随着TOPCon电池效率的持续提升,电池分离为半片后新产生的切割边缘会引入严重的载流子复合,导致效率损失。这一边缘复合问题在大尺寸、高性能电池上尤为突出,成为制约半片电池性能的关键因素。美能光伏即将带来全新的非接触式IV测试解决方案,助力电池提效迈上新台阶。
本文采用热激光分离(TLS)从正面切割M10规格的TOPCon母电池,并结合钝化边缘技术(PET),通过高通量等离子体增强原子层沉积在半片边缘制备6 nm的Al₂O₃钝化层并辅以退火激活。实验表明,无论采用Ag‑Al浆料(无LECO)的经典路线,还是采用无铝Ag浆配合激光增强接触优化(LECO)的新路线,优化后的TLS切割效率损失仅略高于0.1%,而Al₂O₃边缘钝化可恢复约85%的伪填充因子切割损失,从而实现近乎无损的半片电池制备。
实验方案
Millennial Solar

实验流程示意图
实验分为两组,均采用工业级n型Cz-Si TOPCon母电池,M10伪方形(182 mm × 182 mm),16主栅。
Gr1(经典路线):正面细栅使用Ag-Al浆料,不采用LECO。
Gr2(新路线):正面细栅使用无Al的Ag浆料,并经过LECO处理。此外,其正面硼发射极也相应优化。
首先测试母电池的I-V特性。然后通过正面TLS将母电池切割为半片电池,再次测试。接着,将半片电池堆叠放入高通量PE-ALD原型设备中,在切割边缘沉积6 nm的Al₂O₃层,每批次约16,000片,工艺时间约1小时。最后,在强制对流烘箱中进行不同峰值温度的退火,并再次测试I-V特性。

所研究的M10规格n型直拉单晶硅TOPCon电池正面和背面的示例照片
母电池性能对比
Millennial Solar
Gr1母电池平均效率为24.2%,Gr2为24.8%。Gr2因采用Ag浆+LECO,平均VOC高出14 mV,平均pFF高出0.9%(绝对值),但平均RS也增加了0.17 Ω·cm²。

(a-d)不同状态下的TOPCon电池I-V数据:(1)整片电池,(2)TLS后的半片电池,(3-6)不同峰值温度下Al₂O₃边缘钝化和退火后的半片电池。Gr2在325°C退火温度下的平均串联电阻约为4 Ω·cm²。(e)不同退火温度下Al₂O₃边缘钝化对切割引起的pFF损失的恢复率
TLS切割损失
Millennial Solar
TLS切割后,两组电池的VOC损失都很小(平均仅-0.4 mV),主要损失体现在pFF上:Gr1下降0.57%(绝对值),Gr2下降0.67%(绝对值)。相应的效率损失分别为0.11%和0.13%(绝对值)。
边缘钝化与退火效果
Millennial Solar
在沉积Al₂O₃并进行不同温度退火后,两组电池的pFF均得到显著恢复。
Gr1:RS对温度不敏感,即使退火至325°C也保持稳定。在325°C退火下,pFF增益最大,几乎完全补偿了切割损失。
Gr2:当退火温度达到或超过300°C时,RS明显上升,VOC开始下降。但在250°C和275°C退火下,pFF增益同样几乎补偿了切割损失。这说明Gr2的正面接触热稳定性较差,因此需要针对其工艺历史优化退火温度。
pFF恢复率
Millennial Solar
通过(边缘钝化带来的pFF增益)/(切割造成的pFF损失)计算恢复率。Gr1在325°C下达到88%的恢复率,Gr2在较低温度下达到83%。甚至出现超过100%的恢复(325°C下Gr1),这可能源于退火对表面钝化的整体改善。
最终,两组电池的初始效率损失(约0.1%以上)均被Al₂O₃边缘钝化几乎完全补偿。
将TLS与高通量PE-ALD Al₂O₃边缘钝化相结合,可以在TOPCon半片电池上实现近乎无损的切割。无论采用Ag-Al浆料(无LECO)的经典路线,还是采用Ag浆+LECO的新路线,Al₂O₃边缘钝化均能恢复约85%的pFF切割损失,从而将TLS造成的效率损失(略高于0.1%)几乎完全弥补。这表明该技术路线具备在工业规模上生产高效TOPCon半片电池的潜力。
-
测试
+关注
关注
9文章
6538浏览量
131842 -
光伏
+关注
关注
56文章
4940浏览量
76543 -
电池
+关注
关注
85文章
11695浏览量
145299
发布评论请先 登录
新型Al_2O_3/BCB多层薄膜复合介质材料的传输线损耗特性
TACONIC低损耗的半固化片
硅太阳能电池表面钝化技术
罗杰斯公司正式推出超低损耗半固化片SpeedWave300P
原子层沉积ALD技术实现边缘钝化,TOPCon电池效率提高0.123%
TOPCon 电池紫外(UV)降解退化分析与Al₂O₃、SiNₓ钝化层参数优化
N-TOPCon半片电池正面切割工艺:PL/EL揭示磷扩散机制提升切割良率
金属化后进行边缘钝化技术PET:减少硅太阳能电池分切损失,提升组件效率
椭偏仪在Al₂O₃光波导材料中的应用:基于200mmCMOS工艺的低损耗集成技术
四分片边缘钝化策略:TCO Margin+预开槽原位钝化的实验验证
半片电池低损耗分离:TLS与Al₂O₃边缘钝化技术
评论