在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题。
2025-05-30 14:33:43
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在本系列的前几篇文章中[1-7]，我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。
2022-06-29 11:30:508296 有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
在SIC JFET 驱动电路中要求输入一个-25V电压，有什么方法可以产生负的电压？
2016-12-12 11:10:34
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示，与同类型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
问题，因此，需要增加缓冲吸收电路来抑制 SiC 模块关断过程中因振荡带来的尖峰电压过高的问题 。文献 [7-11] 通过对双脉冲电路进行仿真和实验研究，给出了缓冲吸收电路参数的优化设计方法，但都是以关断
2025-04-23 11:25:54
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
线性稳压器的基础线性稳压器的基础线性稳压器的工作原理线性稳压器的分类线性稳压器的电路构成和特征线性稳压器的重要规格优点和缺点、应用效率和热计算开关稳压器的基础开关稳压器的基础开关稳压器的种类优点和缺点
2018-11-27 16:40:24
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-04-09 04:58:00
测量和损耗测量铝电解电容器 隔离型反激式转换器的性能评估和检查要点DC/DC基础篇线性稳压器的基础线性稳压器的基础线性稳压器的工作原理线性稳压器的分类线性稳压器的电路构成和特征线性稳压器的重要规格优点
2018-11-27 16:38:39
电源系统应用实现小型与更低损耗的关键 | SiC肖特基势垒二极管在功率二极管中损耗最小的SiC-SBDROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管
2019-03-27 06:20:11
介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些优异的设计？SiC46x的主要应用领域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-25 06:20:09
的不是全SiC功率模块特有的评估事项，而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中，该信息也非常有用。“栅极误导通”是指在高边SiC-MOSFET＋低边
2018-11-30 11:31:17
工作等SiC的特征所带来的优势。通过与Si的比较来进行介绍。”低阻值”可以单纯解释为减少损耗，但阻值相同的话就可以缩小元件（芯片）的面积。应对大功率时，有时会使用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块
2018-11-29 14:35:23
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
寄生效应过多，它们的性能可能会下降到硅器件的性能，并可能会导致电路故障。传导EMI会伴随SiC MOSFET产生的快速电压和电流开关瞬变，内部和外部SiC寄生效应会受到这些开关瞬变的影响，并且是EMI
2022-08-12 09:42:07
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
什么是STM32_USB硬件模块呢？STM32_USB硬件模块有哪些主要特征？
2021-10-29 06:40:55
fm30嵌入式扫描模块的应用与特征
2021-01-06 07:54:30
SiC Mosfet管组成上下桥臂电路，整个评估板提供了一个半桥电路，可以支持Buck，Boost和半桥开关电路的拓扑。SiC Mosfet的驱动电路主要有BM6101为主的芯片搭建而成，上下桥臂各有一块
2020-06-07 15:46:23
串并联，构成大容量储能系统，对SiC器件的应用有过深入的学习和探索。想借助发烧友论坛和罗姆BD7682FJ-EVK-402评估板，评估全SiC MMC实验平台中子模块SiC器件的驱动电路选型，探索SiC
2020-04-21 16:02:34
逆变器，新的APS的输出容量为136 kVA。图31.2kV全SiC功率模块包括SiC的MOSFET和SiC的SBD3、滤波电路的小型化表2显示了采用1.7kV混合SiC功率模块和1.2kV全SiC功率
2017-05-10 11:32:57
°C 时典型值的两倍。采用正确封装时，SiC MOSFET 可获得 200°C 甚至更高的额定温度。SiC MOSFET 的超高工作温度也简化了热管理，从而减小了印刷电路板的外形尺寸，并提高了系统稳定性
2017-12-18 13:58:36
什么是SFP光模块？SFP光模块由哪些器件构成？SFP光模块有哪些分类？
2021-05-17 06:09:51
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET，使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接，来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018（第4赛季）”的文图瑞Formula E车队提供全SiC功率模块。ROHM在上个赛季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30
SiC-SBD的特征，下面将介绍一些其典型应用。主要是在电源系统应用中，将成为代替以往的Si二极管，解决当今的重要课题——系统效率提高与小型化的关键元器件之一。＜应用例＞PFC（功率因数改善）电路电机驱动器电路
2018-12-04 10:26:52
作为应用全SiC模块的应用要点，本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上，介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全SiC模块的驱动模式与基本结构这里会针对下述条件与电路结构，使用缓冲电容器
2018-11-27 16:36:43
SiC MOSFET与传统Si器件相比，具有高电压、大电流、高速驱动、低损耗、高温稳定等诸多优点，是新一代器件。近年来，利用这些优异特性，作为向大功率发展的电动汽车 (EV) 的牵引逆变器电路，并联
2024-11-27 14:23:04
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。全SiC功率模块的结构现在正在量产的全SiC功率模块有几种类型，有可仅以1个模块组成半桥电路的2in1型，也有可仅以1个模块组成升压电路的斩波型。有以
2018-12-04 10:14:32
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-12 03:43:18
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
深爱半导体推出新品IPM模块
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模块） 是集成了功率器件、驱动电路、保护功能的“系统级”功率半导体方案。其高度集成方案可缩减 PCB
2025-07-23 14:36:03
碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都
2018-11-29 14:43:52
改善，并进一步降低了第2代达成的低VF。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅
2019-07-10 04:20:13
自锁电路是怎样构成的？看到大家一直在讨论自锁电路，但是自锁电路是怎样构成的，小弟不清楚。求大虾指点迷津！{:soso_e129:}
2011-12-09 14:00:20
车规级GPS模块有哪些特征？
2021-05-18 06:54:02
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
Qorvo SiC E1B模块Qorvo SiC E1B模块采用独特的共源共栅电路，常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装，形成常关SiC FET。Qorvo SiC E1B具有类硅栅
2024-02-26 14:00:25
HLC的构成及特征
1-2-1 HLC 的命令构成及特征
HLC
2009-10-06 12:04:1312005 
针对双面PCB的在线测试仪模块构成
一、电路在线测试技术
1、在线测试原理：在线测试的基本
2009-11-17 09:14:02728 罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1314691 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:4111764 
该应用方案提供了一种用于驱动各种sic mosfet功率模块的通用基板的电路设计。
2019-09-11 10:31:54
45 为了使汽车的用电设备工作，应根据它们各自的工作特性和相互间的内在联系，用导线和车体把电源、电路保护装置、控制器件以及用电设备等装置连接起来，构成能使电流流通的路径，这种路径称为汽车电路 ▼ 汽车电路
2021-02-01 14:14:445578 
自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。
2021-12-08 15:55:512174 
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。
2022-10-31 09:03:231598 在大电流应用中利用 SiC MOSFET 模块
2023-01-03 14:40:291100 一、SiC模块的特征 电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。 由IGBT的尾
2023-01-12 16:35:471139 本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。
2023-02-06 14:39:513205 
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si
2023-02-07 16:23:052029 1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速
2023-02-07 16:46:271444 碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。
2023-02-08 13:42:087403 
继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
2023-02-08 13:43:19713 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:211335 
全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:221533 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:082522 
线性稳压器的电路构成虽然基本上为图5的反馈环路电路，不过压差电压会因输出晶体管种类而异。标准型和LDO型有极大不同，而LDO型中更可分为3种。使用双极NPN晶体管的LDO虽然品种不太多，但可以处理大电流。
2023-02-20 09:32:481374 
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47684 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:281234 
首先需要了解的是：接下来要介绍的不是全SiC功率模块特有的评估事项，而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中，该信息也非常有用。
2023-02-27 11:49:18878 
我们从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。
2023-07-18 09:47:301207 
一、什么是SiC半导体？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:583239 
全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块
2023-09-14 19:15:141231 单个MOS管可以构成的模块？ 单个MOS管可以构成各种各样的电路模块，这些电路模块可以应用在不同的领域，例如电力电子、通信、计算机等。本文将详细介绍单个MOS管可以构成的模块及其应用。 1.
2023-09-18 18:20:481653 在商业应用中利用宽带隙碳化硅（SiC）的独特电气优势需要解决由材料机械性能引起的可靠性挑战。凭借其先进的芯片粘接技术，Vincotech 处于领先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模块可能会
2023-10-23 16:49:362060 
SiC驱动器模块具有较低的功耗、高温运行能力和快速开关速度等优势，使其在下一代功率器件中有着广阔的应用前景。SiC驱动器模块可以用于电动车的电力系统、可再生能源转换系统、工业电力电子装置和航空航天
2023-11-16 15:53:301752 
碳化硅（SiC）功率元器件是一种半导体器件，具有许多独特的特性，使其在高性能电力电子应用中具有优势。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（SiC）的绝缘击穿场强大约是硅（Si）的10倍
2024-02-04 16:25:441486 基本理想电路元件是构成电路的基本单元，它们具有三个基本特征：电压-电流关系、能量转换和电路参数。以下是对这三个特征的分析： 电压-电流关系 理想电路元件的电压-电流关系是其最基本的特征之一。这种关系
2024-08-25 09:38:343390 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。碳化硅SiC MOSFET这些优良特性，需要通过模块封装以及驱动电路系统，才能得到完美展现。
2024-10-16 13:52:058142 
较多的阐述，比如IGBT模块可靠性设计与评估，功率器件IGBT模块封装工艺技术以及IGBT封装技术探秘都比较详细的阐述了功率模块IGBT模块从设计到制备的过程，那今天讲解最近比较火的SiC模块封装给大家进行学习。 SiC近年来在光伏，工业电
2025-01-02 10:20:241787 
想要了解一款机器，就不能错过一点一滴，从全方面细节来了解。今天我们就按照大家的要求与想法，一起来看看SIC清洗机的构成部件都有哪些： SiC清洗机是一种用于清洗硅碳（Silicon Carbide
2025-01-13 10:11:38770 
BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍
2025-01-16 14:32:042 倾佳电子杨茜以50KW高频电镀电源应用为例，分析BASiC基本股份国产SiC碳化硅模块替代富士IGBT模块损耗对比： 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT
2025-02-09 20:17:291127 
基本股份）在成本上逐渐与进口IGBT模块持平。这推动了国产SiC模块在国内市场的广泛应用，加速了对进口IGBT模块的替代进程。 通过优化驱动电压和电路设计，可以充分发挥SiC模块的优势，同时避免因驱动问题导致的性能下降或可靠性问题。 倾佳电子杨茜致力于推动
2025-02-13 19:19:52951 
中国电力电子客户逐渐摆脱对国外IGBT模块（绝缘栅双极型晶体管）和SiC功率模块供应商的依赖，转向国产替代产品IGBT模块和SiC模块，这一转变是技术、市场、政策和信任危机等多重因素共同作用的结果
2025-03-28 09:50:49713 珠联璧合，SiC模块及SiC驱动双龙出击 ——BASiC基本股份赋能电力电子新未来 珠联璧合，双龙出击 ——BASIC Semiconductor SiC功率模块与SiC驱动板重塑电力电子行业价值
2025-05-03 15:29:13628 
国产SiC模块全面取代进口IGBT模块的必然性 ——倾佳电子杨茜 BASiC基本半导体一级代理倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC
2025-05-18 14:52:081324 
BASiC_34mm SiC MOSFET模块产品介绍
2025-09-01 15:24:120 BASiC_SiC MOSFET工业模块产品介绍
2025-09-01 16:02:370 倾佳电子主流厂商碳化硅 (SiC) MOSFET 驱动 IC 产品及其技术特征深度研究报告 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业
2025-11-23 10:53:151374 
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