英飞凌工业半导体

动态

• 发布了文章 2025-07-28 17:06

  新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工业级与车规级碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱、有源中性点钳位（ANPC）、维也纳整流器和飞跨电容（FCC）等硬开关拓扑中表现卓越。更值得注意的是，第二代产品显著降低了输出电容（Coss），使其在循环变流器、

  MOSFET SiC 功率器件

  759浏览量

• 发布了文章 2025-07-26 09:14

  电解电容真的不可靠吗？

  

  电容的高故障率是电力电子系统可靠性问题的一大来源，其中电解电容短寿命的特点尤为突出。然而，追求可靠性的本质是追求产品全寿命周期成本的最优，从这一角度出发，可靠性不高的电解电容也许在某些应用中更加“可靠”。不同类型的电容特性差距甚远，如何根据需求取舍、权衡其中的利弊关系，体现了工程学科的精

  电子系统 电解电容

  574浏览量

• 发布了文章 2025-07-23 17:03

  新品 | 面向低功率储能应用的Easy模块产品扩展

  

  新品面向低功率储能系统应用的产品扩展●采用最新1200VTRENCHSTOPIGBT7和EC7快速二极管技术的三电平NPC1拓扑的EasyPACK3B模块；●采用1200VCoolSiCMOSFET和L7EC7技术的有源中性点钳位（ANPC）拓扑的EasyPACK3B模块；●采用2000VCoolSiCMOSFET的EasyPACK3B半桥模块；所有模块均配

  easy 储能系统

  378浏览量

• 发布了文章 2025-07-21 17:26

  新品 | 面向光伏应用的Easy模块产品扩展

  

  新品面向光伏应用的Easy模块产品扩展采用增强型第一代CoolSiCMOSFET的EasyPACK1B半桥升压拓扑，集成NTC温度传感器并配备PressFIT针脚，为太阳能逆变器系统设计提供理想的一体化解决方案。产品型号：■DF17MR12W1M1HF_B86产品特点Easy系列模块高度12mm配备增强型第一代沟槽技术的12kVCoolSiCMOSFET极低

  传感器 光伏

  519浏览量

• 发布了文章 2025-07-19 08:34

  AI的尽头是能源？(2)

  

  本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自上海科技大学的诸葛英健投稿。2AI还是个耗水狂魔根据兰道尔原理，处理信息是有能量成本的。但这一部分只是AI耗电中的一小部分，更多的能量消耗来自焦耳定律。当芯片在进行信息处理时，其中的晶体管会在开关状态中进行切换，而这就产生了电流。又由于电路中电阻的存在，这些能量不可避免地转化成热能。目前台积电等芯片巨头已经在积

  AI 能源

  537浏览量

• 发布了文章 2025-07-15 17:08

  新品 | 面向电动汽车充电应用的Easy模块产品扩展

  

  新品面向电动汽车充电应用的Easy模块产品扩展EasyPACK3B系列2000V/6mΩ、2000V/10mΩ和1200V/11mΩ四单元模块，采用增强型第一代CoolSiCMOSFET技术，集成NTC温度传感器并配备PressFIT针脚。产品型号：■F4-6MR20W3M1H_B11■F4-10MR20W3M1H_B11■F4-11MR12W3M1H_B1

  easy 充电 电动汽车

  428浏览量

• 发布了文章 2025-07-14 18:18

  SiC MOSFET在三相四桥臂变换器中的应用优势

  

  由于第四桥臂的引入，对比三相三桥臂变换器，负载相电压的电平数从五个(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三个(±Udc,0)，因此自然的，相同电路参数下，输出电流的谐波畸变度将会更大，下图所示为相同开关频率，相同滤波器参数以及输出相同电流有效值情况下，两种拓扑的负载电压电流波形与电流THD对比，三相四桥臂变换器输出电流谐波含量明显更高。（参考链接：三相

  SiC MOSFET 变换器 电流

  795浏览量

• 发布了文章 2025-07-12 08:32

  AI的尽头是能源？(1)

  

  本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自上海科技大学的诸葛英健投稿。据《华尔街日报》7月1日报道，亚马逊云服务正与美国最大的核电厂运营商ConstellationEnergy接近达成一项直接供电协议。而早在今年3月，亚马逊以6.5亿美元收购了位于宾夕法尼亚州的TalenEnergy旗下的Cumulus数据中心园区

  AI 供电 能源

  620浏览量

• 发布了文章 2025-07-11 17:08

  IGBT的电流是如何定义的

  

  IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A1200VIGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。流言一：450AIGBT模块最大输出电流能力是450A，系统设计中需要留足够的余量450A是FS450R12KE4的标称电流。那么什么是标称电流？为了搞清楚这一

  IGBT 电流 芯片

  5.5k浏览量

• 发布了文章 2025-07-08 17:08

  新品 | 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ产品

  

  新品采用ThinTOLL8x8封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ产品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件产品线现扩充ThinTOLL8x8封装的26mΩ和33mΩ型号，将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ，提供更精细的选型梯度。ThinTOLL封装是标准8x8尺寸下发挥CoolS

  MOSFET SiC

  909浏览量