英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2025-08-15 17:34

  PCIM2025论文摘要 | 针对储能系统应用(ESS)的优化驱动器设计策略

  

  本论文摘要由PCIM官方授权发布1简介本文介绍了一种用于储能系统（ESS）的自适应驱动器优化策略，以应对过载可靠性和运行效率方面的挑战。通过根据实时负载条件动态调整栅极电阻（Rgon/Rgoff），该策略在正常运行期间实现了开关损耗最小化，同时在过载条件下（额定电流的1.5至3倍）抑制了电压应力并提高了可靠性。所提出的方法已在215

  ess 储能系统 驱动器设计

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• 发布了文章 2025-08-14 17:03

  数据为王，硬核开讲丨2025 IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会倒计时4天！

  

  一年一度的英飞凌零碳工业应用技术大会（IPAC）下周二震撼启幕！用数据说话，以硬核案例破解行业难题！核心亮点抢先剧透CoolSiCMOSFETG2设计全攻略光储应用：选型黄金标准+结温&EMI关键设计参数充电模块：功率段精准匹配+效率提升技巧：实战技巧：死区时间与驱动电阻如何优化最新产品解决方案首发最新EasyHD封装方案优势对比开关损耗锐减秘籍逆变工况下仿

  英飞凌 零碳城市

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• 发布了文章 2025-08-11 17:04

  新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展

  

  新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封装分立器件产品扩展CoolSiC1200VMOSFET（顶部散热Q-DPAK单管封装）专为工业应用设计，适用于电动汽车充电、光伏、不间断电源（UPS）、固态断路器（SSCB）、工业驱动、人工智能（AI）及网联自动驾驶汽车（CAV）等领域。Q-DPAK封装通过简化组装流程并保持卓越的散热性能，帮助客户

  MOSFET SiC 分立器件

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• 发布了文章 2025-08-09 08:33

  手机的200W快充是如何实现的？

  

  来自上海科技大学李泽晖的投稿。你是否还记得你的第一部手机？我的第一部手机功能不多，反应迟钝，样子也不太好看，各方面都不如现在手边的这位。无线通信技术的快速发展推动了智能手机的更新换代，电力电子技术也在这一进程中扮演了极重要的角色。当我们回顾手机的发展历程时，充电速度无疑是其中一项令人瞩目的进步。从最初的“5V1A”到

  充电 快充 手机快充

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• 发布了文章 2025-08-07 17:06

  新品 | 英飞凌CoolSiC™ 第五代1200 V碳化硅肖特基二极管

  

  新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二极管1200VCoolSiC1200V肖特基二极管采用TO-247-2封装，可实现高效紧凑设计，具有增强的鲁棒性和可靠性。该产品通过了雪崩测试验证，电流等级高达150A，采用.XT扩散焊技术，拥有丰富的产品组合。产品型号：■IDWD50G120C5■IDWD60G120C5■IDWD75G120C5■IDWD150G12

  二极管 碳化硅 英飞凌

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• 发布了文章 2025-08-05 17:04

  LLC轻载下输出特性分析及保持输出电压可控的解决方案

  

  摘要LLC拓扑广泛应用于各种功率转换设备中，然而LLC拓扑在轻载及空载情况下，即使工作频率范围很宽，往往仍然出现输出电压超出规格要求的现象。本文从理论上对引起该问题的原因进行了深入分析，证明变压器原边等效并联电容和原边MOSFET的输出电容时造成该问题的根本原因，并针对根因提出了减小等效电容，原边MOSFET并联电容，谐振电感并联电容，增加变压器原副边匝比，

  LLC 变换器 电压

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• 发布了文章 2025-08-04 18:10

  新品 | EconoDUAL™ 3 IGBT 7 1700V 900A半桥模块带EC8二极管

  

  新品EconoDUAL3IGBT71700V900A半桥模块带EC8二极管通过EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V半桥模块实现可再生能源转换效率最大化，助力脱碳进程产品型号：■FF900R17ME7C框图产品特点持续运行工况Tvj(op)max175℃功率端子载流能力提升，输出电流900A集成1700VEmCon8MePo二极管3.4

  IGBT 二极管 再生能源

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• 发布了文章 2025-08-01 17:05

  英飞凌推出采用Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2，将工业应用功率密度提升至新高度

  

  【2025年8月1日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiCMOSFET1200VG2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度，专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计，例如电动汽车充电

  MOSFET 工业 英飞凌

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• 发布了文章 2025-07-31 17:04

  新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块

  

  新品针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模块英飞凌推出针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK2B模块，采用六单元配置，通过AQG324认证。一个模块采用CoolSiCMOSFET技术1200V、17mΩ，配备NTC和PressFIT压接技术。另一个模块基于TRENCHSTOPIGBT7技术1200V、100A，配备

  SiC 电动汽车 车载充电器

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• 发布了文章 2025-07-30 17:30

  1700V EconoDUAL™ 3 IGBT7助力690V变频器扩容提频

  

  随着国家“双碳”政策的推进，大力推广节能减排技术已经在各行业逐步深化。在高能耗的工业应用中，通过变频器控制电机调速可以节能大约15-40%，有着巨大的经济效益，因此一直是节能减排的重要措施。作为通用变频器重要的细分产品，690V变频器主要应用于冶金、石油、造纸、港口大型起重设备和船舶等领域。英飞凌上一代的1700VEconoDUAL3IGBT4模块已经在69

  变频器 芯片

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