英飞凌工业半导体

动态

• 发布了文章 2025-11-03 18:18

  新品 | 第五代CoolGaN™ 650-700V氮化镓功率晶体管G5

  

  新品第五代CoolGaN650-700V氮化镓功率晶体管G5第五代650-700VGaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。该系列GaN氮化镓晶体管现新增底部散热型ThinPAK8x8和DPAK封装版本，专为各种工业与消费类应用中的最优散热性能而设计。产品型号：■IGD70R500D2■IGD7

  GaN 晶体管 氮化镓

  2.2k浏览量

• 发布了文章 2025-10-29 17:02

  英飞凌推出采用全新 EasyPACK™ C 封装的碳化硅功率模块，助力提升工业应用的能效与使用寿命

  

  【2025年10月29日,德国慕尼黑讯】工业领域中的快速直流电动汽车（EV）充电、兆瓦级充电、储能系统，以及不间断电源设备，往往需要在严苛环境条件与波动负载的运行模式下工作。这些应用对高能效、稳定的功率循环能力以及较长的使用寿命有着极高的要求。为满足这些需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFN

  工业 碳化硅 英飞凌

  978浏览量

• 发布了文章 2025-10-27 17:03

  英飞凌IPOSIM平台加入基于SPICE的模型生成工具，助力提升系统级仿真精度

  

  【2025年10月27日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出的英飞凌功率仿真平台（IPOSIM）被广泛用于计算功率模块、分立器件及盘式器件的损耗与热特性。目前，该平台已集成一款基于SPICE（电路仿真程序）的模型生成工具，可将外部电路和栅极驱动器选型纳入系统级仿真。该工具通过充分考虑器件的非线性半导体物理特

  SPICE 仿真 模型 英飞凌

  279浏览量

• 发布了文章 2025-10-23 17:05

  IGBT模块工作环境温湿度条件解析

  

  在散热器上安装的IGBT模块并非密封设计，尽管芯片上方有一层硅胶，但是水汽仍然可以通过外壳间隙以及硅胶进入器件芯片内部。因此，器件在使用和存储过程中，必须避免湿气或者腐蚀性气体。目前大多数IGBT模块允许工作的温湿度以及气候条件遵循IEC60721-3-3规定,为使客户更加了解IGBT的使用环境条件，本文主要介绍温度以及湿度运行条件。IEC60721-3-3

  IGBT 散热器

  1.7k浏览量

• 发布了文章 2025-10-20 17:33

  新品 | 用于热泵的带变频器的 Econo PFC

  

  新品用于热泵的带变频器的EconoPFC首个集成了维也纳PFC和压缩机变频器的热泵应用一体化模块解决方案。采用最新的IGBT7芯片技术，采用成熟的Econo2封装。产品型号：■FP35R12N2T7_B67产品特点TRENCHSTOPIGBT7技术集成维也纳PFC和压缩机变频器一体化解决方案，使用方便，设计紧凑成熟的Econo2封装应用价值一体化解决方案，使

  PFC 压缩机 变频器

  993浏览量

• 发布了文章 2025-10-17 18:28

  英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列

  

  【2025年10月17日,德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行，在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整体系统性能。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网

  MOSFET 封装 英飞凌

  613浏览量

• 发布了文章 2025-10-15 18:33

  新品 | 适用于10kW以下三相B6逆变器的评估板设计

  

  新品适用于10kW以下三相B6逆变器的评估板设计EVAL_10kW_B6_SiC400V使用带有隔离栅极驱动器的B6逆变器来驱动电机，支持高达10kW的ACIM和PMSM。它采用B6配置的CooISiCMOSFET400VG2，可进行功率级别微调。该套件包括一块电源板、一块电容器板和一块栅极驱动器板，使设计人员和研究人员能够在工作设置中对其进行评估，并根据他

  评估板 逆变器

  1.6k浏览量

• 发布了文章 2025-10-13 18:06

  新品 | CIPOS™ Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列

  

  新品CIPOSMaxi1200V碳化硅SiCIPMIM12SxxEA2系列高性能CIPOSMaxi转模封装SiCIPMIM12SxxEA2系列基于1200VCooSiCMOSFET技术。产品组合包括60mΩ和90mΩ，提供两种新产品：IM12S60EA2和IM12S90EA2。该系列集成了6个CoolSiCMOSFET和一个优化的1200V6通道SOI栅极驱

  IPM SiC 碳化硅

  274浏览量

• 发布了文章 2025-09-27 08:03

  光伏与电力电子技术的探索之旅

  

  本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自清华大学的梁露露投稿。绿皮火车轰隆隆一路向西驶去，窗外的景色由绿色逐渐变得荒凉，鳞次栉比的太阳能光伏板形成一片“蓝色的海洋”，在阳光的照耀下熠熠生辉。这是今日中国西部广袤荒野中的一道独特风景，也是中国光伏产业蓬勃发展的生动写照。当今，能源问题如同高悬于人类头顶的达摩克利斯之剑，光伏发电正以其清洁、可再生的独特优

  光伏 光伏发电 电力电子

  2.6k浏览量

• 发布了文章 2025-09-24 19:05

  PCIM2025论文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服务器和人工智能电源实现更高的效率和功率密度

  

  *本论文摘要由PCIM官方授权发布内容摘要400VSiCMOSFET技术可以实现更低的开关损耗和导通损耗。简要介绍了该器件的概念和特性。在用于服务器应用的电源(PSU)中对其优势进行了研究，该电源在176V-265V交流输入和50V输出电压下可提供3.3kW的功率。该设备采用三电平飞跨电容图腾柱PFC。文中讨论了启动期间对飞跨电容充电的注意事项。PSU的尺寸

  MOSFET 人工智能 服务器 电源

  440浏览量