英飞凌工业半导体文章

• SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择2026-04-22 17:05

  

  01SiCMOSFET的体二极管及其关键特性无论是平面栅还是沟槽栅，SiCMOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示：图1.沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiCMOSFET图2.平面栅型MOSFETN+衬底(Substra

  MOSFET SiC 体二极管 212浏览量

• 新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列2026-04-20 17:04

  

  新品CoolMOSCFD7SJ高压超结MOSFET650V系列650VCoolMOSCFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善了CoolMOS7系列产品，CoolMOSCFD7具备更低的栅极电荷(QG)、优化的关断特性，其反向恢复电荷(QRR)较竞品最多可降低69%，并拥有业界最低的反向恢复时间(trr)，底部散热封装最大程度降低导

  MOS MOSFET 英飞凌 716浏览量

• IPAC直播间丨英飞凌面向大功率组串式光伏的EasyHD3产品与应用2026-04-16 17:05

  

  光伏系统在降低碳排放、提升电网可再生能源占比方面发挥着重要作用。在组串式光伏逆变器应用中，功率密度与系统效率不断提高的需求，持续推动着功率半导体器件的进步，英飞凌全新EasyHD3系列产品正是为了实现更高功率密度和更高效率的目标而推出的重磅产品。2026年4月28日，IPAC直播间将为您介绍英飞凌面向组串式光伏的全新EasyHD3系列产品。请大家锁定频道，赶

  光伏 半导体器件 英飞凌 1166浏览量

• SiC MOSFET的并联设计要点2026-04-15 18:19

  

  英飞凌碳化硅应用技术大会即将火热开启，聚焦前沿技术，探讨零碳未来，点击下方图片获取更多详情！SiCMOSFET的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiCMOSFET的并联应用的场景越来越普遍。不管是SiCMOSFE

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• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装2026-04-13 17:04

  

  新品CoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件采用TO-2474pin高爬电距离封装英飞凌采用高爬电距离封装的TO-2474pinCoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类

  SiC 分立器件 英飞凌 886浏览量

• IPAC大会全面升级，2026年开启双技术峰会！2026-04-10 09:07

  

  自2014年首届举办以来，IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命，深耕零碳技术领域，累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与，成为业内最具影响力的标杆盛会。2026年，IPAC大会全面升级，开启双技术峰会新篇章！为进一步聚焦零碳技术前沿，英飞凌将于2026年首次推出两大主题技术大会，诚邀您共襄盛举：英飞

  工业 碳化硅 英飞凌 397浏览量

• 英飞凌与为光能源深度携手，共筑固态变压器（SST）高可靠新未来2026-04-09 17:06

  

  近日，英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200VTRENCHSTOPIGBT7及CoolSiCMOSFETG2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计

  SST 变压器 英飞凌 827浏览量

• 沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解2026-04-08 17:31

  

  对于我国的电力电子界来说，固态变压器（SST）并非是一个全新的话题，在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈，SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及，和未来智能电网的电力潮流双向流动，让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。随着AI算力向MW

  MOSFET SiC SST 变压器 169浏览量

• 新品 | EasyPACK™ 2B TRENCHSTOP™ IGBT5 650V H5模块，专为暖通空调与热泵设计2026-04-07 17:05

  

  新品EasyPACK2BTRENCHSTOPIGBT5650VH5模块，专为暖通空调与热泵设计EasyPACK2B650V,35A模块采用TRENCHSTOP5H5技术，可以用在维也纳整流器中，集成NTC温度传感器，提供焊接式引脚和PressFIT压接式引脚可选，适用于变频驱动与热泵应用。产品型号：■FS3L35R07W2H5_40■FS3L35R07W2H

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• SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨2026-04-01 17:10

  

  在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对于SiCMOSFET器件来说，问题变得复杂了。因为在相同的电流等级下，SiCMOSFET的短路耐受时间通常比IGBT小很多。这主要是因为SiCMOSFET的芯片尺寸比传统的硅基器件小很多，同时非常薄的外延层使

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