逻辑IC在工艺技术的进步的体现

IC产业的进步取决于IC制造商继续提供更多性能和功能的能力。随着主流CMOS工艺在理论，实践和经济方面的限制，降低IC成本（基于每个功能或每个性能）比以往任何时候都更具挑战性和挑战性。2019年版IC Insights的McClean报告（500页），有关集成电路行业的完整分析和预测（2019年1月发布）表明，公司提供的面向逻辑的工艺技术比以往任何时候都多。
图1列出了公司目前使用的几种领先的高级逻辑技术。主要节点之间的每个过程生成的衍生版本已成为常规事件。

英特尔- 其2018年末推出的第九代处理器的代号为“Coffee Lake-S”，有时也称为“Coffee Lake Refresh”。英特尔称这些处理器是新一代产品，但它们似乎更多增强了第八代产品。细节很少，但这些处理器似乎是在14nm ++工艺的增强版本上制造的，或者可能被认为是14nm +++工艺。

使用其10nm工艺的大规模生产将在2019年推出，它将于2018年12月推出新的“Sunny Cove”系列处理器。看起来Sunny Cove架构基本上取代了应该是10nm的Cannon Lake架构。预计到2020年发布，当然10nm +衍生工艺将进入批量生产阶段。

台积电- 台积电的10nm finFET工艺于2016年底投入批量生产，但已从10纳米迅速发展至7纳米。台积电相信7nm产品将成为28nm和16nm等长寿命节点。

台积电5纳米工艺正在开发中，预计将于2019年上半年进入风险生产阶段，到2020年将开始量产。该工艺将使用EUV，但它不会是台积电利用EUV技术的第一个流程。首先是该公司7nm技术的改进版本。N7 +工艺仅在关键层（四层）上使用EUV，而N5工艺将广泛使用EUV（最多14层）。N7 +计划于2019年第二季度投入量产。

三星- 在2018年初，三星开始批量生产第二代10nm工艺，称为10LPP（低功率+）。在2018年晚些时候，三星推出了第三代10nm工艺，称为10LPU（低功耗终极），提供了另一项性能提升。三星采用10nm的三重图案光刻技术。与台积电不同，三星认为其10纳米工艺系列（包括8纳米衍生产品）的生命周期很长。

三星的7nm技术于2018年10月投入风险生产。该公司不再提供采用浸没式光刻技术的7nm工艺，而是决定直接采用基于EUV的7nm工艺。该公司正在将EUV用于7nm的8-10层。

GlobalFoundries- GF将其22nm FD-SOI工艺视为其市场，并与其14nm finFET技术相辅相成。该公司称22FDX平台的性能与finFET非常接近，但制造成本与28nm技术相同。

2018年8月，GlobalFoundries宣布将停止7nm开发，因为该技术节点的生产成本增加，并且因为有太少的代工客户计划使用下一代工艺，因此对战略进行了重大转变。因此，该公司转向其研发工作，以进一步增强其14nm和12nm finFET工艺及其完全耗尽的SOI技术。

五十年来，集成电路技术的生产率和性能得到了惊人的改善。虽然该行业已经克服了摆在它面前的许多障碍，但似乎障碍仍在不断扩大。尽管如此，IC设计人员和制造商正在开发比增加芯片功能更具革命性的解决方案。