英飞凌工业半导体

动态

• 发布了文章 2026-02-11 17:04

  深耕获认可，开年捷报传！英飞凌喜迎新年开门红

  

  2026开年，英飞凌屡获殊荣，喜迎开门红。依托全球领先的功率半导体技术、第三代半导体（SiC/GaN）创新产品布局，收获客户的深度信赖，英飞凌始终秉持以客户为中心的发展理念，将客户需求深度融入产品定义、技术研发与解决方案设计的全流程。*以下排名不分先后金风科技2026年全球供应商大会长期价值奖锦浪科技2025年度战略合作伙伴奖麦田能源2025年度战略合作伙伴

  SiC 半导体 英飞凌

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• 发布了文章 2026-02-10 17:05

  马启新程·智赋电力｜英飞凌定义AI时代电力新范式

  

  在AI与清洁能源深度融合的今天，英飞凌凭借其功率半导体领域的深厚积累与完整产品线，不仅为数据中心、智能电网、储能系统等关键基础设施提供性能卓越的“电力心脏”，更将通过持续创新推动能源利用效率的边界拓展，助力全球加速迈向低碳、智能的AI电力新时代。恰逢马年新春，英飞凌携技术实力送福，限定马年红包同步上线，伴大家智启新岁、共赴电力新时代！AI时代全面布局，英

  AI 电力 英飞凌

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• 发布了文章 2026-02-05 17:04

  新品 | TRENCHSTOP™ IGBT 7 H7 750V分立器件

  

  新品TRENCHSTOPIGBT7H7750V分立器件TRENCHSTOPIGBT7H7750V硬开关型分立器件，是650V版本的升级产品，专为满足绿色高效能源应用中对更高电压处理能力的需求而设计。通过提升额定电压，该器件能承受更高的电压尖峰与过压工况，使其成为对可靠性和效率有严苛要求的应用场景的理想选择。产品型号：■IKZA50N75EH7■IKZA75N

  IGBT 分立器件

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• 发布了文章 2026-02-04 17:03

  英飞凌氮化镓技术赋能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆变器

  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布将为EnphaseEnergy,Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆变器提供其突破性的氮化镓（GaN）技术。EnphaseEnergy是一家全球领先的能源技术公司，同时也是光伏及电池系统微型逆变器领域全球领先的供应商。英飞凌的CoolGaN双向开关（BDS）技术可大幅提升Enphas

  氮化镓 英飞凌 逆变器

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• 发布了文章 2026-02-02 17:09

  新品 | 采用6500V IGBT 4沟槽栅场截止技术的IHV-A模块

  

  新品采用6500VIGBT4沟槽栅场截止技术的IHV-A模块IHV系列6500V/675A/130mmIGBT模块，应用了IGBT4沟槽栅场截止技术，是高压直流输电用电压源换流器、牵引传动及工业应用的理想解决方案。产品型号：■FZ675R65KE4产品特性低饱和压降VCEsat铝碳化硅AlSiC基板存储温度下限可达-55°C封装材料CTI>600应用价值助力

  IGBT 英飞凌 逆变器

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• 发布了文章 2026-01-29 17:07

  新品 | Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC™ 750V MOSFET评估板

  

  新品Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC750VMOSFET评估板EVAL_QDPAK_FB_V2_1评估板旨在评估采用Q-DPAK封装的CoolSiC750VMOSFET的开关性能。该板集成了四颗SiCMOSFET及与之配套的EiceDRIVER隔离栅极驱动芯片。通过优化的功率回路设计实现高速开关，本评估板完美展示了如何在Q-DPAK封装中最佳地应用高速

  MOSFET 碳化硅 评估板

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• 发布了文章 2026-01-28 17:08

  白皮书下载｜使用PSOC™ Control C3和CoolGaN™解决方案，打造可靠、节能、安全的家电设计

  

  在家电应用中，可靠性、安全性和使用寿命至关重要。随着开关频率和功率密度不断提升，短路、过电流以及电压尖峰带来的灾难性故障的风险也随之增加。为了避免MOSFET、IGBT、GaN等敏感器件因过热而受损，系统必须在亚微秒级完成故障检测与隔离。英飞凌PSOCControlC3微控制器（MCU）以其无以伦比的性价比应用于实时电机控制和功率转换领域。该产品基于单核Ar

  GaN PSoC 家电设计

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• 发布了文章 2026-01-26 18:42

  新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板

  

  新品碳化硅SiC5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器，能将400V直流输入电压转换为稳定的50V直流输出电压。得益于CoolSiC器件的卓越性能与顶部散热封装方案，该板实现了接近99%的效率与170W/in³的超高功率密度。产品型号：■EVAL_5K5W_3PH_LLC_

  LLC谐振 变换器 碳化硅

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• 发布了文章 2026-01-22 17:05

  新品 | CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V

  

  新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半桥模块通过AQG324认证，采用PressFIT引脚和预涂导热界面材料，集成NTC温度传感器，具有1200V耐压和4mΩ导通电阻，专为电动汽车电驱动系统与电动航空生态系统中的功率转换应用而设计。产品型号：■FF4MR12W2M1HP_B11_A

  MOSFET SiC 碳化硅

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• 发布了文章 2026-01-19 17:14

  新品 | 英飞凌第五代CoolGaN™ BDS 650V 氮化镓双向开关

  

  新品英飞凌第五代CoolGaNBDS650V氮化镓双向开关CoolGaNG5系列650V双向开关（BDS）是一款单片集成器件，能够在两个方向上主动阻断电压和电流。它在电力电子领域，特别是在实现单级功率变换方面，是一项卓越的创新。该器件采用TOLT封装，能够实现高功率密度设计，是多种应用场景下的通用化优选方案，并可助力实现具备成本优势的创新拓扑结构。产品型号：

  双向开关 氮化镓 英飞凌

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