英飞凌工业半导体

动态

• 发布了文章 2025-08-20 17:04

  PCIM2025论文摘要 | 1200V CoolSiC™ MOSFET G2分立器件的开关行为调查

  

  完整版内容请关注2025PCIMAsia英飞凌将为您带来更多分享*本论文摘要由PCIM官方授权发布摘要英飞凌CoolSiCMOSFETG2通过单元间距缩小和结构优化实现了更高的性能。本研究通过在不同负载电流和栅极电阻条件下进行双脉冲测试，对其动态特性进行了分析。结果表明，在保持低导通损耗的同时，开关损耗比G1降低了40%。本文针对高频应用提出了栅极电阻和负电

  MOSFET SiC 分立器件

  1.1k浏览量

• 发布了文章 2025-08-18 17:05

  浅谈制氢电源及英飞凌解决方案

  

  大家对氢元素肯定都不陌生，认识它基本都是从背元素周期表开始的。近年来我们身边多了很多氢的身影，从北京冬奥会的氢燃料电池大巴，再到广州南沙小虎岛电氢智慧能源站，氢也越来越被大家熟知。工业上，氢的使用可是一点都不少，自1975年以来，需求量增长了三倍，而且还在继续增长。然而，氢气生产目前几乎全部由化石燃料供应，消耗了全球约6%的天然气和2%的煤炭。据估计，目前全

  智慧能源 电源 英飞凌

  1.2k浏览量

• 发布了文章 2025-08-16 08:33

  释放电力的自由：无线电能传输大揭秘

  

  作者简介本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自香港科技大学刘昶的投稿。在电子产品深刻改变人类生产生活方式的今天，大家对于无线充电技术早已不陌生，日常可以接触到的消费类电子产品诸如手机、电动牙刷都可以使用，但你有没有想过为什么这项技术现在才开始流行，它背后有哪些原理与奇妙的现象，已经被用在了哪些你可能不太熟悉的场景，未来又会怎样改变我们的生活呢？本文

  无线电能 电力 电磁

  2.6k浏览量

• 发布了文章 2025-08-15 17:34

  PCIM2025论文摘要 | 针对储能系统应用(ESS)的优化驱动器设计策略

  

  本论文摘要由PCIM官方授权发布1简介本文介绍了一种用于储能系统（ESS）的自适应驱动器优化策略，以应对过载可靠性和运行效率方面的挑战。通过根据实时负载条件动态调整栅极电阻（Rgon/Rgoff），该策略在正常运行期间实现了开关损耗最小化，同时在过载条件下（额定电流的1.5至3倍）抑制了电压应力并提高了可靠性。所提出的方法已在215

  ess 储能系统 驱动器设计

  1.2k浏览量

• 发布了文章 2025-08-14 17:03

  数据为王，硬核开讲丨2025 IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会倒计时4天！

  

  一年一度的英飞凌零碳工业应用技术大会（IPAC）下周二震撼启幕！用数据说话，以硬核案例破解行业难题！核心亮点抢先剧透CoolSiCMOSFETG2设计全攻略光储应用：选型黄金标准+结温&EMI关键设计参数充电模块：功率段精准匹配+效率提升技巧：实战技巧：死区时间与驱动电阻如何优化最新产品解决方案首发最新EasyHD封装方案优势对比开关损耗锐减秘籍逆变工况下仿

  英飞凌 零碳城市

  1.1k浏览量

• 发布了文章 2025-08-11 17:04

  新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展

  

  新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封装分立器件产品扩展CoolSiC1200VMOSFET（顶部散热Q-DPAK单管封装）专为工业应用设计，适用于电动汽车充电、光伏、不间断电源（UPS）、固态断路器（SSCB）、工业驱动、人工智能（AI）及网联自动驾驶汽车（CAV）等领域。Q-DPAK封装通过简化组装流程并保持卓越的散热性能，帮助客户

  MOSFET SiC 分立器件

  1.6k浏览量

• 发布了文章 2025-08-09 08:33

  手机的200W快充是如何实现的？

  

  来自上海科技大学李泽晖的投稿。你是否还记得你的第一部手机？我的第一部手机功能不多，反应迟钝，样子也不太好看，各方面都不如现在手边的这位。无线通信技术的快速发展推动了智能手机的更新换代，电力电子技术也在这一进程中扮演了极重要的角色。当我们回顾手机的发展历程时，充电速度无疑是其中一项令人瞩目的进步。从最初的“5V1A”到

  充电 快充 手机快充

  2.1k浏览量

• 发布了文章 2025-08-07 17:06

  新品 | 英飞凌CoolSiC™ 第五代1200 V碳化硅肖特基二极管

  

  新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二极管1200VCoolSiC1200V肖特基二极管采用TO-247-2封装，可实现高效紧凑设计，具有增强的鲁棒性和可靠性。该产品通过了雪崩测试验证，电流等级高达150A，采用.XT扩散焊技术，拥有丰富的产品组合。产品型号：■IDWD50G120C5■IDWD60G120C5■IDWD75G120C5■IDWD150G12

  二极管 碳化硅 英飞凌

  1.2k浏览量

• 发布了文章 2025-08-05 17:04

  LLC轻载下输出特性分析及保持输出电压可控的解决方案

  

  摘要LLC拓扑广泛应用于各种功率转换设备中，然而LLC拓扑在轻载及空载情况下，即使工作频率范围很宽，往往仍然出现输出电压超出规格要求的现象。本文从理论上对引起该问题的原因进行了深入分析，证明变压器原边等效并联电容和原边MOSFET的输出电容时造成该问题的根本原因，并针对根因提出了减小等效电容，原边MOSFET并联电容，谐振电感并联电容，增加变压器原副边匝比，

  LLC 变换器 电压

  2.2k浏览量

• 发布了文章 2025-08-04 18:10

  新品 | EconoDUAL™ 3 IGBT 7 1700V 900A半桥模块带EC8二极管

  

  新品EconoDUAL3IGBT71700V900A半桥模块带EC8二极管通过EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V半桥模块实现可再生能源转换效率最大化，助力脱碳进程产品型号：■FF900R17ME7C框图产品特点持续运行工况Tvj(op)max175℃功率端子载流能力提升，输出电流900A集成1700VEmCon8MePo二极管3.4

  IGBT 二极管 再生能源

  2.2k浏览量