MOSFET开关管的的损耗分析与计算
当开关电源完成初步设计后就可以进行下一步的优化设计了，所谓优化设计就是为当前的方案选取最合适的器件以及为选取的器件配置最优的参数。开关电源中对效率影响较大的是开关管（包括二极管）和磁性元件（包括导线），在以往的设计参考资料中会给出一些一般取值，当建立了损耗模型后估计可以用公式把这些最优参数推导出来而不再依赖经验值了。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
电源
+关注
关注
182文章
16559浏览量
244779 -
ti
+关注
关注
111文章
8188浏览量
210931 -
MOSEFT
+关注
关注
0文章
35浏览量
4346
发布评论请先 登录
相关推荐
反激CCM模式的开通损耗和关断损耗详解
的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，开关损耗测试对于器件评估非常关键，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上。电源工程师们都知道
如何平衡MOSFET提高电源效率的优化方案
MOSFET 的选择关乎效率，设计人员需要在其传导损耗和开关损耗之间进行权衡。传导损耗发生在在 MOSFET 关闭期间，由于电流流过导通电阻
发表于 11-15 16:12
•179次阅读
大功率场效应管（MOSFET）及其驱动电路
倍所引起的问题在MOSFET管的使用中也已不存在。
在关断过程中，因为 MOSFET管电流下降速度很快，输出端的下降电流和上升电压在较低的电流下会发生重叠，从而减小了重叠
发表于 09-28 06:33
基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析
开通造成桥臂短路； 通过优化 PCB 布局减小寄生电感能有效减小驱动振荡[3]，但在硬开关场合依旧存在较大电压过冲； 而且 GaN HEMT 的反向导通损耗往往高于同电压等级的 MOSFET，尤其是工作
发表于 09-18 07:27
为什么buck电路中开关器多用mosfet而不用bjt？
了电路的工作原理和效率。 开关器的两种主要类型是MOSFET和BJT。然而，在Buck电路中，MOSFET通常更受欢迎，而BJT则较少使用。这主要归因于以下几个原因： 1. 低开关损耗
如何计算MOSFET实际应用中的损耗
功率半导体自20世纪50年代开始发展起来，至今形成以二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等为代表的多世代产品体系。新技术、新产品的诞生拓宽了原有产品和技术的应用范围，适应更多终端产品的需求，MOSFET同样衍生出GaN，SiC新型材料的产品去覆盖更高功率密度、更高电压、
发表于 08-31 14:14
•1286次阅读
开关管MOSFET的损耗分析及其优化方法
本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
发表于 08-17 09:16
•1784次阅读
Buck变换器MOSFET开关过程分析与损耗计算
前言：为了方便理解MOSFET的开关过程及其损耗，以Buck变换器为研究对象进行说明（注：仅限于对MOSFET及其驱动进行分析，不涉及二极管
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的
工商网监
评论