制造商已经为高压直流 (HVDC) 应用开发出新的 4.5kV 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)/ 二极管芯片组并对其性能进行了优化 。
2014-10-28 17:32:25
6214 
漆服务。三防漆可防止电子元器件遭受污染物、灰尘和冷凝液等的腐蚀,从而提高系统可靠性。Power Integrations的门极驱动器出厂涂覆三防漆,生产厂商无需将板子发送至分包商进行清洗喷漆,可缩减库存成本、缩短交付周期和降低总体拥有成本。
2018-05-02 14:18:27
5870 Power Integrations门极驱动器产品高级市场总监Michael Hornkamp表示:“碳化硅MOSFET技术开启了减小尺寸和重量的大门,并且还可以降低电源系统的损耗
2019-02-27 12:46:52
4934 Power Integrations今日推出适合额定电压750V IGBT的汽车级SID1181KQSCALE-iDriver门极驱动器。继推出1200V SID1182KQ驱动器IC之后,新器件
2020-01-24 09:42:00
3701 :IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2000 V至3300 V交流电压的中压变频器(MVD)与交通运输应用的格局。这款新半导体器件将给诸多应用带来裨益,包括大型传送带、泵、高速列车、机车以及商用、
2024-01-02 16:25:23
1535 
这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动器可与基于SiC的高压电源模块搭配使用,从而简化并加快系统集成 万物电气化推动了碳化硅 (SiC)技术在交通、电网和重型汽车等中高
2024-03-01 16:57:54
1247 系统。因此,对3.3kV等级的IGBT模块驱动电路进行研究十分有意义。目前,市场上专业驱动器生产厂商有相关配套驱动器产品提供给客户选择,但是做为一款广泛应用的模块产品,很有必要做更深入的细节分析
2018-12-06 10:06:18
33V,适合驱动 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率开关。集成的 UVLO 保护确保在异常情况下输出保持在低电平。输入侧供电电压 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之间工作,支持大多数数字控制器
2025-04-03 14:23:02
。IGBT驱动电路的选择 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用,在实际使用中除IGBT自身外,IGBT 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择
2012-07-25 09:49:08
:POWI)今日推出适用于流行的“新型双通道”100mm x 140mm IGBT模块的SCALE-iFlex™ Single门极驱动器。这款紧凑型新驱动器支持耐压在3.3kV以内的模块,现可随时供货
2021-09-09 11:00:41
。这些设计平台目 前针对战略客户而推出,代表了驱动新一代SiC/GaN功率转换器 的完整IC生态系统的最高水准。设计平台类型众多,既有用于 高电压、大电流SiC功率模块的隔离式栅极驱动器板,也有完整
2018-10-30 11:48:08
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项,在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项:栅极误导通首先需要了解的是:接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍,所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此,在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
IGBT门极驱动器能够在太阳能和风力发电应用中,为Mitsubishi生产的New Mega Power Dual IGBT模块提供高效的驱动。该驱动器具有较高的集成度和优越的抗EMI性能,便于实现紧凑且高可靠性的功率变换器设计,是一种灵活且即时可用的解决方案。
2019-04-20 16:13:50
新一代SiC/GaN功率转换器的完整IC生态系统的最高水准。设计平台类型众多,既有用于高电压、大电流SiC功率模块的隔离式栅极驱动器板,也有完整的交流/直流双向转换器,其中ADSP-CM419F的软件在
2018-10-22 17:01:41
MOSFET驱动器的主要用途有哪些?MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢?
2021-11-08 06:11:40
在现代电力电子系统中,门极驱动器的性能直接影响着整个系统的效率和可靠性。SLM27526EN-DG作为一款双通道高速低边门极驱动器,以其18ns的极速传输延迟和4.5A/5.5A的非对称驱动
2025-11-18 08:19:33
SLM27526EN-DG是一款高性能双通道低边门极驱动器,专为高效驱动MOSFET、IGBT以及新兴的GaN等功率器件而设计。其具备4.5A源极和5.5A灌电流峰值驱动能力,传播延迟低至18ns
2025-08-20 08:31:00
CMTI)和完备认证,SLMi333CG-DG为工程师在电机驱动、工业电源及新能源逆变器等应用领域,提供了一款高可靠、易设计、具备出色持续运行能力的国产驱动解决方案,是大功率场景下的可靠伙伴。#SLMi333 #隔离驱动器 #门极驱动 #单通道带保护 #FOD8333
2025-08-13 08:31:37
可靠性苛求的场景。
#SLMi823x #隔离驱动器 #SLMi8233BDCG #SiC驱动 #门极驱动
2025-06-28 08:45:31
SiLM27519AD-7G 单通道低边门极驱动器。这款器件在紧凑的SOT23-5封装内,集成了出色的驱动性能与独特的设计灵活性,是高效驱动MOSFET/IGBT的理想选择,尤其适合空间受限且需要
2025-07-26 09:13:52
驱动性能、安全隔离和设计灵活性之间取得了很好平衡的隔离栅极驱动器。它特别适合那些对开关速度、系统可靠性有较高要求,并且可能需要灵活调整开关动态的应用场合。
#SiLM5350 #隔离栅极驱动器 #隔离驱动 #门极驱动
2025-11-15 10:00:15
, 18ns匹配)、高等级隔离(5kVRMS) 和 100kV/μs CMTI,成为优化半桥驱动、提升系统效率和可靠性的利器。无论是传统硅基器件还是新兴的SiC/GaN应用,在服务器电源、光伏逆变器、电动汽车
2025-07-14 09:34:01
功率管在桥式拓扑中因米勒电容效应导致的误导通,提升系统可靠性,尤其在半桥应用中至关重要。
宽电压与保护:
输出侧驱动器电源电压 (VDDA/B) 范围宽达 最高30V,适应多种功率器件需求。
输入侧
2025-08-11 08:46:08
各位朋友,今天带大家了解一款在高效电源和功率转换领域颇具竞争力的隔离驱动方案——SiLM8260A 系列双通道隔离栅极驱动器。这款芯片专为驱动 MOSFET 和 IGBT 设计,尤其适合需要
2025-07-18 09:04:23
应用中使用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。 该光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定功率高达800 V / 50 A的IGBT。对于
2019-10-30 15:23:17
700VDC以上。另一方面,由于系统回路内杂散电感的存在,在功率器件开关时会在模块主端子上产生尖峰电压,因此在传统的APS系统中不得已采用1.7kV的混合SiC模块,该模块由普通IGBT和SiC SBD组成
2017-05-10 11:32:57
栅极驱动器的 +16V/-8V 电压,能够通过具有外部 BJT/MOSFET 缓冲器的单极或双极电源为栅极驱动器供电可针对反相/非反相工作情况配置栅极驱动器输入可选择通过如下方式评估系统:栅极驱动器和 IGBT 之间的双绞线电缆栅极和发射极之间的外部电容
2018-12-27 11:41:40
,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图
2012-06-19 11:36:58
本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械
2010-05-04 08:07:47
℃,最大结温提高至150℃,电流输出能力可提高50%以上。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。关键词:具备更强机械性能高功率IGBT模块3.3kV IGBT3芯片技术[中图分类号] ??[文献
2018-12-03 13:51:29
描述PMP10654 参考设计是适用于单个 IGBT 驱动器偏置的双路隔离式输出 Fly-Buck 电源模块。两个电压轨适合向电动汽车/混合动力汽车和工业应用的电机驱动器中的 IGBT 栅极驱动器
2018-12-21 15:06:17
驱动半桥配置中的并联 IGBT。并联 IGBT 在栅极驱动器级(驱动强度不足)以及系统级均会带来挑战:难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式
2018-12-07 14:05:13
极驱动器的优势和期望,开发了一种测试板,其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现,见图3。 图3.带电压源驱动器(顶部)和电流源驱动器(底部)的半桥
2023-02-21 16:36:47
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
达 600 Vac 的低压驱动器适用于额定电流高达 1000 A 且 Qg 高达 10 uC 的中等功率 IGBT 模块双极性(+15 V 和 -8 V)闸极驱动器电压通用 MOSFET 尺寸让用户能
2018-09-04 09:20:51
、氧化铍瓷片和散热片。在积木单元的上部,则通过表面贴装将控制电路、门极驱动、电流和温度传感器以及保护电路集成在一个薄绝缘层上。IPEM 实现了电力电子技术的智能化和模块化,大大降低了电路接线电感、系统噪声
2019-03-03 07:00:00
的10.2kVAC隔离功能。驱动器内核的主要功能是实现控制信号传输、集电极-发射极饱和电压短路保护和故障输出。有源适配器电路板负责提供驱动门极所需要的峰值电流。 图11 3.3kV驱动级的功能图6 IPOSIM仿真
2018-12-06 10:05:40
将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
频率将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
描述该适用于汽车辅助电路的电源参考设计可以通过 40V 至 1kV 的宽输入范围和高达 1.2kV 的瞬态电压生成 15V、4A 输出。该设计非常适合 800V 电池驱动的混合动力电动汽车 (HEV
2018-10-15 14:56:46
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
输出不能和IGBT栅极直接相连时,应使用双绞线连接(2转/cm); e.栅极保护,箝位元件要尽量靠近栅射极。 1.7隔离问题 由于功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合,所以驱动电路必须与整个
2016-11-28 23:45:03
输出不能和IGBT栅极直接相连时,应使用双绞线连接(2转/cm); e.栅极保护,箝位元件要尽量靠近栅射极。 1.7隔离问题 由于功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合,所以驱动电路必须与整个
2016-10-15 22:47:06
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布,推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率
2023-02-15 11:19:05
NCV57001FDWR2G是一款具有简化的软的−转动−关闭时间适合驱动大型IGBT或电源模块。是一个高性能的传感器−电流型单通道IGBT驱动器内部电流隔离,设计用于高系统效率和高功率应用的可靠性
2022-01-06 09:53:36
IGBT模块作为汽车电驱系统最常昂贵的开关元件。IGBT同时具有功率MOSFET导通功率小及开关速度快的性能,以及双极型晶体管饱和压降低(导通电阻小)高电压和大电流处理能力的半导体元件
2023-03-23 16:01:54
主要特点•单通道隔离IGBT驱动程序•600 V/1200 V IGBTs•铁路到铁路输出的典型峰值电流高达6•积极米勒夹产品亮点•电隔离无芯变压器驱动器·输入电压工作范围宽•适合在高环境温度下操
2018-08-02 09:39:35
和SCALE-2芯片集的IGBT门极驱动: CONCEPT高压IGBT门极驱动- 3,3kV 和4,5kV- 6,5kV: 如何为你的IGBT模块选择合适的CONCEPT IGBT 门极驱动-选择合适的门极电阻
2018-12-14 09:45:02
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩(电动汽车充电站)应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
钳位(以防止寄生米勒电容造成的IGBT误触发)。 2、请问:如何避免米勒效应?谢谢! IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到 15 V类型的门极驱动器(单电源
2018-11-05 15:38:56
作为一个新型电力电子器件,集成门极换向晶闸管(IGCT)在大功率高压变流器中得到了广泛的应用。本文介绍了一个 4.5kV/4.0kA IGCT 功率相单元测试平台工作原理和实验方案,并且在不
2009-04-08 15:42:54
13 分析IGBT的门极驱动鉴于绝缘栅双极晶体管IGBT在逆变电焊机中的应用日益普、及,针对IGBT门极驱动特点,分析了它对于驱动波形,功率,布线,隔离等方面的要求,并介绍了一种
2010-03-14 19:08:34
50 此参考设计是一个用于 IGBT/SiC 隔离式栅极驱动器的 4.2W、单通道、汽车 12V 电池输入反激式偏置电源。该电源可接受 4.5V 至 65V 直流的宽输入范围。输出可在负载高达 180mA
2010-04-12 16:23:12
23 针对IGBT门极驱动的特点分析了驱动波形、功率、布线和隔离等方面的要求,
并介绍一些典型电路
2010-08-31 16:32:30
130 日前,碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。
2015-09-06 17:39:11
1816 通过隔离门极驱动器抑制 dVdt 噪声,消除混合动力系统驱动器的噪声
2016-01-06 16:58:32
0 带逆阻型IGBT的三电平NPC-2功率模块的门极驱动器应用
2017-02-28 23:14:22
3 双路智能大功率IGBT驱动器
2017-03-04 17:50:19
3 2SP0430T2XX门极驱动器为1200 V和1700 V PrimePACK 3+ IGBT模块提供了两种不同的版本,可分别支持绝缘等级为5000 VAC (50 Hz/1min)和9150 VAC (50 Hz/1min)的系统。
2018-12-24 17:00:33
8376 关键词:门极驱动 , 2SP0430T2 适合可再生能源、牵引、UPS和其他众多工业应用 Power Integrations推出全新即插即用型门极驱动器,新产品可与英飞凌的PrimePACK 3+
2018-12-24 22:54:01
698 日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。
2019-05-14 11:44:53
5134 耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模块。该系统由一个中央绝缘主控制(IMC)和一到四个模块适配型门极驱动器(MAG)组成。IMC提供4.5 kV
2019-07-02 16:57:32
5690 Power Integrations最新的SCALE-iFlex™门极驱动器系统可轻松实现业界最新的耐受电压介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET双通道功率模块的并联。
2019-08-01 16:06:13
3142 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations推出适合额定电压750V IGBT的汽车级SID1181KQ SCALE-iDriver™门极驱动器。继推出1200V SID1182KQ驱动器IC之后,新器件扩展了公司的汽车级驱动器IC的范围。
2020-01-16 09:31:00
3482 等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。新的门极驱动器基于Power Integrations广泛使用的SCALE-2芯片组设计而成,非常适合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性应用。
2020-03-05 14:27:58
4612 “ 适合4500V模块的灵活、强大且可靠的IGBT门极驱动器中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出1SP0351
2020-03-08 10:27:07
2675 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布,其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriver
2020-03-18 16:56:53
4084 PI的SIC1182K和汽车级SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。 SCALE-2门极驱动核和其他SCALE-iDriver门极驱动器IC还支持不同SiC架构中的不同电压,允许使用SiC MOSFET进行安全有效的设计。
2020-08-13 15:31:28
3279 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)推出适用于流行的“新型双通道”100mm x 140mm IGBT模块
2021-09-22 16:09:46
4804 安森美半导体提供用于各种应用和市场的门极驱动器,并提供多种选项以精确满足系统需求。我们的产品有用于工业、高性能计算和电信环境的性能、可靠性和能效。安森美半导体以全面的电源开关和相应的门极驱动器阵容,提供完整的系统方案以满足任何设计需求。
2022-05-07 17:34:09
3758 
Power Integrations今日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块
2022-05-10 19:30:48
5123 Power Integrations今日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块
2022-05-11 15:43:08
2678 )模块驱动器系列产品——适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列栅极驱动板。
2022-05-17 11:56:29
4930 瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率器件。
2023-02-03 14:59:11
847 在对功率模块选型的时候要根据功率模块的参数匹配合适的驱动器。这就要求在特定的条件下了解门级驱动性能和参数的计算方法。 本文将以实际产品中用到的参数进行计算说明,并且对比实际的IGBT和SiC
2023-02-22 14:45:39
18 的SCALE-iFlex LT NTC门极驱动器,另一款是适用与190mmX140mm IGBT的数字型驱动器1SP0635V2A0D。 PI系统工程师经理王皓指出,从全球能源供应形式看,转向新能源是大势所趋
2023-06-02 16:12:06
2678 
理由相信潮流正在转变。正如TechInsights在不久前发布的PCIM Europe 2023 -产品公告和亮点博客[4]文章中所讨论的那样,英飞凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模块[5]。
2023-06-03 12:30:58
1556 
未来对电力电子变流器的要求不断提高。功率密度和变流器效率须进一步提高。输出功率应适应不同终端客户的不同项目。同时,变流器仍需具有成本竞争力。本文展示了新型4.5kV功率模块如何在铁路、中压驱动或电力系统等应用中满足这些变流器要求。
2023-10-17 10:50:31
1819 
提高4.5kV IGBT模块的功率密度
2023-11-23 15:53:38
2051 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能,保护
2023-12-14 11:37:10
1162 PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块
2023-12-14 15:47:04
1174 报告内容包含:
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT(绝缘栅双极晶体管)
驱动器进化以支持 SiC(碳化硅)
2023-12-18 09:39:57
995 
Microchip近日宣布推出一款创新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC™栅极驱动器,该驱动器采用了Augmented Switching™专利技术,进一步扩展了其mSiC解决方案系列,为高压SiC电源模块的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32
1498 意法半导体(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43
1511 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出SCALE-iFlex XLT系列双通道即插即用型门极驱动器,适配单个
2024-05-22 10:03:59
996 Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
2024-05-23 11:26:30
1651 近日,Power Integrations公司宣布推出全新的SCALE-iFlex™ XLT系列双通道即插即用型门极驱动器。这一系列产品专注于中高压逆变器应用,能够满足市场对于高性能门极驱动器的日益增长的需求。
2024-05-27 10:18:29
1077 电子发烧友网站提供《使用1.7 kV SiC MOSFET为工业和太阳能应用提供辅助电源.pdf》资料免费下载
2025-01-21 13:55:28
0 引领高电压驱动新纪元——10P0635Vxx IGBT门极驱动器赋能高效电力系统 倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅
2025-05-06 09:52:27
601 
UCC23113 适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器,具有 5A 拉电流和 5A 灌电流峰值输出电流以及 1.5kV 直流功能隔离。30 V
2025-05-16 10:49:24
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电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。可以驱动低侧和高侧功率 FET,与基于光耦合器的栅极驱动器相比,FET 带来了显著的性能和可靠性升级,同时在原理图和布局设计中保持了引脚对引脚的兼容性。
2025-05-24 14:43:00
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高性能隔离型门极驱动器 BTD5350x:开启高效功率控制新维度 在新能源与电力电子领域快速发展的今天,功率器件的高效驱动与可靠隔离成为系统设计的核心挑战。基本半导体推出的BTD5350x 单通道
2025-06-10 09:00:57
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输出灌电流和1.5kV DC功能性隔离。上至30V的大电源电压范围支持使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23113可驱动低侧和高侧功率FET。
2025-08-03 17:04:13
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该UCC23313是一款光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器,适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET,具有4.5A源极和5.3A灌电流峰值输出电流以及3.75kV~有效值~基本隔离等级。33
2025-10-15 15:22:57
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在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为关键的功率开关器件,被广泛应用于各种高功率场景。而IGBT门极驱动器的性能,直接影响着IGBT的开关特性和系统的整体性能。今天,我们就来深入探讨安森美(onsemi)推出的NCx5710y系列高电流单通道IGBT驱动器。
2025-12-01 14:24:47
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在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)广泛应用于太阳能逆变器、电机控制和不间断电源等大功率应用中。而IGBT的可靠驱动对于整个系统的性能和稳定性至关重要。今天,我们就来深入了解一下ON Semiconductor推出的NCD5703A、NCD5703B和NCD5703C这三款高性能IGBT门极驱动器。
2025-12-02 15:16:57
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