Power Integrations今日推出适合额定电压750V IGBT的汽车级SID1181KQSCALE-iDriver门极驱动器。继推出1200V SID1182KQ驱动器IC之后，新器件
2020-01-24 09:42:00
2938 ：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2000 V至3300 V交流电压的中压变频器（MVD）与交通运输应用的格局。这款新半导体器件将给诸多应用带来裨益，包括大型传送带、泵、高速列车、机车以及商用、
2024-01-02 16:25:23527 
这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动器可与基于SiC的高压电源模块搭配使用，从而简化并加快系统集成 万物电气化推动了碳化硅 （SiC）技术在交通、电网和重型汽车等中高
2024-03-01 16:57:54318 系统。因此，对3.3kV等级的IGBT模块驱动电路进行研究十分有意义。目前，市场上专业驱动器生产厂商有相关配套驱动器产品提供给客户选择，但是做为一款广泛应用的模块产品，很有必要做更深入的细节分析
2018-12-06 10:06:18
。IGBT驱动电路的选择 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用，在实际使用中除IGBT自身外，IGBT 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择
2012-07-25 09:49:08
IGBT 102变压器隔离驱动模块原理图纸 我公司中频电源用变压器隔离驱动模块原理图纸，采用变压器隔离比光耦有完全隔离的优势。u 单管大功率 IGBT 模块驱动器。变压器信号耦合，延迟小，工作频率高
2013-01-17 13:54:30
接入驱动器电路板，实现气密连接。如需要，Press-FIT接头也可灵活地使用焊接工艺。在模块的内部，功率端子和辅助端子采用超声波焊接方式与DCB连接。已有文章详细说明了超声焊接端子在可靠性和性能方面
2018-12-07 10:23:42
IGBT在国外列车供电系统中的应用与发展 最初，德国将300A/1200VIGBT构成几百千伏安的逆变器，取代了工业通用变频器中的双极型晶体管，用于网压为750V的有轨电车上。之后不久，德国和日本又将
2012-06-01 11:04:33
世纪90年代初进入实用化。近几年来，功率IGBT模块散热器的性能提高很快，额定电流已达数百安培，耐压达1500V以上，而且还在不断提高。由于IGBT器件具有PIN二极管的正向特性，P沟功率IGBT模块
2012-06-19 11:17:58
概述：TA8316S是日本东芝株式会社出品的一款IGBT门驱动器，以驱动IGBT大功率管G极工作，一般常用作于电磁炉等电器驱动电路中。它采用SDIP 7引脚封装工艺，具体外观如下图所示。
2021-04-07 07:23:48
：POWI）今日推出适用于流行的“新型双通道”100mm x 140mm IGBT模块的SCALE-iFlex™ Single门极驱动器。这款紧凑型新驱动器支持耐压在3.3kV以内的模块，现可随时供货
2021-09-09 11:00:41
面积小（可实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小。 主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。 2. 标准化导通电阻 SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-04-09 04:58:00
。这些设计平台目 前针对战略客户而推出，代表了驱动新一代SiC/GaN功率转换器 的完整IC生态系统的最高水准。设计平台类型众多，既有用于 高电压、大电流SiC功率模块的隔离式栅极驱动器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项，在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项：栅极误导通首先需要了解的是：接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管）等少数载流子器件（双极型器件），但是却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。SiC材料却能够以高频器件结构的多数
2019-07-23 04:20:21
本文探讨了功率半导体在具有通用架构的低压驱动器中的使用。前端也称为线路侧转换器，将交流电压转换为直流电压并将其提供给直流母线。根据工作方案，二极管、晶闸管甚至IGBT可用于此应用。通常可以使用日立
2023-02-22 16:58:24
IGBT门极驱动器能够在太阳能和风力发电应用中，为Mitsubishi生产的New Mega Power Dual IGBT模块提供高效的驱动。该驱动器具有较高的集成度和优越的抗EMI性能，便于实现紧凑且高可靠性的功率变换器设计，是一种灵活且即时可用的解决方案。
2019-04-20 16:13:50
新一代SiC/GaN功率转换器的完整IC生态系统的最高水准。设计平台类型众多，既有用于高电压、大电流SiC功率模块的隔离式栅极驱动器板，也有完整的交流/直流双向转换器，其中ADSP-CM419F的软件在
2018-10-22 17:01:41
FOD8342TR2是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速
2022-01-17 09:31:39
功率晶体管组成，如双极型晶体管、 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型无刷直流电机或步进电机应用中， MOSFET驱动器可用来直接驱动电机。 不过，在本应用笔记中，我们需要的电压和功率较 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11:40
本帖最后由 Sillumin驱动 于 2021-12-20 14:28 编辑
NCV7721D2R2G是一款完全受保护的双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。两个半桥驱动器具有独立
2021-12-20 14:28:27
应用中使用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。 该光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定功率高达800 V / 50 A的IGBT。对于
2019-10-30 15:23:17
700VDC以上。另一方面，由于系统回路内杂散电感的存在，在功率器件开关时会在模块主端子上产生尖峰电压，因此在传统的APS系统中不得已采用1.7kV的混合SiC模块，该模块由普通IGBT和SiC SBD组成
2017-05-10 11:32:57
Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔离式栅极驱动器。这些驱动器的电隔离装置体积小巧，可集成到驱动器芯片
2021-01-22 06:45:02
栅极驱动器的 +16V/-8V 电压，能够通过具有外部 BJT/MOSFET 缓冲器的单极或双极电源为栅极驱动器供电可针对反相/非反相工作情况配置栅极驱动器输入可选择通过如下方式评估系统：栅极驱动器和 IGBT 之间的双绞线电缆栅极和发射极之间的外部电容
2018-12-27 11:41:40
隔离门驱动器在许多系统中的电力传输扮演着重要角色。对此，世强代理的高性能模拟与混合信号IC厂商Silicon Labs推出可支持高达5KV隔离额定电压值的ISO driver隔离驱动IC Si823x。有谁知道这款业界最佳单芯片隔离驱动器解决方案到底有多厉害吗？
2019-08-02 06:37:15
，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图
2012-06-19 11:36:58
使用隔离式IGBT和SiC栅极驱动器的HEV/EV牵引逆变器设计指南
2022-11-02 12:07:56
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等IGBT的比较。左图
2018-11-27 16:37:30
本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械
2010-05-04 08:07:47
℃，最大结温提高至150℃，电流输出能力可提高50%以上。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。关键词:具备更强机械性能高功率IGBT模块3.3kV IGBT3芯片技术[中图分类号] ？？[文献
2018-12-03 13:51:29
描述PMP10654 参考设计是适用于单个 IGBT 驱动器偏置的双路隔离式输出 Fly-Buck 电源模块。两个电压轨适合向电动汽车/混合动力汽车和工业应用的电机驱动器中的 IGBT 栅极驱动器
2018-12-21 15:06:17
驱动半桥配置中的并联 IGBT。并联 IGBT 在栅极驱动器级（驱动强度不足）以及系统级均会带来挑战：难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式
2018-12-07 14:05:13
，形成最简单的大功率igbt驱动保护电路;也可以自己配上一些外围电路形成多功能型驱动器。 单一功能型的大功率igbt驱动保护电路的最大优点是应用灵活、成本较低。它既可以应用于诸如斩波、boost等
2012-12-08 12:34:45
，另一个要考虑的重要因素是其驱动器的设计是否合理与可靠。igbt驱动器作为功率电路和控制器之间的接口电路，对系统的功耗和可靠性等方面有着极大的关联，一个优化的驱动器在功率变换系统中是不可或缺的，选择适当
2021-04-20 10:34:14
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
几十年来最迅速的进展。例如，新的符合AEC车规的ASPM 27三相智能功率模块(IPM)，集成了驱动器、IGBT和二极管，提供一种更小、更可靠的方案，增强了热性能，用于诸如汽车空调(HVAC)系统、电动油泵
2018-10-30 09:06:50
达 600 Vac 的低压驱动器适用于额定电流高达 1000 A 且 Qg 高达 10 uC 的中等功率 IGBT 模块双极性（+15 V 和 -8 V）闸极驱动器电压通用 MOSFET 尺寸让用户能
2018-09-04 09:20:51
、氧化铍瓷片和散热片。在积木单元的上部，则通过表面贴装将控制电路、门极驱动、电流和温度传感器以及保护电路集成在一个薄绝缘层上。IPEM 实现了电力电子技术的智能化和模块化，大大降低了电路接线电感、系统噪声
2019-03-03 07:00:00
的10.2kVAC隔离功能。驱动器内核的主要功能是实现控制信号传输、集电极-发射极饱和电压短路保护和故障输出。有源适配器电路板负责提供驱动门极所需要的峰值电流。 图11 3.3kV驱动级的功能图6 IPOSIM仿真
2018-12-06 10:05:40
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成的类型，也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比，开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中，Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极型晶体管 (IGBT) 闸极驱动器所需的隔离式正负电压轨。IGBT 在变频驱动器的三相逆变器中用于控制交流电机的转速。此参考设计使用推挽式
2018-09-20 08:49:06
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
承受高达60V电源尖峰脉冲、±1kV浪涌脉冲，以及高达12kV ESD冲击，工作在-40°C至+125°C宽温工作范围。本文中，我们讨论如何有效利用MAX14912/MAX14913输出驱动器的不同特性
2019-07-23 06:48:24
将减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
频率将减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
SI82XX-KIT，Si8235评估板，2输入，4 A，5 kV双ISO驱动器。该板包括用于普通表面贴装的焊盘和通孔封装的FET / IGBT功率晶体管。该板还包括用于额外原型设计的补丁区域，可用于满足设计人员可能需要评估的任何负载配置
2020-06-17 14:37:29
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
描述该适用于汽车辅助电路的电源参考设计可以通过 40V 至 1kV 的宽输入范围和高达 1.2kV 的瞬态电压生成 15V、4A 输出。该设计非常适合 800V 电池驱动的混合动力电动汽车 (HEV
2018-10-15 14:56:46
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
输出不能和IGBT栅极直接相连时，应使用双绞线连接(2转/cm); e.栅极保护，箝位元件要尽量靠近栅射极。 1.7隔离问题 由于功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个
2016-11-28 23:45:03
输出不能和IGBT栅极直接相连时，应使用双绞线连接(2转/cm); e.栅极保护，箝位元件要尽量靠近栅射极。 1.7隔离问题 由于功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个
2016-10-15 22:47:06
。PEBB并不是一种特定的半导体器件，它是依照最优的电路结构和系统结构设计的不同器件和技术的集成。除了包括功率半导体器件外，还包括门极驱动电路、电平转换、传感器、保护电路、电源和无源器件。PEBB有
2017-05-25 14:10:51
通过表面贴装将控制电路、门极驱动、电流和温度传感器以及保护电路集成在一个薄绝缘层上。IPEM实现了电力电子技术的智能化和模块化，大大降低了电路接线电感、系统噪声和寄生振荡，提高了系统效率及可靠性
2017-11-07 11:11:09
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率
2023-02-15 11:19:05
NCV57001FDWR2G是一款具有简化的软的−转动−关闭时间适合驱动大型IGBT或电源模块。是一个高性能的传感器−电流型单通道IGBT驱动器内部电流隔离，设计用于高系统效率和高功率应用的可靠性
2022-01-06 09:53:36
电子书“IGBT 和 SiC 栅极驱动器基础知识”
2022-10-25 17:20:12
IGBT模块作为汽车电驱系统最常昂贵的开关元件。IGBT同时具有功率MOSFET导通功率小及开关速度快的性能，以及双极型晶体管饱和压降低（导通电阻小）高电压和大电流处理能力的半导体元件
2023-03-23 16:01:54
，UCC21520-Q1。 实现高效率、高功率密度和。 鲁棒性在各种电力应用中。UCC21520QDWRQ1Texas Instruments18+17080 门驱动器 Automotive 4A/6A
2018-08-01 09:29:40
主要特点•单通道隔离IGBT驱动程序•600 V/1200 V IGBTs•铁路到铁路输出的典型峰值电流高达6•积极米勒夹产品亮点•电隔离无芯变压器驱动器·输入电压工作范围宽•适合在高环境温度下操
2018-08-02 09:39:35
电极-发射极电流与几乎零栅流驱动器。典型的 IGBT绝缘栅双极性晶体管，即 IGBT，结合了 MOSFET 的绝缘栅(因此得名第一部分)技术和传统双极性晶体管的输出性能特性，因此得名第二部分。这种混合
2022-04-29 10:55:25
和SCALE-2芯片集的IGBT门极驱动: CONCEPT高压IGBT门极驱动- 3,3kV 和4,5kV- 6,5kV: 如何为你的IGBT模块选择合适的CONCEPT IGBT 门极驱动-选择合适的门极电阻
2018-12-14 09:45:02
如何实现IGBT模块的驱动设计？在设计驱动电路时，需要考虑哪些问题？IGBT下桥臂驱动器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上桥臂驱动器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
功率MCU，分立器件和功率器件的领先公司。为了追求卓越和高品质的产品，罗姆已经垂直整合了其碳化硅供应链。SiC MOSFET，SBD，模块和栅极驱动器产品组合已在Bodo的Power杂志（2015年4
2019-10-25 10:01:08
钳位(以防止寄生米勒电容造成的IGBT误触发)。 2、请问：如何避免米勒效应?谢谢! IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到 15 V类型的门极驱动器(单电源
2018-11-05 15:38:56
`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极型晶体管 (IGBT) 闸极驱动器所需的隔离式正负电压轨。IGBT 在变频驱动器的三相逆变器中用于控制交流电机的转速。此参考设计使用推挽
2015-03-23 14:35:34
`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极型晶体管 (IGBT) 闸极驱动器所需的隔离式正负电压轨。IGBT 在变频驱动器的三相逆变器中用于控制交流电机的转速。此参考设计使用推挽
2015-04-27 17:31:57
此参考设计是一个用于 IGBT/SiC 隔离式栅极驱动器的 4.2W、单通道、汽车 12V 电池输入反激式偏置电源。该电源可接受 4.5V 至 65V 直流的宽输入范围。输出可在负载高达 180mA
2010-04-12 16:23:12
22 日前，碳化硅（SiC）技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。
2015-09-06 17:39:111336 带逆阻型IGBT的三电平NPC-2功率模块的门极驱动器应用
2017-02-28 23:14:222 1月31日，三菱电机株式会社宣布已成功开发出6.5kV耐压等级全SiC功率半导体模块，该模块采用单芯片构造和新封装，实现了世界最高功率密度的额定输出功率。
2018-02-03 11:52:448596 对于更紧凑的纯SiC/GaN应用，新型隔离式栅极驱动器ADuM4121是解决方案。该驱动器同样基于ADI公司的iCoupler数字隔离技术，其传播延迟在同类器件中最低 (38 ns)，支持最高开关
2018-05-24 17:24:387790 
耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模块。该系统由一个中央绝缘主控制(IMC)和一到四个模块适配型门极驱动器(MAG)组成。IMC提供4.5 kV
2019-07-02 16:57:324824 Power Integrations最新的SCALE-iFlex™门极驱动器系统可轻松实现业界最新的耐受电压介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET双通道功率模块的并联。
2019-08-01 16:06:132439 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations推出适合额定电压750V IGBT的汽车级SID1181KQ SCALE-iDriver™门极驱动器。继推出1200V SID1182KQ驱动器IC之后，新器件扩展了公司的汽车级驱动器IC的范围。
2020-01-16 09:31:002754 等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。新的门极驱动器基于Power Integrations广泛使用的SCALE-2芯片组设计而成，非常适合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性应用。
2020-03-05 14:27:583783 “ 适合4500V模块的灵活、强大且可靠的IGBT门极驱动器中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出1SP0351
2020-03-08 10:27:072135 Power Integrations今日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块
2022-05-10 19:30:484040 就在德国纽伦堡PCIM Europe展会的最后一天，Power Integrations(PI)在线上举办新品沟通会，PI资深技术培训经理Jason Yan讲解了一个汽车级IGBT/SiC(碳化硅
2022-05-17 11:56:293551 众所周知，在所有工业控制系统中，变频驱动器(VFD)和IGBT逆变器通常安装在电动机的前端，以调节速度并节省能源。根据不同的输入电压要求，逆变器通常分为低压(110V、220V、380V等)、中压(690V、1140V、2300V等)或高压(3KV、3.3KV、6KV、6.6KV、10KV等)。
2023-04-15 10:09:33824 理由相信潮流正在转变。正如TechInsights在不久前发布的PCIM Europe 2023 -产品公告和亮点博客[4]文章中所讨论的那样，英飞凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模块[5]。
2023-06-03 12:30:58382 
未来对电力电子变流器的要求不断提高。功率密度和变流器效率须进一步提高。输出功率应适应不同终端客户的不同项目。同时，变流器仍需具有成本竞争力。本文展示了新型4.5kV功率模块如何在铁路、中压驱动或电力系统等应用中满足这些变流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
SiC驱动器模块具有较低的功耗、高温运行能力和快速开关速度等优势，使其在下一代功率器件中有着广阔的应用前景。SiC驱动器模块可以用于电动车的电力系统、可再生能源转换系统、工业电力电子装置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
提高4.5kV IGBT模块的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护
2023-12-14 11:37:10288 PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块
2023-12-14 15:47:04361 报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
Microchip近日宣布推出一款创新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC™栅极驱动器，该驱动器采用了Augmented Switching™专利技术，进一步扩展了其mSiC解决方案系列，为高压SiC电源模块的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32313 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224
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