电子发烧友网报道（文/吴子鹏）北京时间3月3日，英飞凌官宣收购氮化镓初创公司GaN Systems，交易总值8.3亿美元现金，约合57亿元人民币。 针对这笔交易，英飞凌首席执行官Jochen
2023-03-06 07:57:00
26143 本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
2023-11-27 17:12:015665 
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054789 
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）2023年10月，英飞凌成功收购GaN Systems，后者是在氮化镓芯片设计领域，有着独特的技术和产品积累的公司。英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛
2024-07-25 09:16:014493 
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的节能。这些电力足以为30多万个家庭提供一年的电量。 任何可以直接从电网获得电力的设备（从智能手机充电器到数据中心），或任何可以处理高达数百伏高电压的设备，均可受益于氮化镓等技术，从而提高电源管理系统的效率和规模。（白皮书下载：GaN将能效提高到一个新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80%的能源，而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
。联想此举直接将氮化镓快充拉到普通充电器一样的售价，如果以往是因为“贵”不买氮化镓而选择普通充电器，那么这次联想 59.9 元售价可谓是不给你任何拒绝它的理由。氮化镓快充价格走势氮化镓（GaN）具有禁带宽
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化镓（GaN）”，这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化镓快充充电器之后，“氮化镓”这一名词就开始广泛出现在了大众的视野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
DARPA提出WBST计划以来，氮化镓已经走过了较长的发展历程，现在已成为微波和射频行业的前沿。它的成本结构已经与传统半导体技术持平，当两种竞争性技术成本相同的时候，性能高者将主宰市场。MACOM等企业
2017-08-15 17:47:34
数据中心），或任何可以处理高达数百伏高电压的设备，均可受益于氮化镓等技术，从而提高电源管理系统的效率和规模。（白皮书下载：GaN将能效提高到一个新的水平。）
寻找理想开关
任何电源管理系统的核心
2019-03-14 06:45:11
数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解决方案控股有限公司(纳斯达克证交所代码: MTSI) (简称“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化镓GaN 合作开发协议。据此协议，意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频晶片。除扩大
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场，如今的MACOM拥有包括氮化镓（GaN）、硅锗（SiGe）、磷化铟（InP）、CMOS、砷化镓等技术，共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
SGFCF2002S-D氮化镓晶体管SGNH130M1H氮化镓晶体管SGNE010MK氮化镓晶体管SGCA100M1H氮化镓晶体管SGCA030M1H氮化镓晶体管深圳市立年电子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
SGFCF2002S-D氮化镓晶体管SGNH130M1H氮化镓晶体管SGNE010MK氮化镓晶体管SGCA100M1H氮化镓晶体管SGCA030M1H氮化镓晶体管深圳市立年电子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
镓晶圆的制作成为可能。Na Flux （Na Flux）工艺是将 Na/GaN溶液置于压力30-40的氮气中，在该溶液中溶解氮并使其饱和，由此导致氮化镓晶体沉淀。此项技术由山根久典教授于日本东北大学
2023-02-23 15:46:22
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原厂来说尤为常见，其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题，下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户，用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源，因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
材料特性对比展开，通过泰克仪器测试英飞凌GaN器件来进行氮化镓特性的测量与分析。方案配置：示波器MSO5+光隔离探头TIVH08+电压及电流探头+电源和IGBT town 软件第二步：电路设计和PCB
2020-11-18 06:30:50
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
一个小时前，也就是美国东部当地时间3月2日下午2:05，英飞凌官宣收购氮化镓初创公司GaN Systems，交易总值8.3亿美元现金（57亿人民币）。GaN Systems 成立于2008年，是一家
2023-03-03 16:48:40
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
，我们的设备都被连接在了一起，我们需要消耗更多的电能，”GaN开发团队的系统和应用工程师Eric Faraci说，“更多的能耗意味着需要建造更多的大型电厂。但是，如果我们使用诸如氮化镓的技术，我们可以将
2018-08-30 15:05:50
业内领先的广泛氮化镓 (GaN) 产品系列——包括放大器、晶体管和开关。TriQuint GaN解决方案可提高射频效率、降低总成本和增强系统坚固性。
2019-03-20 10:56:09849 设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司宣布，已与欧洲领先的氮化镓（以下简称GaN）外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议，以3，000万欧元现金收购EpiGaN公司。同时，这一协议还将根据盈利能力支付计划支付额外的奖金。 EpiGaN的GaN产品主要用于RF（射频）、
2019-05-16 09:17:001720 法国Soitec半导体公司宣布已与氮化镓（简称GaN）外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议，以3,000万欧元现金收购EpiGaN公司。
2019-05-18 11:18:514420 以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。
2020-03-10 11:22:193244 今天我们一起学习一下关于氮化镓龙头企业到达有哪些呢？首先氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高，可以用在高
2020-11-20 14:18:59109799 （GaN）。在这些潜在材料中，氮化镓或氮化镓正得到广泛认可和青睐。这是因为GaN晶体管与材料晶体管相比具有几个优势。
2022-12-13 10:00:083919 和GaN为代表物质制作的器件具有更大的输出功率和更好的频率特性。 2、分类状况 氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅
2023-02-03 14:31:181407 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:1810906 
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:337273 
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体， 氮化镓主要还是用于LED（发光二极管），微电子（微波功率和电力电子器件），场效电晶体（MOSFET）。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。
2023-02-06 17:38:136684 氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅基氮化镓功率器件主要应用于电力电子器件领域。虽然
2023-02-10 10:52:524733 
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电
阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
2023-02-15 16:19:06
0 氮化镓(GaN)是什么 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高
2023-02-17 14:18:2412177 氮化镓可以取代砷化镓。氮化镓具有更高的热稳定性和电绝缘性，可以更好地抵抗高温和电磁干扰，因此可以替代砷化镓。
2023-02-20 16:10:1429358 氮化镓纳米线是一种基于氮化镓材料制备的纳米结构材料，具有许多优异的电子、光学和机械性质，因此受到了广泛关注。氮化镓材料是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电子和光学性质，也是氮化镓纳米线的主要材料来源。
2023-02-25 17:25:151497 、显示等领域。 2. 激光器：氮化镓可制成激光器器件，用于通信、材料加工等领域。 3. 太阳能电池：氮化镓可用于制造高效率的太阳能电池。 4. 无线通讯：氮化镓的高频特性使其成为高速无线通讯的理想材料。 5. 集成电路：氮化镓可制成高性能的微波射频
2023-06-02 15:34:4613932 能源科技为电源行业领导厂商，拥有完整电源供应器、电动车充电模块及车载充电器产品解决方案。结合 GaN Systems 尖端的氮化镓功率器件、在车用领域所累积的应用实绩，与安世博能源科技在高功率电源系统设计及批量生产的卓越能力，此次策略合作将为中国电动车行业
2023-08-03 09:52:19726 
氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料
➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:401519 
重点摘要 GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助全球客户在能源效率及尺寸微缩上突破瓶颈。 以业界领先的质量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32968 全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿，更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:521104 英飞凌科技集团今天宣布，对GaN Systems Inc.的收购已经完成。这家总部位于渥太华的公司提供广泛的氮化镓(GaN)电源转换解决方案和尖端应用专业知识。已获得所有必要的监管批准，截至
2023-10-25 14:51:131525 10 月 25 日消息，英飞凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems），并号称“成为领先的氮化镓龙头企业”。 英飞凌表示，这家总部位于加拿大
2023-10-26 08:43:521116 论文研究氮化镓GaN功率集成技术
2023-01-13 09:07:473 氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，由于其独特的性质和广泛的应用，已经成为了微电子和光电子领域的重要材料之一。下面将详细介绍氮化镓的性质和用途。
2023-11-08 15:59:361544 氮化镓充电器什么意思？氮化镓充电器的优点？氮化镓充电器和普通充电器的区别是什么？ 氮化镓充电器是一种使用氮化镓（GaN）材料制造的充电器。GaN是一种新型的宽禁带半导体材料，具有高电子迁移率、高热
2023-11-21 16:15:247003 ，氮化镓芯片具有许多优点和优势，同时也存在一些缺点。本文将详细介绍氮化镓芯片的定义、优缺点，以及与硅芯片的区别。 一、氮化镓芯片的定义 氮化镓芯片是一种使用氮化镓材料制造的集成电路芯片。氮化镓（GaN）是一种半导体
2023-11-21 16:15:3011008 什么是氮化镓 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓
2023-11-24 11:05:117181 氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领域。下面我们将详细介绍氮化镓的提取过程和所
2023-11-24 11:15:206429 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:416132 对目前市场上的几种主要氮化镓芯片进行比较分析，帮助读者了解不同型号芯片的特点和适用场景。 一、氮化镓芯片的基本原理 氮化镓（GaN）是一种硅基半导体材料，具有较高的载流子迁移率和较大的击穿电场强度，使其具备优秀的高
2024-01-10 09:25:573840 氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构： 氮化镓是由镓（Ga）和氮（N）元素组成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336030 氮化镓不是充电器类型，而是一种化合物。 氮化镓（GaN）是一种重要的半导体材料，具有优异的电学和光学特性。近年来，氮化镓材料在充电器领域得到了广泛的应用和研究。本文将从氮化镓的基本特性、充电器的需求
2024-01-10 10:20:292311 珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。
2024-04-10 18:08:092856 
本文要点氮化镓是一种晶体半导体，能够承受更高的电压。氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是两种
2024-07-06 08:13:181988 
景和技术需求。 氮化镓（GaN）的优势 高频与高效率 ：氮化镓具有高电子迁移率和低电阻率，使得它在高频和高功率应用中表现出色。例如，在5G通信、雷达系统、卫星通信等需要高频工作的领域，氮化镓器件能够提供更高的工作频率和更大的
2024-09-02 11:37:167232 呈现出爆发式增长态势。英飞凌长期深耕氮化镓领域，再次推动了氮化镓革命，率先成功开发出了全球首个300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术，是全球首家在现有且可扩展的
2024-12-06 01:02:431399 
器件的性能，使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破，成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势：1.体积更小，功率密度更高材料特性：GaN的电子迁移率比硅
2025-02-27 07:20:334534 
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