英特尔展示封装创新路径：提高良率、稳定供电、高效散热

为了推动AI等创新应用落地，使其惠及更广大的用户，需要指数级增长的算力。为此，半导体行业正在不断拓展芯片制造的边界，探索提高性能、降低功耗的创新路径。

在这样的背景下，传统上仅用于散热和保护设备的封装技术正在从幕后走向台前，成为行业热门趋势。与传统的封装技术不同，先进封装技术可以在单个设备内集成不同厂商、不同制程、不同大小、不同功能的芯片，从而为打造功能更强大、能效比更高的系统级芯片（SoC），带来了全新的可能性。

英特尔一直致力于将处理器、加速器和存储器等各种各样的芯片堆叠起来，组合到更大规模的封装中，帮助客户让产品性能“更上一层楼”。在2025 IEEE电子器件技术大会（ECTC）上，英特尔分享了其封装技术的最新进展，这一大会由IEEE（电气电子工程师学会）电子封装协会主办，聚焦于封装、器件和微电子系统的科研、技术与教育，是封装领域的国际顶会。

具体而言，英特尔在封装领域的三大关键技术路径包括：提高封装的良率，确保供电稳定可靠，以及通过有效的热管理技术实现散热。

EMIB-T：稳定供电

英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术已经投入生产，突破了光罩尺寸的限制，实现了多芯片之间的高速互联。此外，通过硅通孔（TSV）技术，EMIB-T 优化了供电效率，并为集成高速HBM4，以及基于UCIe标准的芯粒提供了简便的解决方案。

热压键合：提高良率

随着封装尺寸越来越大，集成多芯片的复杂程度也在同步提升。英特尔计划通过探索高精度、大光罩热压键合（TCB）的先进工艺来提高良率和可靠性。

分解式散热器：高效散热

随着封装变得越来越复杂，尺寸也越来愈大，热设计功耗（TDP）也在不断增加。为应对散热层面的挑战，英特尔正在研发全新的分解式散热器技术，以及新一代热界面材料。这些创新可以更有效地将热量从热源传递到散热器的各个部分，进而提升整体的散热效率。