蚀刻机和光刻机的区别

最近光刻机和蚀刻机一直都是当前最热的话题，可以说光刻机是芯片制造的魂，蚀刻机是芯片制造的魄，要想制造高端的芯片，这两个东西都必须顶尖。

这俩机器最简单的解释就是光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面，刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉，这样看起来似乎没什么难的，但是有一个形象的比喻，每一块芯片上面的电路结构放大无数倍来看比整个北京都复杂，这就是这光刻和蚀刻的难度。

光刻的过程就是现在制作好的硅圆表面涂上一层光刻胶（一种可以被光腐蚀的胶状物质），接下来通过光线（工艺难度紫外光＜深紫外光＜极紫外光）透过掩膜照射到硅圆表面（类似投影），因为光刻胶的覆盖，照射到的部分被腐蚀掉，没有光照的部分被留下来，这部分便是需要的电路结构。

蚀刻分为两种，一种是干刻，一种是湿刻（目前主流），顾名思义，湿刻就是过程中有水加入，将上面经过光刻的晶圆与特定的化学溶液反应，去掉不需要的部分，剩下的便是电路结构了，干刻目前还没有实现商业量产，其原理是通过等离子体代替化学溶液，去除不需要的硅圆部分。

目前我国光刻机和蚀刻机的发展很尴尬，属于严重偏科的情况，中微半导体7nm蚀刻机的量产，直接迈入世界一流行列，5nm蚀刻机也在实验阶段，而光刻机企业不管是上海微电子的90nm光刻机，还是无锡影速200nm光刻机，与世界最先进的7nm制程都相去甚远，在这两条道路上，蚀刻机要再接再厉，而光刻机则需要迎头赶上。