英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2026-01-15 17:09

  新品 | 第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管

  

  新品第五代氮化镓CoolGaN650VG5双通道晶体管第五代氮化镓CoolGaN650VG5双通道晶体管将半桥功率级集成于小型6×8mmQFN-32封装中，该功率级由两个导通电阻典型值140mΩ、耐压650V的增强型CoolGaN晶体管组成。该产品凭借CoolGaN晶体管卓越的开关特性，非常适合用于实现AC-DC充电器与适配器的高功率密度设计，以及低功率电机

  GaN 晶体管 氮化镓

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• 发布了文章 2026-01-12 17:03

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第二代产品，新增75mΩ型号

  

  新品CoolSiCMOSFET650V第二代产品，新增75mΩ型号CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代沟槽SiCMOSFET技术打造，通过提升性能、增强设计灵活性及鲁棒性，实现系统性价比的飞跃。该系列在硬开关与软开关拓扑中均能实现顶级的效率、高频开关特性及可靠性。产品型号：■IMBG65R075M2H■IMW65R075M2H■I

  MOSFET SiC 器件

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• 发布了文章 2026-01-07 17:06

  新品 | 采用半桥架构的 1ED3330MC12M 隔离式栅极驱动的评估板设计

  

  新品采用半桥架构的1ED3330MC12M隔离式栅极驱动的评估板设计该评估板用于在半桥配置下评估1ED3330MC12M隔离栅极驱动芯片与分立功率开关。该评估板搭载两枚1ED3330MC12M芯片，并采用2EP130R变压器驱动芯片构建隔离式板载电源。板上预留两个TO247-4封装的IMZC120R012M2HCoolSiC1200VSiCMOSFET位置（

  变压器 评估板 驱动芯片

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• 发布了文章 2026-01-05 17:14

  重磅干货 | 英飞凌工业半导体年度十大热门技术文章

  

  1英飞凌IGBT7系列芯片大解析IGBT7从2019年问世至今，从首发的T7，到成为拥有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。这几大系列之间，究竟有何区别？它们各自的适用领域又都在哪里？今天这篇文章就带大家一起来解析一下。2IGBT的电流是如何定义的英飞凌IGBT模块型号上

  工业半导体 英飞凌

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• 发布了文章 2026-01-04 17:06

  新品 | 采用高爬电距离TO-247-4引脚封装的CoolSiC™ 1400V MOSFET G2

  

  新品采用高爬电距离TO-247-4引脚封装的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引脚封装，兼具前沿的SiC技术与高爬电距离的坚固封装特性。该器件支持直流母线电压超过1000V的系统设计，既为现有应用提供额外的电压裕量与增强的可靠性，又能实现更高的开关速度，从而提升系统效率。其引脚与现有封装完

  MOSFET SiC 工业

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• 发布了文章 2025-12-31 09:05

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V与440V第二代器件

  

  新品CoolSiCMOSFET400V与440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关与软开关拓扑中，提供卓越的功率密度和系统效率，主要面向人工智能服务器电源、开关电源、电机控制、可再生能源与储能

  MOSFET SiC

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• 发布了文章 2025-12-30 09:04

  年终盘点：2025载誉而归，2026蓄力向新

  

  在2025年行业和科技浪潮中，英飞凌再次凭借卓越技术、创新产品与优质服务，于客户与行业层面收获满满、载誉而归。英飞凌始终坚持以客户为中心，将客户的需求作为业务发展的核心驱动力。这一年的客户信赖与行业认可。不仅是对过往努力的高度肯定，更激励着全体英飞凌人在2026年新征程蓄力向新，砥砺前行。*以下奖项排名不分先后大洋电机：30周年特别贡献奖德业科技：2025年

  SiC 英飞凌

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• 发布了文章 2025-12-23 18:04

  年终盘点：英飞凌2025年碳化硅领域重磅产品与技术惊艳亮相

  

  岁末将至，回顾2025年科技领域，英飞凌在碳化硅（SiC）赛道成绩斐然，凭借一系列创新产品与前沿技术，为行业发展注入强劲动力，成为行业瞩目的焦点。小编贴心地按照产品发布和技术发布这两大板块，给大家挑选部分亮点产品，方便各位看官全方位了解，咱们这就开整！01产品发布：多元布局，精准覆盖多领域需求1CoolSiCMOSFETG21200V和1400V单管：多种封

  SiC 碳化硅 英飞凌

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• 发布了文章 2025-12-22 18:26

  顶部散热封装QDPAK安装指南

  

  由于QDPAK封装是英飞凌新一代大功率产品的表贴顶部散热产品，其安装方式有所不同，所以针对其安装方式做一些详细的介绍。如下图，英飞凌针对600V以上高压器件推出了HDSOP封装系列(D-DPAK,TOLT,及QDPAK)。如下图列出了该系列已发布的封装型号及其关键参数信息。所有封装均具有统一的2.3mm标准本体厚度，这一特性使得不同分立器件（如650V碳化硅

  散热 英飞凌

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• 发布了文章 2025-12-18 17:08

  QDPAK顶部散热封装简介

  

  QDPAK顶部散热器件是一种表贴器件产品。相对于传统表贴产品只能从底部进行散热的方式，顶部散热器件分离了电气路径和热流路径，尤其适合在高功率密度的应用，如AI服务器电源和车载充电器等应用。而英飞凌不久前推出的QDPAK封装也是目前英飞凌量产的封装中最大尺寸的顶部散热产品。QDPAK封装目前包含600V，650V，750V，1200V电压等级的SiCMOSFE

  器件 电气 英飞凌

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