第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)是近几年新兴的功率半导体,相比于传统的硅(Si)基功率半导体,氮化镓和碳化硅具有更大的禁带宽度,更高的临界场强,使得基于这两种材料制作的功率半导体具有
2023-01-06 15:26:41
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仅从物理特性来看,氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标(与硅相比,硅是1)相比,4H-SiC是500,而氮化镓是900,效率非常高。
2023-02-10 11:29:22
2959 2025 年 9 月 24 日,在 PCIM Asia Shanghai 展会现场,罗姆(ROHM)携多款功率半导体新品及解决方案精彩亮相。展会上罗姆重点展示了EcoSiC™碳化硅(SiC)模块
2025-09-29 14:35:18
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来源 华西证券编辑:智东西内参作者:吴吉森等随着 5G、IoT 物联网时代的来临,以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中,Ga...
2021-08-31 06:32:26
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料,是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比,氧化镓的禁带宽度远高于后两者,其禁带宽度达到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
DARPA提出WBST计划以来,氮化镓已经走过了较长的发展历程,现在已成为微波和射频行业的前沿。它的成本结构已经与传统半导体技术持平,当两种竞争性技术成本相同的时候,性能高者将主宰市场。MACOM等企业
2017-08-15 17:47:34
数据已证实,硅基氮化镓符合严格的可靠性要求,其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展
2018-08-17 09:49:42
PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
的器件上。此类产品当然有一席之地,但在撰写本文时,SiC的产品种类并不存在,半导体供应商更关注SiC而不是GaN。这也是由于SiC的工艺在很多方面与Si工艺非常相似,并且机器可以用于两种材料,这显然是一
2023-02-24 15:03:59
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,可以用来制造
2019-10-24 14:21:23
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高达1400℃的温度下,仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性,碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物,原子间结合的键很强,它具有以下一些独特的性能,因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一,有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一,其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例,其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言,半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比,故在相似的功率等级下,SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
,3000多种产品,应用领域覆盖无线、光纤、雷达、有线通信及军事通信等领域,2016年营收达到了5.443亿美元。氮化镓是目前MACOM重点投入的方向,与很多公司的氮化镓采用碳化硅(SiC)做衬底
2017-09-04 15:02:41
对比 我们采用双脉冲的方法来比较一下基本半导体1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的两种封装B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)在相同条件下
2023-02-27 16:14:19
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
镓和碳化硅的各种蚀刻剂,包括水性无机酸和碱溶液以及熔融盐。湿法刻蚀在宽带隙半导体技术中有多种应用,包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘识别极性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。对于氮化镓
2021-10-14 11:48:31
目前,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,宽禁带,以下简称为:WBG)”以及基于新型材料的电力半导体,其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
氧化层?如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解,揭开这一技术领域的神秘面纱。
2025-01-04 12:37:34
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率适配器为了减小对电网的干扰,都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器,基本也离不开碳化硅二极管,第三代半导体材料几乎都是同时出现,强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
复杂的设计,功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件? 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时,碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
一步提升电源效率。针对上述情况,解决方案有以下两种。 方案一:将IGBT单管上反并联的快速恢复二极管换成基本半导体的“零反向恢复”的碳化硅肖特基二极管(碳化硅 SBD),这种组合起来封装的器件,称之为
2023-02-28 16:48:24
家族中的新成员。 相较于前两代二极管,基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上,实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。 基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承
2023-02-28 17:13:35
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装,采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
MOSFET更好的在系统中应用,需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。 接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品 基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低
2023-02-27 16:03:36
是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基(JBS)二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
,是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元,而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:56:12
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1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-17 02:33:00
7744 作为第三代功率半导体的绝代双骄,氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界,特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体,是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点,如图1
2020-09-07 09:56:59
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氮化镓+碳化硅PD 方案的批量与国产氮化镓和碳化硅SIC技术成熟密不可分,据悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案产品体积更小,散热更好,效率比超快恢复管提高2个百分点以上。
2021-04-01 09:23:26
2124 电子发烧友网报道(文/李诚)碳化硅、氮化镓这两种新型半导体材料,凭借其耐高温、耐高压、高频的特性在功率器件领域得到了广泛的应用。尤其是碳化硅功率器件与传统硅基功率器件相比,碳化硅材料突破了创传统硅
2021-11-13 09:58:01
3184 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业,率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件,为业界熟知,并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动中
2021-11-29 14:54:08
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电子发烧友网报道(文/李诚)碳化硅与氮化镓同属于第三代半导体材料,均已被列入十四五发展规划纲要。碳化硅与氮化镓相比,碳化硅的耐压等级更高,可使用的平台也更广。尤其是在新能源汽车领域,碳化硅高效、耐高压的特性被越来越多的车企认可,市场发展前景逐渐明朗。
2022-01-26 10:43:14
3816 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。
2022-04-01 11:05:19
5310 与普通硅相比,碳化硅可以承受更高的电压,因此,碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关,从而提供了简化和可靠的系统布局。
2022-04-07 14:49:04
4200 在高端应用领域,碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛,被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:16
1771 功率半导体是实现节能世界的关键。碳化硅和氮化镓等新技术可实现更高的功率效率、更小的外形尺寸和更轻的重量。尤其是碳化硅是一种宽带隙材料,能够克服传统硅基功率器件的限制。
2022-08-04 17:30:09
795 近年来,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体受到了广泛关注。这两种化合物都可以承受比硅更高的频率、更高的电压和更复杂的电子产品。SiC 和 GaN 功率器件的采用现在是不可否认
2022-08-05 14:51:33
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氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管
2022-11-02 16:13:06
5427 一旦硅开始达不到电路需求,碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比,这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化硅和氮化镓在整个电子市场上得到更广泛的采用。
2022-12-13 10:01:35
16399 碳化硅技术壁垒分析:碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口,也是一个很大的挑战,那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么?碳化硅技术壁垒有哪些? 1
2023-02-03 15:25:16
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碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)被称为“宽带隙半导体”(WBG)。在带隙宽度中,硅为1.1eV,SiC为3.3eV,GaN为3.4eV,因此宽带隙半导体具有更高的击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:34
2592 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中,由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上,可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:33
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与普通硅相比,碳化硅可以承受更高的电压,因此,碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关,从而提供了简化和可靠的系统布局。 随着新行业和产品采用电子和半导体,设计师和制造商正在寻找改进和更智能
2023-02-20 15:51:55
3 书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:用于紫外发光二极管的碳化硅上的氮化铝镓编号:JFKJ-21-1173作者:华林科纳 一直在使用碳化硅(碳化硅)衬底生长氮化铝(AlGaN)结构,针对278nm深紫
2023-02-21 09:21:58
1 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:47
3720 此外,氧化镓的导通特性约为碳化硅的10倍,理论击穿场强约为碳化硅3倍多,可以有效降低新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域在能源方面的消耗。数据显示,氧化镓的损耗理论上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。
2023-03-20 11:13:12
1879 在半导体材料领域,碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中,碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性,其耐高频耐高温的性能,是同等硅器件耐压的10倍。
2023-04-06 11:06:53
1209 硅(Si)是电子产品中常用的纯半导体的一个例子。锗(Ge)是另一种纯半导体,用于一些最早的电子设备。半导体也由化合物制成,包括砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN)、硅锗 (SiGe) 和碳化硅 (SiC)。我们稍后将回到最后一项。
2023-05-24 11:26:14
4445 作为第三代功率半导体的绝代双骄,氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界,特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体,是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点,如图1所示。
2023-06-07 14:43:01
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如今砷化镓、磷化铟等作为第二代化半导体因其高频性能效好主要是用于射频领域,碳化硅、和氮化镓等作为第三代半导体因禁带宽度和击穿电压高的特性。
2023-07-25 10:52:23
1215 碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:45
3687 早前,纳微半导体率先凭借氮化镓功率芯片产品,踩准氮化镓在充电器和电源适配器应用爆发的节奏,成为氮化镓领域的头部企业。同时,纳微也不断开发氮化镓和碳化硅产品线,拓展新兴应用市场。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:19
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氮化镓和碳化硅正在争夺主导地位,它们将减少数十亿吨温室气体排放。
2023-08-07 14:22:08
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第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的产业结构。
2023-08-11 10:17:54
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碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展,碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:22
4787 作为第三代功率半导体的绝世双胞胎,氮化镓MOS管和碳化硅MOS管日益受到业界特别是电气工程师的关注。电气工程师之所以如此关注这两种功率半导体,是因为它们的材料与传统的硅材料相比具有许多优点。
氮化
2023-10-07 16:21:18
2776 
碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多,但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23
3791 碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是两种常见的宽禁带半导体材料,在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料,但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:51
4542 半导体材料目前已经发展至第三代。传统硅基半导体由于自身物理性能不足以及受限于摩尔定律,逐渐不适应于半导体行业的发展需求,砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体也因而诞生。
2023-12-21 15:12:20
4441 
氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料,在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18
4061 碳化硅(SiC)和传统硅半导体(Si)是两种常见的半导体材料,它们在电子器件制造中具有广泛的应用。然而,碳化硅相对于传统硅半导体具有一定的优缺点。 优点: 更高的热导率:碳化硅的热导率是传统硅半导体
2024-01-10 14:26:52
3996 第三代半导体性能优越,应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础,经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于
2024-01-16 10:48:49
2367 
在这个电子产品更新换代速度惊人的时代,半导体市场的前景无疑是光明的。新型功率半导体材料,比如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),因其独特的优势正成为行业内的热门话题。
2024-04-07 11:37:11
1454 
在电力电子领域,纳微半导体凭借其卓越的GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体技术,已成为行业内的佼佼者。近日,该公司受邀参加6月11日至13日在德国纽伦堡举行的PCIM 2024电力电子展,并在“纳微芯球”展台上展示其最新技术成果。
2024-05-30 14:43:08
1171 纳微半导体作为GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者,近日正式推出了其最新研发的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs产品系列,包括650V和1200V两大规格。
2024-06-11 16:24:44
1716 近日,纳微半导体CEO Gene Sheridan做客CNBC,与WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland对话,分享了在AI数据中心所需电源功率呈指数级增长的需求下,下一代氮化镓和碳化硅将迎来怎样的火热前景。
2024-06-13 10:30:04
1343 本文要点氮化镓是一种晶体半导体,能够承受更高的电压。氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是两种
2024-07-06 08:13:18
1988 
引言 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是两种具有重要应用前景的第三代半导体材料。它们具有高热导率、高电子迁移率、高击穿场强等优异的物理化学性质,被广泛应用于高温、高频、高功率等极端环境下的电子器件
2024-09-02 11:19:47
3434 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)都是当前半导体材料领域的佼佼者,它们各自具有独特的优势,应用领域也有所不同。以下是对两者优势的比较: 氮化镓(GaN)的优势 高频应用性能优越 : 氮化镓具有较高
2024-09-02 11:26:11
4884 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺,WBG设备显示出以下优点:1.宽带隙半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在带隙和击穿场方面相对相似。氮化镓的带隙为3.2eV
2024-09-16 08:02:25
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日本公司正积极投入大规模生产氮化镓(GaN)功率半导体器件,旨在提升电动汽车的行驶里程。尽管氮化镓与碳化硅(SiC)在电动汽车功率半导体器件的应用上竞争激烈,但氮化镓因其极低的功率损耗而备受瞩目。
2024-10-22 15:10:02
1757 碳化硅(SiC)在半导体产业中的发展呈现出蓬勃的态势,其独特的物理和化学性质使其成为新一代高性能半导体材料的佼佼者。以下是对碳化硅在半导体产业中发展的分析: 一、碳化硅的基本特性 碳化硅是一种无机物
2024-11-29 09:30:05
1573 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:43
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碳化硅(SiC)在半导体中扮演着至关重要的角色,其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅在半导体中的主要作用及优势: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁带宽度、高
2025-01-23 17:09:35
2665 近日,GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链,为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:08
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01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料,经过晶体生长、晶锭加工、切割、研磨、抛光、清洗等制造过程后形成的单片材料。按照电学性能
2025-07-15 15:00:19
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