英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2026-04-09 17:06

  英飞凌与为光能源深度携手，共筑固态变压器（SST）高可靠新未来

  

  近日，英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200VTRENCHSTOPIGBT7及CoolSiCMOSFETG2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计

  SST 变压器 英飞凌

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• 发布了文章 2026-04-08 17:31

  沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

  

  对于我国的电力电子界来说，固态变压器（SST）并非是一个全新的话题，在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈，SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及，和未来智能电网的电力潮流双向流动，让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。随着AI算力向MW

  MOSFET SiC SST 变压器

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• 发布了文章 2026-04-07 17:05

  新品 | EasyPACK™ 2B TRENCHSTOP™ IGBT5 650V H5模块，专为暖通空调与热泵设计

  

  新品EasyPACK2BTRENCHSTOPIGBT5650VH5模块，专为暖通空调与热泵设计EasyPACK2B650V,35A模块采用TRENCHSTOP5H5技术，可以用在维也纳整流器中，集成NTC温度传感器，提供焊接式引脚和PressFIT压接式引脚可选，适用于变频驱动与热泵应用。产品型号：■FS3L35R07W2H5_40■FS3L35R07W2H

  IGBT 英飞凌

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• 发布了文章 2026-04-01 17:10

  SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨

  

  在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对于SiCMOSFET器件来说，问题变得复杂了。因为在相同的电流等级下，SiCMOSFET的短路耐受时间通常比IGBT小很多。这主要是因为SiCMOSFET的芯片尺寸比传统的硅基器件小很多，同时非常薄的外延层使

  MOSFET SiC 英飞凌

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• 发布了文章 2026-03-30 17:06

  新品 | 储能系统EconoPACK™ 3 TRENCHSTOP™ IGBT 1200V H7模块

  

  新品储能系统EconoPACK3TRENCHSTOPIGBT1200VH7模块两款新型EconoPACK3B模块采用1200V/500A三电平NPC1拓扑结构，一款集成NTC温度传感器和TRENCHSTOPIGBT7芯片，一款采用SiC二极管、TRENCHSTOPIGBT7芯片和集成NTC温度传感器。产品型号：■F3L500R12N3H7_B66■F3L50

  EconoPACK IGBT 储能系统

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• 发布了文章 2026-03-26 17:34

  英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点

  

  在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiCMOSFETG2系列产品，以全方位的性能突破，重新定义了SiCMOSFET的行业标准，为光伏、储能、电动汽车充电等关键领域注入强劲动力。相比于G1单管器件仅

  MOSFET SiC 英飞凌

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• 发布了文章 2026-03-23 17:05

  新品 | 英飞凌XHP™ 2系列新增2300V IGBT模块

  

  新品英飞凌XHP2系列新增2300VIGBT模块英飞凌XHP2系列新增2300V产品，顺应可再生能源等应对更高直流母线电压的趋势。该模块额定值为2300V/1400A，采用TRENCHSTOPIGBT7芯片技术，在6kV电气隔离电压下，为高功率应用提供了卓越的功率密度和效率。可选预涂导热界面材料TIM版本，以简化组装并优化散热性能。产品型号：■FF1400R

  IGBT 芯片 英飞凌

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• 发布了文章 2026-03-19 17:04

  新品 | 英飞凌600V CoolGaN™ Drive HB G5集成驱动器

  

  新品英飞凌600VCoolGaNDriveHBG5集成驱动器CoolGaNDriveHB600VG5系列产品，在一个小巧的6x8TFLGA-27封装中，集成了一个由两个600VCoolGaNG5晶体管构成的半桥功率级、一个电平移位栅极驱动器以及一个自举二极管。产品型号：■IGI60L1414B1M■IGI60L2727B1M■IGI60L5050B1M产品特

  GaN 英飞凌 驱动器

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• 发布了文章 2026-03-18 17:06

  英飞凌第二代1200V CoolSiC™ MOSFET品质因数(FOM)介绍

  

  品质因数FOM是半导体性能的量化指标之一。MOSFET的FOM由漏-源导通电阻与器件的一个或多个参数的乘积得出。FOM值越低，器件性能越好。如下是对SiCMOSFET具有重要意义的品质因数：RDS(on)*Area:这是最常用的FOM，它代表了MOSFET技术的进步RDS(ON)×Qg:综合反映静态导通损耗与栅极驱动损耗，是器件选型与代际对比的基础指标RDS

  MOSFET SiC 英飞凌

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• 发布了文章 2026-03-16 17:07

  直播报名丨2026年宽禁带开发者论坛邀请函

  

  多年来，英飞凌宽禁带开发者论坛始终是碳化硅与氮化镓领域专家聚集一堂的年度盛会。2026年3月17日（中国时间16点开始），我们将在慕尼黑演播室为您全程直播专业演讲内容。我们的部门总裁Dr.PeterWawer（零碳工业功率事业部）和AdamWhite（电源与传感系统事业部）的欢迎演讲将为活动拉开帷幕，并就市场发展和英飞凌宽禁带战略提供深刻洞见。扫码报名，预约

  宽禁带半导体 碳化硅 英飞凌

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