英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2026-05-11 17:41

  新品 | 栅极驱动器搭配1200 V碳化硅SiC功率开关的半桥配置评估板

  

  新品栅极驱动器搭配1200V碳化硅SiC功率开关的半桥配置评估板英飞凌EVAL-1ED3321MC12N-SIC评估板是模块化评估平台的一部分，可简化EiceDRIVER1ED3321MC12N栅极驱动器与功率开关在半桥配置下的测试验证。该评估板可独立工作，也可插入EVAL-DCLINK-DPT主板，帮助设计工程师测量参数或进行双脉冲测试（DPT），并且兼容

  SiC 功率开关 评估板

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• 发布了文章 2026-05-07 17:04

  新品 | 1200V 62mm IGBT 7半桥模块产品线扩充

  

  新品1200V62mmIGBT7半桥模块产品线扩充英飞凌推出1200V62mm半桥模块产品扩充，额定电流涵盖450A到800A，采用预涂导热界面材料和共发射极配置。产品描述：■FF800R12KE7P■FF800R12KE7P_E■FF600R12KE7P■FF600R12KE7P_E■FF450R12KE7P■FF450R12KE7P_E产品特性最高功率密

  IGBT 半桥模块

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• 发布了文章 2026-04-29 08:04

  如何应用英飞凌新一代G2 CoolSiC™ MOSFET 提升系统效率

  

  CoolSiCMOSFETG21200V系列产品是英飞凌最新推出的SiCMOSFET产品，均采用了扩散焊工艺（.XT）来降低结壳热阻。TO247封装器件的导通电阻从7mΩ到78mΩ。产品系列如下：上表给出了G1与G2建议的替代关系。比如G1IMZA120R040M1H同G2IMZC120R034M2H和IMZA120R034M2H处在同一行，可以相互替换。为

  MOSFET SiC 英飞凌

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• 发布了文章 2026-04-24 08:03

  IPAC 2026双技术峰会报名火热，重磅嘉宾邀你共赴技术盛宴

  

  IPAC双技术峰会特别邀请到英飞凌与业内权威技术专家，他们将凭借深厚的专业知识和丰富的实践经验，为你深入剖析碳化硅（SiC）技术的未来发展方向与详细规划，同时全面解读SiC在热门应用领域的行业动态与技术前沿趋势。英飞凌碳化硅零碳应用技术大会时间：2026年5月22日地点：深圳特邀嘉宾：Dr.PeterFriedrichs碳化硅技术创新专家英飞凌科技未来社会将

  SiC 碳化硅 英飞凌

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• 发布了文章 2026-04-22 17:05

  SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

  

  01SiCMOSFET的体二极管及其关键特性无论是平面栅还是沟槽栅，SiCMOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示：图1.沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiCMOSFET图2.平面栅型MOSFETN+衬底(Substra

  MOSFET SiC 体二极管

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• 发布了文章 2026-04-20 17:04

  新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列

  

  新品CoolMOSCFD7SJ高压超结MOSFET650V系列650VCoolMOSCFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善了CoolMOS7系列产品，CoolMOSCFD7具备更低的栅极电荷(QG)、优化的关断特性，其反向恢复电荷(QRR)较竞品最多可降低69%，并拥有业界最低的反向恢复时间(trr)，底部散热封装最大程度降低导

  MOS MOSFET 英飞凌

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• 发布了文章 2026-04-16 17:05

  IPAC直播间丨英飞凌面向大功率组串式光伏的EasyHD3产品与应用

  

  光伏系统在降低碳排放、提升电网可再生能源占比方面发挥着重要作用。在组串式光伏逆变器应用中，功率密度与系统效率不断提高的需求，持续推动着功率半导体器件的进步，英飞凌全新EasyHD3系列产品正是为了实现更高功率密度和更高效率的目标而推出的重磅产品。2026年4月28日，IPAC直播间将为您介绍英飞凌面向组串式光伏的全新EasyHD3系列产品。请大家锁定频道，赶

  光伏 半导体器件 英飞凌

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• 发布了文章 2026-04-15 18:19

  SiC MOSFET的并联设计要点

  

  英飞凌碳化硅应用技术大会即将火热开启，聚焦前沿技术，探讨零碳未来，点击下方图片获取更多详情！SiCMOSFET的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiCMOSFET的并联应用的场景越来越普遍。不管是SiCMOSFE

  MOSFET SiC 芯片

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• 发布了文章 2026-04-13 17:04

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装

  

  新品CoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件采用TO-2474pin高爬电距离封装英飞凌采用高爬电距离封装的TO-2474pinCoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类

  SiC 分立器件 英飞凌

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• 发布了文章 2026-04-10 09:07

  IPAC大会全面升级，2026年开启双技术峰会！

  

  自2014年首届举办以来，IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命，深耕零碳技术领域，累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与，成为业内最具影响力的标杆盛会。2026年，IPAC大会全面升级，开启双技术峰会新篇章！为进一步聚焦零碳技术前沿，英飞凌将于2026年首次推出两大主题技术大会，诚邀您共襄盛举：英飞

  工业 碳化硅 英飞凌

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