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英飞凌工业半导体

同名公众号致力于打造电力电子工程师园地,英飞凌功率半导体产品、技术和应用的交流平台,包括工程师应用知识和经验分享,在线课程、研讨会视频集锦。

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动态

  • 发布了文章 2026-01-15 17:09

    新品 | 第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管

    新品第五代氮化镓CoolGaN650VG5双通道晶体管第五代氮化镓CoolGaN650VG5双通道晶体管将半桥功率级集成于小型6×8mmQFN-32封装中,该功率级由两个导通电阻典型值140mΩ、耐压650V的增强型CoolGaN晶体管组成。该产品凭借CoolGaN晶体管卓越的开关特性,非常适合用于实现AC-DC充电器与适配器的高功率密度设计,以及低功率电机
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  • 发布了文章 2026-01-12 17:03

    新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第二代产品,新增75mΩ型号

    新品CoolSiCMOSFET650V第二代产品,新增75mΩ型号CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代沟槽SiCMOSFET技术打造,通过提升性能、增强设计灵活性及鲁棒性,实现系统性价比的飞跃。该系列在硬开关与软开关拓扑中均能实现顶级的效率、高频开关特性及可靠性。产品型号:■IMBG65R075M2H■IMW65R075M2H■I
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  • 发布了文章 2026-01-07 17:06

    新品 | 采用半桥架构的 1ED3330MC12M 隔离式栅极驱动的评估板设计

    新品采用半桥架构的1ED3330MC12M隔离式栅极驱动的评估板设计该评估板用于在半桥配置下评估1ED3330MC12M隔离栅极驱动芯片与分立功率开关。该评估板搭载两枚1ED3330MC12M芯片,并采用2EP130R变压器驱动芯片构建隔离式板载电源。板上预留两个TO247-4封装的IMZC120R012M2HCoolSiC1200VSiCMOSFET位置(
  • 发布了文章 2026-01-05 17:14

    重磅干货 | 英飞凌工业半导体年度十大热门技术文章

    1英飞凌IGBT7系列芯片大解析IGBT7从2019年问世至今,从首发的T7,到成为拥有S7,H7,T7,E7,P7等完整系列的大家族。这几大系列之间,究竟有何区别?它们各自的适用领域又都在哪里?今天这篇文章就带大家一起来解析一下。2IGBT的电流是如何定义的英飞凌IGBT模块型号上
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  • 发布了文章 2026-01-04 17:06

    新品 | 采用高爬电距离TO-247-4引脚封装的CoolSiC™ 1400V MOSFET G2

    新品采用高爬电距离TO-247-4引脚封装的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引脚封装,兼具前沿的SiC技术与高爬电距离的坚固封装特性。该器件支持直流母线电压超过1000V的系统设计,既为现有应用提供额外的电压裕量与增强的可靠性,又能实现更高的开关速度,从而提升系统效率。其引脚与现有封装完
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  • 发布了文章 2025-12-31 09:05

    新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V与440V第二代器件

    新品CoolSiCMOSFET400V与440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势,同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关与软开关拓扑中,提供卓越的功率密度和系统效率,主要面向人工智能服务器电源、开关电源、电机控制、可再生能源与储能
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  • 发布了文章 2025-12-30 09:04

    年终盘点:2025载誉而归,2026蓄力向新

    在2025年行业和科技浪潮中,英飞凌再次凭借卓越技术、创新产品与优质服务,于客户与行业层面收获满满、载誉而归。英飞凌始终坚持以客户为中心,将客户的需求作为业务发展的核心驱动力。这一年的客户信赖与行业认可。不仅是对过往努力的高度肯定,更激励着全体英飞凌人在2026年新征程蓄力向新,砥砺前行。*以下奖项排名不分先后大洋电机:30周年特别贡献奖德业科技:2025年
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  • 发布了文章 2025-12-23 18:04

    年终盘点:英飞凌2025年碳化硅领域重磅产品与技术惊艳亮相

    岁末将至,回顾2025年科技领域,英飞凌在碳化硅(SiC)赛道成绩斐然,凭借一系列创新产品与前沿技术,为行业发展注入强劲动力,成为行业瞩目的焦点。小编贴心地按照产品发布和技术发布这两大板块,给大家挑选部分亮点产品,方便各位看官全方位了解,咱们这就开整!01产品发布:多元布局,精准覆盖多领域需求1CoolSiCMOSFETG21200V和1400V单管:多种封
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  • 发布了文章 2025-12-22 18:26

    顶部散热封装QDPAK安装指南

    由于QDPAK封装是英飞凌新一代大功率产品的表贴顶部散热产品,其安装方式有所不同,所以针对其安装方式做一些详细的介绍。如下图,英飞凌针对600V以上高压器件推出了HDSOP封装系列(D-DPAK,TOLT,及QDPAK)。如下图列出了该系列已发布的封装型号及其关键参数信息。所有封装均具有统一的2.3mm标准本体厚度,这一特性使得不同分立器件(如650V碳化硅
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  • 发布了文章 2025-12-18 17:08

    QDPAK顶部散热封装简介

    QDPAK顶部散热器件是一种表贴器件产品。相对于传统表贴产品只能从底部进行散热的方式,顶部散热器件分离了电气路径和热流路径,尤其适合在高功率密度的应用,如AI服务器电源和车载充电器等应用。而英飞凌不久前推出的QDPAK封装也是目前英飞凌量产的封装中最大尺寸的顶部散热产品。QDPAK封装目前包含600V,650V,750V,1200V电压等级的SiCMOSFE
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