ST扩大采用第六代STripFET™技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。
2011-06-20 09:02:43
1160 传统的双极晶体管是一种电流驱动型放大器，对其信号放大特性的分析以小注入电流为主，即在共发射极工作状态时，输入很小的基极电流就能控制输出端的集电极电流而获得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:032554 
MJD系列现已上市，涵盖2 – 8 A和45 – 100 V，且增强了Nexperia的功率产品组合。
2021-07-29 14:13:364688 
`NPN中功率晶体管系列，采用表面贴装器件（SMD）塑料封装，具有大电流，高功耗，出色的导热性和导电性等优势。n具有中等功率能力的无铅超小型SMD塑料封装（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
如果平衡电阻与发射极串联，则双极晶体管（BJT）可以并联连接。随着温度的升高，BJT通常会变得更具导电性。以下MMBT2222A数据表中的示例显示了该器件的典型增益如何随温度在允许的工作范围内变化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com双极晶体管阵列 (BJT)DMMT5401-7晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 200 mA, SOT-26封装, 300 MHz, 6引脚规格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
标准化的产物。4. 按形状分类根据功率及安装形态，决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶体管的分类 Si晶体管的分类根据不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。 双极晶体管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
之一。关键要点:・本章中选取功率晶体管中的双极、MOSFET、IGBT进行了介绍。・介绍双极晶体管、MOSFET、IGBT的基本特征。＜ 相关产品信息 ＞Si晶体管双极晶体管MOSFETIGBT
2018-11-28 14:29:28
您好，为了模拟ADS软件中基于双极晶体管的电路，我们将基板与发射器连接，还是允许空气？谢谢 以上来自于谷歌翻译 以下为原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-03-27 06:20:04
双极晶体管MAPRST0912-50产品特性NPN硅微波功率晶体管金金属化系统扩散Emitter Ballasting Resistor高效数字化几何宽带C类操作共基极结构符合RoHS标准的密封金属
2018-08-09 09:57:23
MRF422硅双极晶体管产品介绍MRF422报价MRF422代理MRF422MRF422现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司MRF422主要用于高功率线性放大器的设计，从2到30 MHz优势产品
2018-10-09 12:10:05
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
的切换速度可达100GHz以上。双极晶体管 双极晶体管（bipolar transistor）指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。双极则源于电流系在两种半导体材料中流过的关系。双极晶体管根据
2010-08-13 11:36:51
（IGBT）绝缘栅双极晶体管结合了巨型晶体管GTR和功率MOSFET的优点。它具有良好的性能和广泛的应用。IGBT也是三端器件：栅极、集电极和发射极。晶体管的主要参数晶体管的主要参数包括电流放大因数
2023-02-03 09:36:05
更高的功率耗散，因为输出晶体管不能饱和。在更高的频率下，更大的相移也是可能的，这可能会导致负反馈下的不稳定。 达林顿晶体管原理图通常描绘了在单个大圆圈内连接在一起的一对晶体管元件。互补达林顿或
2023-02-16 18:19:11
绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些应用呢？如何去实现绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电磁兼容设计呢？
2022-01-14 07:02:41
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
异质结双极晶体管
2012-08-20 08:57:47
标准化的产物。4. 按形状分类根据功率及安装形态，决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
2019-05-05 01:31:57
求购双极晶体管BD249C，NPN，30个，要求现货。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
。因而同时具备了MOS管、GTR的优点。二．绝缘栅双极晶体管(IGBT)的特点：这种器件的特点是集MOSFET与GTR的优点于一身。输入阻抗高，速度快，热稳定性好。通态电压低，耐压高，电流大。它
2009-05-12 20:44:23
绝缘栅双极晶体管晶体管的发展1947年的圣诞前某一天，贝尔实验室中，布拉顿平稳地用刀片在三角形金箔上划了一道细痕，恰到好处地将顶角一分为二，分别接上导线，随即准确地压进锗晶体表面的选定部位。电流表
2012-08-02 23:55:11
绝缘栅双极晶体管（IGBT)
基础知识绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET复合，结合二者的优点1986年投
2009-04-14 22:13:397311 
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
一．绝缘栅双极晶
2009-05-12 20:42:001718 
绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
2009-10-06 22:56:596997 
绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有
2009-11-05 11:40:14722
双极晶体管
2009-11-07 10:44:021733 异质结双极晶体管,异质结双极晶体管是什么意思
异质结双极晶体管（Hetero-junction Bipolar Transistor,简称HBT)基区(base)异质结SiGe外延(图1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:555648 双极晶体管,双极晶体管是什么意思
双极晶体管
双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器
2010-03-05 11:48:466586 晶体管耗散功率,晶体管耗散功率是什么意思
晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大
2010-03-05 17:34:108979 双极晶体管属于电流控制器件，即加入变动的基极电流，产生集电极电流的变动。
2011-03-03 11:40:34
150 功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一， 采用10M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时， 以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典型的充电器开关电源中， 85 V 交流
2019-09-15 04:36:002672 
本文将介绍双极型晶体管的基本结构。双极晶体管是双极型结型晶体管（BJT）的简称，在电力半导体中，也称作大功率晶体管（GTR），在现代电力电子变换器中大多已经被MOSFET或者IGBT所代替。了解双极晶体管有助于深入理解现代功率器件的结构。
2018-03-05 16:12:1427407 
总部位于荷兰的分立和 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC领域的专家Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽车双极晶体管（符合 AEC-Q101 标准
2019-12-03 09:32:353351 本期介绍：本期ROHM君想与大家一同学习绝缘栅双极晶体管——IGBT，认识其原理及其应用。IGBT是一种功率开关晶体管，它结合了MOSFET和BJT的优点，用于电源和电机控制电路 该绝缘栅双极晶体管
2022-12-08 16:01:262780 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:150 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31CH-Q
2023-02-16 20:20:410 50 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:310 45 V、4 A NPN 大功率双极晶体管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:420 100 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-MJD41C-Q
2023-02-16 20:21:580 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070 100 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210 50 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110 45 V、4 A NPN 大功率双极晶体管-MJD148
2023-02-16 20:44:240 80 V、8 A PNP 大功率双极晶体管-MJD45H11A
2023-02-17 18:41:420 NPN/NPN大功率双双极晶体管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240 100 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61003NY
2023-02-17 19:34:120 NPN/PNP大功率双双极晶体管-PHPT610030NPK
2023-02-17 19:35:000 NPN/NPN大功率双双极晶体管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190 100 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 80 V、8 A PNP 大功率双极晶体管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390 80 V、8 A NPN 大功率双极晶体管-MJD44H11A
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2023-02-27 18:49:420 PNP/PNP匹配大功率双双极晶体管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:020 PNP/PNP大功率双双极晶体管-PHPT610030PK
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2023-02-27 18:52:010 40 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:170 100 V、10 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61010PY
2023-03-02 23:13:570 100 V、10 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61010NY
2023-03-02 23:14:120 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61006PY
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2023-03-02 23:14:570 40 V、10 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:141 100 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61002NYCLH
2023-03-03 19:27:250 Nexperia | 为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-05-24 12:15:481105 
“晶体管”现在可以分为多种类型，每种类型具有不同的功能和结构，例如FET、MOS FET、CMOS等也是广义上的晶体管。当然，它仍然是有源的，主要用于电压/信号放大和开关控制。在本文中，工程师将解释这种双极晶体管是什么，以及它的原理、机制和特点。
2023-07-07 10:14:495306 绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ，是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体，使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:294510 
绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
2023-11-24 14:45:342245 
【科普小贴士】什么是双极晶体管（BJT）？
2023-12-13 14:38:562201 
全球基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近期宣布了一项重要产品扩展计划，其备受欢迎的功率双极结型晶体管（BJT）系列再添新成员。此次，Nexperia隆重推出了二十款新型
2024-09-03 14:28:571386 电子发烧友网站提供《MJD31CA NPN高功率双极晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-14 16:19:460 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布扩展其双极性晶体管(BJT)产品组合，推出12款采用铜夹片封装(CFP15B)的MJD式样的双极性晶体管。这款名为MJPE系列
2025-07-18 14:19:472332 安森美 (onsemi) MJD31C双极晶体管为NPN设备，专为通用放大器和低速开关应用而设计。此系列互补功率晶体管采用环氧树脂，符合UL 94 V-0（0.125英寸）标准；其引脚经成型处理
2025-11-25 11:38:42507
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