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发布了文章 2025-11-12 17:02

ANPC拓扑调制策略特点及损耗分析(下)

上篇（ANPC拓扑调制策略特点及损耗分析(上)）我们讨论了ANPC的基本原理，换流路径及调制策略，本文通过PLECS仿真工具来分析在不同的调制方式和工况下ANPC各位置芯片的开关状态和损耗分布情况。ANPC-PWM1设计实例由于不同特性和规格的芯片各自静态和动态参数不同，使用相规格的芯片便于分析损耗分布，在这里选用Econodual3半桥模块FF900R12

ANPC PCS 芯片

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发布了文章 2025-11-07 13:21

英飞凌携手SolarEdge共同推进AI数据中心高效电力基础设施的发展

英飞凌携手SolarEdge，推动面向人工智能（AI）及超大规模数据中心的新一代高效固态变压器（SST）技术发展。全新的固态变压器（SST）专为实现在中压至800–1500伏直流电（DC）转换而设计，其转换效率超过99%，同时减小设备体积、降低重量，并有效减少了碳排放足迹。此次合作将SolarEdge在直流电（DC）领域的专业技术与英飞凌的半导体创新相结合，

AI 电力英飞凌

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发布了文章 2025-11-05 17:06

ANPC拓扑调制策略特点及损耗分析 (上)

ANPC（ActiveNeutralPointClamped）拓扑即有源中点钳位技术，是基于NPC型三电平拓扑改进而来，最早提出是用来克服NPC三电平拓扑损耗分布不均匀和中点电位问题。从结构上看，ANPC是将NPC1的钳位二极管替换为IGBT与二极管反并联钳位的结构，与NPC1一样可以实现三电平输出以降低谐波，且器件耐压和NPC1相同。通过增加两个IGBT，

ANPC 变流器钳位二极管

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发布了文章 2025-11-03 18:18

新品 | 第五代CoolGaN™ 650-700V氮化镓功率晶体管G5

新品第五代CoolGaN650-700V氮化镓功率晶体管G5第五代650-700VGaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。该系列GaN氮化镓晶体管现新增底部散热型ThinPAK8x8和DPAK封装版本，专为各种工业与消费类应用中的最优散热性能而设计。产品型号：■IGD70R500D2■IGD7

GaN 晶体管氮化镓

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发布了文章 2025-10-29 17:02

英飞凌推出采用全新 EasyPACK™ C 封装的碳化硅功率模块，助力提升工业应用的能效与使用寿命

【2025年10月29日,德国慕尼黑讯】工业领域中的快速直流电动汽车（EV）充电、兆瓦级充电、储能系统，以及不间断电源设备，往往需要在严苛环境条件与波动负载的运行模式下工作。这些应用对高能效、稳定的功率循环能力以及较长的使用寿命有着极高的要求。为满足这些需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFN

工业碳化硅英飞凌

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发布了文章 2025-10-27 17:03

英飞凌IPOSIM平台加入基于SPICE的模型生成工具，助力提升系统级仿真精度

【2025年10月27日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出的英飞凌功率仿真平台（IPOSIM）被广泛用于计算功率模块、分立器件及盘式器件的损耗与热特性。目前，该平台已集成一款基于SPICE（电路仿真程序）的模型生成工具，可将外部电路和栅极驱动器选型纳入系统级仿真。该工具通过充分考虑器件的非线性半导体物理特

SPICE 仿真模型英飞凌

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发布了文章 2025-10-23 17:05

IGBT模块工作环境温湿度条件解析

在散热器上安装的IGBT模块并非密封设计，尽管芯片上方有一层硅胶，但是水汽仍然可以通过外壳间隙以及硅胶进入器件芯片内部。因此，器件在使用和存储过程中，必须避免湿气或者腐蚀性气体。目前大多数IGBT模块允许工作的温湿度以及气候条件遵循IEC60721-3-3规定,为使客户更加了解IGBT的使用环境条件，本文主要介绍温度以及湿度运行条件。IEC60721-3-3

IGBT 散热器

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发布了文章 2025-10-20 17:33

新品 | 用于热泵的带变频器的 Econo PFC

新品用于热泵的带变频器的EconoPFC首个集成了维也纳PFC和压缩机变频器的热泵应用一体化模块解决方案。采用最新的IGBT7芯片技术，采用成熟的Econo2封装。产品型号：■FP35R12N2T7_B67产品特点TRENCHSTOPIGBT7技术集成维也纳PFC和压缩机变频器一体化解决方案，使用方便，设计紧凑成熟的Econo2封装应用价值一体化解决方案，使

PFC 压缩机变频器

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发布了文章 2025-10-17 18:28

英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列

【2025年10月17日,德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行，在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整体系统性能。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网

MOSFET 封装英飞凌

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发布了文章 2025-10-15 18:33

新品 | 适用于10kW以下三相B6逆变器的评估板设计

新品适用于10kW以下三相B6逆变器的评估板设计EVAL_10kW_B6_SiC400V使用带有隔离栅极驱动器的B6逆变器来驱动电机，支持高达10kW的ACIM和PMSM。它采用B6配置的CooISiCMOSFET400VG2，可进行功率级别微调。该套件包括一块电源板、一块电容器板和一块栅极驱动器板，使设计人员和研究人员能够在工作设置中对其进行评估，并根据他

评估板逆变器