晶能光电硅衬底UVA LED 产品性能处于行业先进水平

2023年9月，第三届紫外LED国际会议暨长治LED发展推进大会在长治隆重召开，国内外专家云集，深入交流紫外LED最新技术进展与发展趋势。晶能光电外延工艺高级经理周名兵受邀作《硅衬底GaN基近紫外LED技术开发及应用》的报告，介绍了硅衬底GaN基紫外LED的的技术特点以及应用新方向。

紫外LED主要分为：UVA LED(320nm-410nm)，UVB(280nm-320nm),UVC(200nm-275nm)。在目前的紫外LED市场中，UVA LED占有高达90%的份额，主要应用领域包括UV胶水、薄膜、油墨等涂料的光固化、生物诱导、空气净化等等。和蓝光LED一样，UVA LED也是基于InGaN多量子阱垒有源区。但随着UVA波长变短，量子阱内的In组分急剧降低，依赖于In富集效应的光电转换效率会快速递减，而且还面临芯片内近紫外光吸收损失、老化光衰大、抗静电能力差等问题。

晶能光电充分拓展了硅衬底垂直LED芯片衬底易剥离、出光效率高等优势，推出了高光效、抗静电能力强、高可靠性的UVA LED芯片系列。在外延方面，基于原创的硅衬底GaN技术，采用了创新的复合应力调控和位错湮灭结构，生长高质量、低吸光的 nAlGaN电流扩展层。针对UVA LED对非辐复合中心浓度更敏感的特点，开发了载流子高局域化、低应变状态的量子阱垒结构。突破了高Al组分材料中空穴浓度低的瓶颈，并导入独特的Mg原子逆扩展阻挡技术，提升空穴注入效率，降低芯片电压，进一步改善了光衰。芯片方面，晶能光电利用硅衬底湿法无损剥离的优势，结合高反射率的ODR结构、选择性粗化技术、和高可靠性的钝化工艺，成功实现了高良率、高取光效率的垂直结构硅衬底UVA LED芯片量产。

目前，晶能光电硅衬底UVA LED 产品最大功率可超过1000mW@500mA, 1000小时光衰小于5%，抗静电能力超过2000V，性能处于行业先进水平。同时，运用自主的封装技术，晶能光电可向客户提供不同角度和功率的UVA LED封装产品，市场出货量居国内前列。

近几年来，晶能光电积极开拓近紫外LED的创新应用场景，开发了UVA LED光催化模组，与白色家电、家居厨柜等客户定制化开发，进入空气净化和杀菌领域。

新能源汽车产业中的固化应用，特别是电动汽车的关键组件——电池组，UVA LED固化光源能够快速、均匀地固化电池粘合剂，提高电池的一致性和稳定性，从而确保新能源汽车的安全性能，晶能光电在这一领域将会定制化开发适配的产品。

同时，晶能光电还在推进大尺寸硅衬底UVA Micro LED结合量子点QD技术，为实现Micro LED全彩化探索解决路径。

审核编辑：彭菁