电利用自主创新的硅衬底GaN基LED技术，承担硅衬底Micro LED的关键共性技术开发。
2023-02-15 10:53:39260 作为国家虚拟现实创新中心入局者，晶能光电利用自主创新的硅衬底GaN基LED技术，承担硅衬底Micro LED的关键共性技术开发。
2023-02-21 11:00:20245 GaN-on-Si LED技术是行业梦寐以求的技术。首先，硅是地壳含量第二的元素，物理和化学性能良好，在大尺寸硅衬底上制作氮化镓LED的综合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:16886 Micro LED新型显示具有巨大市场前景，也面临着一系列技术挑战。选择合理的产业化路线对推动Micro LED应用落地非常关键。
2023-04-26 10:16:371460 HVPE（氢化物气相外延法）与上述两种方法的区别还是在于镓源，此方法通常以镓的氯化物GaCl3为镓源，NH3为氮源，在衬底上以1000 ℃左右的温度生长出GaN晶体。
2023-06-11 11:11:32277 衬底材料和GaN之间纯在较大的晶格失配和热失配，外延层中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在较强电流崩塌效应，影响器件的性能发挥。
2023-06-14 14:00:551654 
GaN半导体产业链各环节为：衬底→GaN材料外延→器件设计→器件制造。其中，衬底是整个产业链的基础。 作为衬底，GaN自然是最适合用来作为GaN外延膜生长的衬底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
生长氮化镓薄膜，形成GaN基础器件的结构。由于氮化镓材料的性质优良，GaN技术被广泛应用于LED、高频功率放大器、射频器件等领域。
2023-08-22 15:17:312379 2023年9月，第三届紫外LED国际会议暨长治LED发展推进大会在长治隆重召开，国内外专家云集，深入交流紫外LED最新技术进展与发展趋势。晶能光电外延工艺高级经理周名兵受邀作《硅衬底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:285752 一、引言 随着科技的快速发展，语音识别技术成为了人机交互的重要方式。然而，尽管语音识别技术在某些领域已经取得了显著的进步，但在实际应用中仍然存在许多挑战和机遇。本文将探讨语音识别技术的现状、面临
2023-09-20 16:17:19277 一、引言 语音识别技术是一种将人类语言转化为计算机可理解数据的技术。随着科技的不断发展，语音识别技术面临着诸多挑战，同时也带来了许多机遇。本文将探讨语音识别技术的挑战与机遇。 二、语音识别技术的挑战
2023-10-10 17:10:59467 硅衬底GaN材料在中低功率的高频HEMT和LED专业照明领域已经实现规模商用。基于硅衬底GaN材料的Micro LED微显技术和低功率PA正在进行工程化开发。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架构尚处于早期研究阶段。
2023-10-13 16:02:31317 
一、引言 随着科技的不断发展，语音识别技术得到了广泛应用。然而，语音识别技术在发展过程中面临着许多挑战，同时也带来了许多机遇。本文将再探讨语音识别技术的挑战与机遇。 二、语音识别技术的挑战 1.噪声
2023-10-18 16:56:20368 GaN的驱动电路有哪些挑战？怎么在技术上各个突破？GaN驱动电路有哪些设计技巧？ GaN（氮化镓）是一种新型的半导体材料，相比传统的硅材料，具有更高的电子迁移率和能力，因此在功率电子领域有着广泛
2023-11-07 10:21:44513 GaN性能优异，在光电子、微电子器件应用广泛，发展潜力巨大；进一步发展，需提升材料质量，制备高质量氮化镓同质衬底。
2023-12-09 10:24:57716 报告内容包含：
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 
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