台积电积极布建5奈米晶圆厂,明年晶圆厂支出金额将逆势出现高达24％的年成长率

国际半导体产业协会（SEMI）昨（18）日公布全球晶圆厂预测报告（World Fab Forecast Report），预期2019年全球晶圆厂设备投资金额将下修，由原先预估的年成长7％下修15个百分点至年衰退8％。不过，在台积电积极布建5奈米晶圆厂情况下，***明年晶圆厂支出金额将逆势出现高达24％的年成长率。

SEMI***区总裁曹世纶表示，记忆体价格下跌与中美贸易战之下导致公司投资计画改变，为晶圆厂资本投资快速下滑两大主因，其中又以先进记忆体制造商、中国晶圆厂、及28奈米或以上成熟制程业者的资本支出缩减影响全球市场最剧。

SEMI表示，甫进入2018年时，全球半导体晶圆厂设备市场原先预测将延续罕见的连续4年成长直至2019年。但其实早在今年8月时，SEMI综合收集分析全球超过400间晶圆厂主要投资计画后，便预测2018年下半年至2019年上半年晶圆厂投资金额将呈下滑态势，包括将2018全年投资金额由8月时预估的年成长14％下修4个百分点至年成长10％，2019全年投资金额更是明显下修，由原先预估的年成长7％下修15个百分点至年衰退8％。

且有鑑于近期的市场情势，下滑幅度恐将较原先预期更为剧烈；报告指出，2018年下半年及2019年上半年晶圆设备销售金额分别将下滑13及16个百分点，直至2019年下半年才有望出现转圜。

但由2019年各地区的晶圆厂支出金额变化来看，韩国记忆体双雄三星及SK海力士大砍资本支出，不仅导致明年韩国晶圆厂支出金额年减35％，亦是造成明年全球晶圆厂支出金额下滑的重要关键。至于***明年晶圆厂支出金额逆势出现高达24％的年增率，主要是受惠于晶圆代工龙头台积电加快5奈米晶圆厂Fab 18的产能布建。

SEMI表示，今年NAND Flash价格急跌，DRAM价格也在第四季松动，记忆体业者快速反应市场情况，并减少资本支出，并暂缓所有已订购设备出货。整体来看，2019年整体记忆体资本支出将年减19％，其中DRAM下滑最剧烈幅度达23％，3D NAND则下滑约13％。

至于受到全球瞩目的中国大陆，明年晶圆厂设备投资金额已由原本预估的170亿美元下修到119.57亿美元，其中原因包括记忆体市况不佳、美中贸易战导致两国关系紧张、以及对大环境不确定导致建厂计画延宕等，包括SK海力士、格芯（GlobalFoundries）、联电、中芯等均暂缓大陆投资力道，福建晋华DRAM投资计画也已喊停。