MOSFET管开关电路基本知识总结-电子发烧友网

(一)MOSFET管的基本知识

MOSFET是利用半导体表面的电场效应进行工作的,也称为表面场效应器件.它分为N沟道和P沟道两类,其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种,所谓耗尽型就是当时,存在导电沟道,所谓增强型就是时,没有导电沟道,即

以上是N沟道和P沟道MOS管的符号图,

其相关基本参数:

(1)开启电压Vth,指栅源之间所加的电压,

(2)饱和漏电流IDSS,指的是在VGS=0的情况下,当VDS>|Vth|时的漏极电流称为饱和漏电流IDSS

(3)极大漏源电压VDS

(4)极大栅源电压VGS

(5)直流输入电阻RGS

通常MOS管的漏极与源极与以互换,但有些产品出厂时已将源极与衬底连在一起,这时源极与漏极不能对调,使用时应该注意.下面以FDN336P的一些主要参数为例进行介绍:

上表指出其源极与漏极之间的电压差为20V,而且只能是S接正极,D接负极,

栅极与源极之间的极大电压差为8V,可以反接.

源极极大电流为1.3A,由S->D流向,脉冲电流为10A

(二)MOSFET做开关管的知识

一般来讲,三极管是电流驱动的,MOSFET是电压驱动的,因为我是用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用MOSFET做,这样也可以节省系统功耗吧,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题,比如一个5V的电源,经过管子后可能变为了4.5V,这时候要考虑负载能不能接受了,我曾经遇到过这样的问题就是负载的极小工作电压就是5V了,经过管子后发现系统工作不起来,后来才想起来管子上占了一部分压降了,类似的问题还有在使用二极管的时候(尤其是做电压反接保护时)也要注意管子的压降问题

开关电路原则

a. BJT三极管Transistors

只要发射极e 对电源短路就是电子开关用法

N管发射极E 对电源负极短路. (搭铁) 低边开关 ;b-e 正向电流饱和导通

P管发射极E 对电源正极短路. 高边开关 ;b-e 反向电流饱和导通

b. FET场效应管MOSFET

只要源极S 对电源短路就是电子开关用法

N管源极S 对电源负极短路. (搭铁) 低边开关 ;栅-源正向电压导通

P管源极S 对电源正极短路. 高边开关 ;栅-源反向电压导通

总结:

低边开关用 NPN 管

高边开关用 PNP 管

三极管b-e 必须有大于 C-E 饱和导通的电流

场效应管理论上栅-源有大于漏-源导通条件的电压就就OK。

假如原来用NPN 三极管作 ECU 氧传感器加热电源控制低边开关则直接用 N-Channel 场效应管代换 ;或看情况修改下拉或上拉电阻

基极--栅极

集电极--漏极

发射极--源极

上面是在一个论坛上摘抄的,语言通俗,很实用,

用PMOSFET构成的电源自动切换开关

在需要电池供电的便携式设备中，有的电池充电是在系统充电，即充电时电池不用拔下来。另外为了节省功耗，需要在插入墙上适配器电源时，系统自动切换为适配器供电，断开电池与负载的连接;如果拔掉适配器电源，系统自动切换为电池供电。本电路用一个PMOSFET构成这种自动切换开关。

图中的V_BATT表示电池电压，VIN_AC表示适配器电压。当插入适配器电源时，VIN_AC电压高于电池电压(否则适配器电源就不能对电池充电)，Vgs>0,MOSFET截止，系统由适配器供电。拔去适配器电源，则栅极电压为零，而与MOSFET封装在一体的施特基二极管使源极电压近似为电池电压，导致Vgs小于Vgsth，MOSFET导通，从而系统由电池供电。