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中电四十九所填补中国第三代压力传感器芯片空白

MEMS 来源:工程师李察 2019-05-05 09:29 次阅读
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“作为一名青年科技工作者,中国梦、龙江梦,家乡的建设与发展召唤着我为之拼搏奋斗。”近日,荣获第21届“黑龙江省青年五四奖章”的中国电子科技集团公司第四十九研究所芯片设计研发课题组组长刘兴宇在全省青年座谈会上表示,要进一步传承五四精神,在龙江这片热土上,勇攀科学高峰,再创青春业绩。

中国电子科技集团公司第四十九研究所芯片设计研发课题组组长刘兴宇在座谈会上发言

在中国科学院大学凝聚态物理学专业读博期间,刘兴宇就开始研究LD激光芯片,并逐渐接触国际前沿的MEMS芯片技术研发,那时候他就有了“研制中国自己的芯片”的想法。毕业时,中国电子科技集团公司四十九所“用中国芯,传民族感”的研究宗旨引起了他的注意,这正是他的理想,于是,刘兴宇决心回到家乡,投身科研。

在四十九所工作的前几年时间里,刘兴宇先后承担了多项纵向课题,边学边练。到后来,遇到本专业的问题得心应手,遇到跨专业的问题也总能迎刃而解,刘兴宇成为别人眼里干科研的“材料”。功夫不负有心人,机会眷顾了这个“为中国芯时刻准备着”的科研青年。刘兴宇接到了停滞三年的“高精度谐振压力传感器芯片”项目研发任务,踏上了向往已久却又困难重重的研发之路。

国际上,公认一款传感器芯片的研发周期需要7年左右,而刘兴宇研究团队仅有不到2年的研发周期,既没有数据,又没有公式,他和组员一切都要从零开始。“这个难度打个比方,就像我只看到一把锁的样子,要靠想象打造出一把匹配的钥匙。”刘兴宇说。

为了充分利用服务器的计算时间和调试机会,刘兴宇在每一次拿到计算数据后就会在3个小时的时间里一刻不停地进行手动优化计算。那段时间,他完全脱离了自然作息,服务器的计算周期成了他的日升月降,一切都以它为中心。就这样日夜不停地人机共同烧脑,不到三个月的时间得出了满足技术指标的芯片设计全套参数,用五个月走通了全部工艺流程,创下该项技术设计研发周期最短、参数精准、一次成功的先例。

“第一次拿到芯片测试结果的我欣喜若狂,数百个日夜的辛勤付出终于得到了回报,让我觉得一切都是值得的。”刘兴宇说,这个技术彻底解决了此前高精度传感器芯片依赖进口的难题,填补了中国第三代压力传感器芯片的空白。实现了四十九所从仅具有第一代核心芯片技术能力到拥有国际上最先进的第三代核心技术的跨越。

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原文标题:中电四十九所填补中国第三代压力传感器芯片空白

文章出处:【微信号:MEMSensor,微信公众号:MEMS】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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