罗姆：凭SiC拿下电动方程式大赛，逆变器减小30％

　　罗姆11月8日在慕尼黑电子展“electronica 2016”上举行新闻发布会，介绍了展出商品。其中重点介绍的是SiC功率器件以及凭借这种器件挑战“Formula E”的事例。

　　在SiC功率器件方面，罗姆展示了该公司的第3代产品。SiC MOSFET的第三代产品是采用“双沟道结构”的沟道型。相同芯片尺寸下，导通电阻较原来的平面型SiC MOSFET可降低50％，电容成分可减少35％。耐压650V的产品有导通电阻为17mΩ～120mΩ不等的多个型号，耐压为1200V的产品有导通电阻为22mΩ～160mΩ的多个型号。

　　罗姆还介绍了SiC肖特基势垒二极管（SBD）的第3代产品。耐压为650V，备有2A～10A的多个型号。

　　罗姆还介绍了“斩波型”SiC模块。这是配备SiC肖特基势垒二极管（SBD）和SiC MOSFET的全SiC模块，耐压1200V，额定电流为120A/180A/300A。

　　参与Formula E

　　作为上述SiC功率器件的应用对象，罗姆介绍了该公司在电动方程式世界锦标赛Formula E（国际汽车联盟举办）的表现。罗姆与法国文图瑞（VENTURI）公司的车队“Venturi Formula E Team”结成了为期3年的技术合作伙伴关系。

　　罗姆从2016年10月9日拉开帷幕的第三赛季开始，为车队的逆变器提供SiC功率器件。基于这样的关系，此次发布会上，文图瑞车队的协调人Frank BALDET及赛车手Maro Engel登台发言，表达了对SiC的期待。

　　第三赛季，在逆变器上配备了SiC SBD。与第二赛季使用的逆变器相比，效率改善了1.7％，重量减轻了2kg。另外，通过散热系统的小型轻量化，使逆变器的体积减小了30％。在下一赛季，也就是第四赛季，将把逆变器内的Si IGBT换成SiC MOSFET，预计效率将进一步改善。

　　通过小型化，配置更加自由，容易调整赛车的重心平衡。轻量化也有优势。虽然允许的车辆总重基本固定，但每到一个新赛季，电池容量和电机的输出功率都会增大。因此，通过采用SiC功率器件提高效率而实现的轻量化将发挥其威力。